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高性能
士兰微:以高性能SiC方案赋能主驱应用
12月11-12日,行家说三代半年会『2024碳化硅&氮化镓产业高峰论坛暨极光奖颁奖典礼』即将在深圳召开,士兰微已正式确认出席本次大会。届时,士兰微应用经理朱晓慧将出席,并带来《士兰微高性能SiC解决方案赋能新一代主驱应用》的主题报告。据了解,士兰微基于自主研发Ⅱ代 SiC MOSFET 芯片生产的电动汽车主电机驱动模块,已实现向下游汽车用户批量供货,成为国内首家采用自主研发的Ⅱ代 SiC 芯片生
第三代半导体风向
2024-11-29
72浏览
张佳峰&王小玮&梁骥NC:界面工程构筑薄至0.78μm锂金属负极,助力高性能石榴石型固态电池
点击左上角“锂电联盟会长”,即可关注!【研究背景】薄锂金属的可控工程对于提高固态电池的能量密度和阐明锂金属负极的界面演化机制至关重要。然而,由于锂金属的易碎性和高粘度,制造薄锂电极面临着极大挑战。【工作介绍】针对上述问题,中南大学张佳峰教授、王小玮副教授与天津大学梁骥教授联合提出了一种界面工程策略,该策略成功实现了固态电解质表面锂金属负极厚度的精准调控,在探究最优锂负极厚度的同时深入阐述了Li/S
锂电联盟会长
2024-11-28
77浏览
“高性能数据管理与存储系统”论坛内容集锦
导语7月30日下午,上海市计算机学会存储专业委员会和高性能计专业委员会携手DOIT主办的“高性能数据管理与存储系统”论坛以线上直播的形式开展。本论坛主要涵盖高性能计算应用及其背景下的计算存储架构和数据存储管理系统,包括新型基于非易失内存的键值对存储系统、新型脉动阵列结构设计、人工智能编译器、高可靠键值存储、可计算存储在数据库的应用和车载高性能计算与存储。会议邀请了华中科技大学刘海坤教授、国防科技大
SSDFans
2024-11-27
74浏览
【热电偶测温】高性能的热电偶测温如何设计?
导读一个高性能的热电偶测温,是不是有一个好的电路方案就够了?其实不然,热电偶测温易受冷端温度的干扰,需在PCB布板和结构上合理的设计才能消除干扰。接下来跟小编一起探讨如何设计才能让热电偶的测温性能更好。有些小伙伴在电路设计之初,选择了性能优越的测温芯片和ADC,理论上要达到性能要求应绰绰有余,但实际测试却不尽如意,这是为什么呢?其实,这大概率是冷端温度的设计不合理导致的。热电偶的物理特性决定了,它
ZLG致远电子
2024-11-26
75浏览
【新品介绍】Littelfuse推出高性能超级结X4-Class200V功率MOSFET
提供业界领先的低通态电阻,使电池储能和电源设备应用的电路设计更加简化,性能得到提升。Littelfuse隆重宣布推出IXTN400N20X4和IXTN500N20X4超级结X4-Class功率MOSFET。超级结X4-Class 200V功率MOSFET这些新器件在当前200V X4-Class超级结MOSFET的基础上进行扩展,有些具有最低导通电阻。这些MOSFET具有高电流额定值,设计人员能够
力特奥维斯Littelfuse
2024-11-26
29浏览
国产半导体厂商推出高性能AIMCU芯片,实现RISC-V+AI新应用!
近日,从国芯科技再次传来喜讯,国芯科技与广东赛昉科技有限公司(以下简称“赛昉科技”)合作研发的高性能AI MCU芯片产品CCR7002已成功通过了内部性能和功能测试,实现了RISC-V+AI技术的新应用。本次研发成功的高性能AI MCU芯片新产品CCR7002芯片采用多芯片封装技术集成了高性能SoC芯片子系统与AI芯片子系统,实现了高性能SoC芯片系统与低功耗AI芯片系统的有效结合。其中,高性能S
飙叔科技洞察
2024-11-25
62浏览
Nat.Commun:具有Li+导电通道的宏观均匀界面层,用于高性能锂金属电池
点击左上角“锂电联盟会长”,即可关注!无论是自然形成的还是人为设计的,大量晶界固体电解质界面都会导致锂金属沉积不均匀,从而导致电池性能低下。本文报告了一种锂离子选择性传输层,以实现高效且无枝晶的锂金属负极。逐层组装的质子化氮化碳纳米片呈现出无晶界的均匀宏观结构。氮化碳基面上的有序孔隙提供了低迂回度的高速锂离子传输通道。因此,组装好的324 Wh kg-1袋式电池可稳定循环300 次,容量保持率达9
锂电联盟会长
2024-11-25
67浏览
Exosens收购Noxant以扩展高性能制冷型红外成像产品
据麦姆斯咨询报道,总部位于法国的高端电光技术集团Exosens(原名为Photonis),将通过收购Noxant将进一步扩大其蓬勃发展的相机产品组合。Noxant位于法国巴黎郊区,专门生产在中红外波长下工作的高性能制冷型成像仪。Noxant制冷型成像仪拍摄照片两家公司之间的协议允许Exosens进行独家谈判以进行收购。如果收购成功,这将与Xenics、Telops和另一家即将收购的Night Vi
MEMS
2024-11-25
55浏览
基于成熟工艺设计高性能CPU才是真本事
一直以来,国内高性能SoC和CPU高度依赖境外技术,个别明星企业的SoC/CPU在设计上依赖境外IP授权,在制造上依赖台积电工艺,EDA上采购国外三大厂。这种全球分工模式虽然能够开发出高性能芯片,但设计、制造两头在外,一旦国际局势有所变动,很容易导致芯片“绝版”。当下,大陆的主流工艺为12nm,虽然和台积电有差距,但对于绝大部分应用场景已经足够了。国内一些IC设计公司,近乎病态的追求台积电尖端工艺
铁君
2024-11-23
36浏览
华芯引领高性能MEMS惯性传感器芯片创新
因“需”而“为”,推动科技创新和产业创新深度融合华芯(天津)科技发展有限公司 总经理 陈东华华芯(天津)科技发展有限公司(简称:华芯)是一家专注于高性能MEMS(微机电系统)传感器芯片设计与制造领域创新的企业。华芯不仅拥有完全自主知识产权的MEMS传感器芯片,更在核心技术上取得重大突破,累计获得超过100项知识产权,构建了坚实的技术壁垒,填补了国内MEMS惯性传感器产品多项空白。短短五年间,年均复
MEMS
2024-11-20
150浏览
高性能太赫兹量子级联激光器及仪器关键技术获上海市科学技术奖
在“奇光异彩”的电磁波谱中,有这么一段区域,它位于看不见的红外光与微波之间,是电磁波研究的最后一块处女地,它就是太赫兹频段,俗称“太赫兹空隙(Terahertz Gap)”。该频段具有丰富的战略频谱资源、独特的指纹谱和良好的穿透性等特点,是各国争相抢占的电磁波普频段。太赫兹辐射与物质相互作用所呈现出的丰富物理内涵和应用潜力,也引起了科学家们极大的兴趣。“太赫兹技术”也被美国麻省理工学院誉为“改变未
MEMS
2024-11-20
117浏览
西北工业大学王俊杰团队:六方MAB相缺陷工程助力高性能锂离子电池
点击左上角“锂电联盟会长”,即可关注!第一作者:博士研究生沈清通讯作者:王俊杰教授通讯单位:西北工业大学凝固技术国家重点实验室论文信息:Advanced Science, 2024, 2308589https://doi.org/10.1002/advs.202308589论文概述近年来,六方过渡金属硼化物h-MAB相备受瞩目。硼作为一种具有三个价电子的轻元素,易形成多原子键,有助于克服电子缺陷,
锂电联盟会长
2024-11-19
142浏览
AMEYA360代理品牌|兆易创新推出GD32G5系列Cortex®-M33内核高性能MCU,全面激发工业应用创新活力
兆易创新GigaDevice (股票代码 603986) 近日宣布,正式推出基于Arm® Cortex®-M33内核的GD32G5系列高性能微控制器。GD32G5系列Cortex®-M33内核高性能MCUGD32G5系列MCU凭借出色的处理性能、丰富多样的数字模拟接口资源以及强化的安全性能,可广泛适用于数字电源、充电桩、储能逆变、变频器、伺服电机、光通信等多元化场景。该系列全新产品组合提供LQFP
皇华电子元器件IC供应商
2024-11-15
393浏览
千兆以太网解决方案:MX2000核心板,高性能不高价
导读在嵌入式开发中,千兆以太网的需求日益增长,特别是在工业自动化、视频监控和云计算等场景。MX2000核心板以其高性能和经济性,为您提供了满足高速数据传输和成本效益双重需求的理想解决方案。在嵌入式开发的时候,你是不是也经常遇到需要千兆以太网的应用场景?例如,在工业自动化领域,控制设备需要快速处理大量数据;视频监控系统需要高速传输和存储视频流以实现远程监控;云计算领域中,数据中心和云中心之间需要高速
ZLG致远电子
2024-11-14
127浏览
佰维存储推出新一代高效能LPDDR5X内存,加速高性能终端设备AI应用
点击蓝字关注我们根据IDC预测,到2024年底,全球内置GenAI功能的智能手机出货量将达2.342亿部,同比增长363.6%,占整体出货量的19%;到2028年,这一数字预计将增长至9.12亿部,2024年至2028年的年复合增长率将达到78.4%。这种快速增长反映了市场对智能化服务和用户体验升级的强烈需求。GenAI功能不仅提供更个性化和智能的服务,还对智能手机硬件提出了更高要求,包括高算力S
SSDFans
2024-11-13
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AMEYA360代理品牌|佰维存储推出新一代高效能LPDDR5X内存,加速高性能终端设备AI应用
根据IDC预测,到2024年底,全球内置GenAI功能的智能手机出货量将达2.342亿部,同比增长363.6%,占整体出货量的19%;到2028年,这一数字预计将增长至9.12亿部,2024年至2028年的年复合增长率将达到78.4%。这种快速增长反映了市场对智能化服务和用户体验升级的强烈需求。GenAI功能不仅提供更个性化和智能的服务,还对智能手机硬件提出了更高要求,包括高算力SoC和高速可靠的
皇华电子元器件IC供应商
2024-11-12
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【西电】5G小型化高性能天线技术
一起来欣赏西电天线与微波技术重点实验室带来的“5G小型化高性能终端与基站天线技术”吧!☆ END ☆精彩回顾腔体滤波器技术提升解决方案一座5G基站它的成本是由哪些部分组成?腔体滤波器设计之----自动单腔频率温飘秒仿糖葫芦串形低通秒仿糖葫芦型低通后续之----低通优化[超级全]一百多页的射频基础知识资料,看这一篇就够了TE01模介质滤波器滤波器无源互调浅析如何选择谐振杆的尺寸使功率容量达到最佳金属
5G通信射频有源无源
2024-11-09
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瑞萨RA家族ArmCortex-M85RA8MCU系列新成员-RA8E1、RA8E2高性能入门级应用
Arm Cortex-M85 RA8系列于2024年11月推出RA8E1和RA8E2两款新产品。这两款新产品已正式量产上市,将高算力的RA8系列扩展到入门级领域的应用,降低BOM 成本,扩大RA8高性能产品线。RA8E2:高性能入门级图形显示应用。480MHz Arm Cortex-M85内核,集成Helium 、TrustZone及TFT-LCD显示屏,2D绘图引擎的图形功能。RA8E1:高性能
瑞萨MCU小百科
2024-11-08
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上海微系统所“高性能MEMS陀螺仪及其系统应用技术”荣获上海市科学技术奖
以微纳卫星、小型无人机为代表的高端无人装备急需高性能、微型化的惯性测量系统。传统的陀螺仪系统体积大,很难满足微型化的需求。而MEMS陀螺仪拥有极佳的C-SWaP(价格、体积、重量、功耗)指标,但性能容易受力、热、电磁等恶劣环境条件的影响,导致MEMS陀螺仪目前大多在消费级应用,难以在各类高端无人装备领域取得应用突破,制约了国内无人装备、航天、航空等多个重要行业的技术进步。因此,如何进一步提升MEM
MEMS
2024-11-08
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高性能可见光和近红外双波段光电探测器
与传统单波段光电探测器相比,双波段光电探测器对复杂环境中的目标识别和导航等具有显著优势。然而,传统双波段探测器在多个光吸收层和复杂的光学元件的组合集成方面存在明显限制。因此,基于单一传感材料同时实现对可见和近红外光的有效调制对于推动双波段探测器面向集成化和小型化的实际发展具有重要意义。据麦姆斯咨询报道,为了解决上述技术难题,中山大学电子与信息工程学院的刘飞教授与深圳大学微纳光电子学研究院的张文静教
MEMS
2024-11-07
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【车咖●书推荐】算力芯片-高性能CPU/GPU/NPU微架构分析
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智享新汽车
2024-11-05
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金球入围!禾赛·高性能远距激光雷达,第四代芯片架构/性能跃升
高工智能汽车
2024-11-01
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星曜半导体发布新一代高性能小尺寸B28F双工器,挑战技术巅峰,铸就卓越性能
在当今科技迅猛发展的时代,半导体技术作为核心驱动力之一,不断推动着各个领域的创新与进步。2024年10月30日,浙江星曜半导体有限公司重磅出击,正式推出基于 TF-SAW 工艺的新一代高性能小尺寸 Band 28F 双工器,这不仅标志着其在 TF-SAW 全频段系列产品布局上迈出了关键一步,更实现了行业尖端技术的重大突破。Band 28F 双工器在众多双工器产品中独树一帜,其相对带宽大、发射接收间
MEMS
2024-11-01
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金球入围!芯驰科技·高性能旗舰MCU,填补跨域融合国内空白
高工智能汽车
2024-10-31
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西安交大在构筑高性能气体传感器领域取得新进展
传感器技术被称为现代信息技术三大支柱之一,气体传感器作为其中重要一环,在工业气体泄露检测、新型医疗诊断、智能家居、现代农业和爆炸物检测等领域有着广阔的应用前景。设计和创制兼具高灵敏度、高选择性和高稳定性的气敏材料是制备高性能气体传感器的关键。导电金属有机框架(c-MOFs)作为一类新型的导电晶体多孔材料,具有高比表面积、可调的拓扑结构、孔径大小、形状、主客体相互作用、可调带隙和电荷传输等特性,使其
MEMS
2024-10-29
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