干法刻蚀 - 电子工程专辑

干法刻蚀

干法刻蚀与湿法刻蚀的优劣详解

在本文将简要说明湿法蚀刻和干法蚀刻每种蚀刻技术的特点和区别。在半导体制造中，在处理基板或在基板上形成的薄膜的过程中，有一种称为“蚀刻”的技术。蚀刻技术的发展对实现英特尔创始人戈登·摩尔在1965年提出的“晶体管的集成密度将在1.5到2年内翻一番”的预测（俗称“摩尔定律”）起到了推动作用。蚀刻不是像沉积或键合那样的“加”过程，而是“减”过程。另外，根据刮削方式的不同，分为两大类，分别称为“湿法蚀刻”

半导体工艺与设备 2024-03-17 1556浏览
干法刻蚀与湿法刻蚀的优劣详解

知识酷 👆显示技术 | 显示资讯 | 知识管理第1602篇推文‍在本文将简要说明湿法蚀刻和干法蚀刻每种蚀刻技术的特点和区别。在半导体制造中，在处理基板或在基板上形成的薄膜的过程中，有一种称为“蚀刻”的技术。蚀刻技术的发展对实现英特尔创始人戈登·摩尔在1965年提出的“晶体管的集成密度将在1.5到2年内翻一番”的预测（俗称“摩尔定律”）起到了推动作用。蚀刻不是像沉积或键合那样的“加”过程，而是“减”

BOE知识酷 2024-03-07 838浏览
工信部就干法刻蚀设备测试方法等行业标准公开征集意见！

工信部网站11月16日消息，工信部公开征集对《半导体设备集成电路制造用干法刻蚀设备测试方法》等196项行业标准、1项行业标准外文版和38项推荐性国家标准计划项目的意见。根据标准化工作的总体安排，工信部现将申请立项的《半导体设备集成电路制造用干法刻蚀设备测试方法》等196项行业标准、《雪莲养护贴》等1项行业标准外文版项目和《环境污染防治设备术语》等38项推荐性国家标准计划项目予以公示，截止日期为

深圳飙叔 2023-11-16 521浏览
【光电集成】什么是干法刻蚀的凹槽效应?

今日光电有人说，20世纪是电的世纪，21世纪是光的世纪；知光解电，再小的个体都可以被赋能。欢迎来到今日光电！----与智者为伍为创新赋能----来源：光刻人的世界申明：感谢原创作者的辛勤付出。本号转载的文章均会在文中注明，若遇到版权问题请联系我们处理。 ----与智者为伍为创新赋能----【说明】欢迎企业和个人洽谈合作，投稿发文。欢迎联系我们诚招运营合伙人，对新媒体感兴趣，对光

今日光电 2023-10-19 664浏览
北方华创：12英寸CCP晶边干法刻蚀设备已在客户端实现量产

第三代半导体技术与材料论坛将于2023年10月17-18日在厦门召开。会议将安排参观考察厦门三安光电与泉州工厂第六届中国半导体大硅片论坛将于11月召开，详见后文9月17日，北方华创在投资者互动平台表示，公司前期已经发布了首台国产12英寸CCP晶边干法刻蚀设备研发成功有关信息，目前已在客户端实现量产，其优秀的工艺均匀性、稳定性赢得客户高度评价。公司产品均为自主研发，拥有稳定的多元化供应链体系，可为客

半导体前沿 2023-09-18 1317浏览
综述：GaAs基VCSEL干法刻蚀技术研究

GaAs基VCSEL已广泛应用于三维成像、无人驾驶、物联网、数据通讯等领域，同时在光电对抗、激光雷达、航空航天等高精尖领域也发挥着巨大的作用和潜能。GaAs基VCSEL的刻蚀技术是制备过程中最关键的环节。刻蚀时掩膜的质量、刻蚀GaAs后的表面质量、VCSEL的台面和侧壁形貌都会直接影响器件性能。在刻蚀过程中，掩膜的好坏直接影响刻蚀的效果。VCSEL侧壁如果过于粗糙，就会影响载流子的复合效率，也会使

MEMS 2023-04-21 2255浏览
干法刻蚀与湿法刻蚀的优劣详解

在本文将简要说明湿法蚀刻和干法蚀刻每种蚀刻技术的特点和区别。在半导体制造中，在处理基板或在基板上形成的薄膜的过程中，有一种称为“蚀刻”的技术。蚀刻技术的发展对实现英特尔创始人戈登·摩尔在1965年提出的“晶体管的集成密度将在1.5到2年内翻一番”的预测（俗称“摩尔定律”）起到了推动作用。蚀刻不是像沉积或键合那样的“加”过程，而是“减”过程。另外，根据刮削方式的不同，分为两大类，分别称为“湿法蚀刻”

半导体工艺与设备 2023-02-04 2442浏览
【原创】干法刻蚀基础知识及应用

干法刻蚀基础知识及应用1 刻蚀介绍及分类1.1关于刻蚀刻蚀，是指用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程。刻蚀的基本目的，是在涂胶(或有掩膜)的硅片上正确的复制出掩膜图形。刻蚀，通常是在光刻工艺之后进行。我们通常通过刻蚀，在光刻工艺之后，将想要的图形留在硅片上。从这一角度而言，刻蚀可以被称之为最终的和最主要

半导体工艺与设备 2021-07-30 8649浏览

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自做自受评论文章 2025-01-21

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