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封装结构
半导体激光器封装形式以及封装结构
半导体激光器封装形式以及封装结构 1半导体激光器芯片激光二极管芯片是一种以半导体为介质的激光器,它由一个P-N结构成,如图 1 所示,并由电流供电。激光二极管的封装就是在一个密封封装的外壳内,将能发射相干光的半导体激光器芯片和用于对功率输出进行反馈控制的监控光电二极管芯片或者进行温度监控的温度传感器芯片或者还有用于激光准直的光学透镜进行组装和封装在一起形成一个完整的器件。图1
秦岭农民
2024-11-20
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功率器件模块封装结构演进趋势
前言作为新型功率半导体器件的主流器件,IGBT应用非常广泛,如家用电器、电动汽车、铁路、充电基础设施、充电桩,光伏、风能,工业制造、电机驱动,以及储能等领域。IGBT模块是新一代的功率半导体电子元件模块,诞生于20世纪80年代,并在90年代进行新一轮的改革升级,通过新技术的发展,现在的IGBT模块已经成为集通态压降低、开关速度快、高电压低损耗、大电流热稳定性好等等众多特点于一身,而这些技术特点正式
半导体工艺与设备
2024-09-13
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【光电集成】晶圆级封装结构的分析
今日光电 有人说,20世纪是电的世纪,21世纪是光的世纪;知光解电,再小的个体都可以被赋能。追光逐电,光赢未来...欢迎来到今日光电!----追光逐电 光赢未来----来源:学习那些事我们一起期待高研院建成落地吧申明:感谢原创作者的辛勤付出。本号转载的文章均会在文中注明,若遇到版权问题请联系我们处理。 ----与智者为伍 为创新赋能----【说明】欢迎企业和个人洽谈合作,投稿发文。欢迎联系
今日光电
2024-04-30
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穗晶光电获得MiniLED封装结构发明专利
9月13日,穗晶光电发布公告宣布,公司于近日收到由国家知识产权局颁发的一项发明专利证书,专利名称为“一种高亮度色域MiniLED封装结构”。公告显示,“一种高亮度色域MiniLED封装结构”专利授权公告号为CN114497327B,专利号为ZL202210099758.X,专利申请日为2022年1月27日,授权公告日为2023年9月8日,专利权期限二十年,自申请日起算。该发明专利提出了一种能提升M
JMInsights集摩咨询
2023-09-14
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上海技物所在深低温大功率电阻阵列封装结构研究中获进展
电阻阵列器件作为最成熟的动态红外景象生成器,因其能够在实验室中对各种红外探测系统的实时性能进行测试与评估,大幅降低外场实验成本,已获得广泛应用。为了实现红外探测器深空探测等低温背景需求的性能测试与评估,往往要求电阻阵列芯片正常工作时背景温度低于130K。针对电阻阵列器件的制冷封装,近室温器件一般采用大功率制冷机进行冷却,而深低温器件多采用集成于封装结构的液冷装置进行冷却。液冷装置冷却具有冷量大、无
MEMS
2021-11-26
1388浏览
高温高效率半导体激光器阵列封装结构研究
材料、结构及工艺 摘要:分析了热沉和陶瓷基板对背冷式封装结构半导体激光器阵列性能的影响。通过栅格化厚铜填充技术降低了复合金刚石热沉的等效电阻,并实现了热膨胀系数匹配;采用热沉和陶瓷基板嵌入焊接技术,提高了封装散热能力和稳定性。制作了间距为0.4mm的5Bar条芯片阵列样品,在70℃热沉温度、200A工作电流(占空比为1%)条件下进行性能测试,结果显示器件输出功率为1065W、
DT半导体材料
2021-07-07
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