分立器件 - 电子工程专辑

分立器件

码住|最新IGBT7系列分立器件常见问题

本文支持快捷转载英飞凌新推出的IGBT7单管系列市场热度不减，本文为大家整理针对该产品系列的常见问题，一看就懂，牢牢码住!直播回放链接获取 👇👇IGBT7都通过了哪些可靠性测试？答：IGBT不论单管和模块都需要通过多项可靠性测试以保证其长期使用稳定性，与电性能相关的主要有HTGS，HTRB，H3TRB，HV-H3TRB等。高温高湿测试H3TRB的测试条件是温度Ta=85℃,湿度RH=85%,VC

英飞凌工业半导体 2024-03-04 501浏览
收藏！IGBT7系列分立器件核心知识点最全整理！

英飞凌IGBT7单管系列，作为目前炙手可热的光储应用新星产品，正受到众多玩家的追捧。本篇文章特地为大家贴心整理该系列产品的核心知识大全，希望大家买得放心，用得顺手~更全型号选择，总有一款适合你IGBT7 S7和T7系列主要面向需要短路电流能力的应用，例如马达驱动。该系列可实现更高的功率输出以及更高的功率密度，无需重新设计散热器，缩短设计周期和降低设计成本。H7采用最新型微沟槽栅技术，通过优化元胞结

英飞凌工业半导体 2024-02-22 509浏览
新品|2000VSiC分立器件双脉冲或连续PWM评估板

新品2000V SiC分立器件双脉冲或连续PWM评估板开发EVAL-COOLSIC-2kVHCC评估板的目的是评估TO-247 PLUS-4-HCC封装的CoolSiC™ 2000V碳化硅MOSFET。评估板是精确的通用测试平台，用于评估全系列CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET分立器件和EiceDRIVER™紧凑型单通道隔离栅极驱动器1ED31xx系列。该电路板设计灵活，可在不同的

英飞凌工业半导体 2024-01-24 611浏览
BUCK电源分立器件搭建原理图实战之滞回电路

我们知道MOS管需要开通快关断快，这样才能减少损耗，那MOS管的前级驱动电路一般情况都使用三极管推挽电路实现，我们先定前级驱动电路的电源是12V，我们来看一下电路是怎么搭建的。如图一示，我们来分析一下这个电路，后面是BUCK的拓扑前面是推挽电路，12V电源经过限流电阻10K，到N管B极和P管B极，当ON时N管导通Ib=1mA左右的电流，12V电源通过10R对MOS管GS电容充电，当GS电压充到3V

电子芯期天 2023-08-31 830浏览
分立器件封装市场：464家

ittbank 2023-08-28 654浏览
客户要求OTG电路上增加500mA的限流电路，但不能采用限流IC，需要用分立器件完成

点击上方蓝字关注我们01前言之前设计的一款产品，上面有个Micro USB接口，具有OTG功能。当Micro USB接电脑时，这个产品就会默认成B设备(从设备),从设备不对外供电，而是电脑给它提供电源，并通过USB进行通信。最常见的例子就是手机通过USB线和电脑进行数据通信。当Micro USB接U盘时，这个产品就会默认成A设备(主设备), 此时外接的U盘是一个从设备，电源由这个产品提供，两者通

PCB和原理图设计与共享 2023-08-18 635浏览
用分立器件设计一个5V转3.3V的电路，你觉得对不对呢？

以前设计5V转3.3V电路时，要么就是选用DCDC电源芯片加外围电路设计，要么就是选用LDO电源芯片加外围器件设计。现在我想尝试用分立器件设计一个5V转3.3V的电路。需要用到以下关键的器件:三极管一个，选用S8050，集电极电流是500mA，放大系数50，目的是用它来设计出500mA的3.3V输出电压。S8050的规格参数如下。稳压二极管一个，选用1N4730A，3.9V的稳压。这个稳压二极管

PCB和原理图设计与共享 2023-08-17 917浏览
BUCK电源分立器件搭建原理图实战之滞回电路

我们知道MOS管需要开通快关断快，这样才能减少损耗，那MOS管的前级驱动电路一般情况都使用三极管推挽电路实现，我们先定前级驱动电路的电源是12V，我们来看一下电路是怎么搭建的。如图一示，我们来分析一下这个电路，后面是BUCK的拓扑前面是推挽电路，12V电源经过限流电阻10K，到N管B极和P管B极，当ON时N管导通Ib=1mA左右的电流，12V电源通过10R对MOS管GS电容充电，当GS电压充到3V

电子芯期天 2023-01-08 754浏览
中国大陆自有品牌分立器件封装产线名单

ittbank 2022-12-09 847浏览
功率半导体行业深度报告：八大维度解析，功率公司碳化硅IGBT分立器件哪家强？

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今日半导体 2022-10-14 1170浏览
分立器件搭建BUCK电源原理图实战之软启动Ⅱ

电容是源那是不是使用P管比较合适些，P管E极接A点，B极串联电阻到Agnd，那我们来看一下用三极管放电的电路如图一示：（▲图一）分析这个过程，接上P管后我们看这个电路有没有问题呢？是不是有一个弊端无法控制A点电压，那这个电路其实是不是射极电压跟随电路，A点电压跟随C点电压变化而变化，那是不是可以在C点做一个电阻分压，这里用P管做电容放电电路时候其实上面的二极管就可以不要了，毕竟也是成本能节约就节

凡亿PCB 2022-09-23 1761浏览
分立器件搭建BUCK电源原理图实战之软启动

我们分析到使三角波稳定输出后在让分压电阻的电压上升到输出40%占空比的位置上如图一示（▲图一）那这个需要怎么办才能实现呢？是不是需要分压电阻的电压上升斜率比分压电C39电容（三角波电容）上升斜率缓，那能控制电压上升斜率的器件是不是电容，如果我们在A比较器正端接一个电容，并用电阻对其充电如图二示，我们来分析一下。（▲图二）如图二示在A点处接一个电容，控制给电容的充电速度，使其电压上升斜率小于C39上

凡亿PCB 2022-09-20 906浏览
分立器件搭建BUCK电源原理图实战之PWM

上一篇我们已将BUCK电路中拓扑和滞回三角波电路参数确定下来了，一起看一下电路图如图一示，由于R5和C39是输出三角波的，后期调试是需要微调的所以我们这里取巧，把R5换成可调电阻，方便后期调试。（▲图一）分析思路时我们说滞回比较器输出的三角波需要再接到比较器进而形成PWM波，那我们再加一级比较器进来看一下如图二示，那三角波的输出应该接到比较器的哪一个输入端，先假设接到正输入端，那负端需要电阻分压来

凡亿PCB 2022-09-17 1623浏览
BUCK电源分立器件搭建原理图实战之滞回电路

我们知道MOS管需要开通快关断快，这样才能减少损耗，那MOS管的前级驱动电路一般情况都使用三极管推挽电路实现，我们先定前级驱动电路的电源是12V，我们来看一下电路是怎么搭建的。如图一示，我们来分析一下这个电路，后面是BUCK的拓扑前面是推挽电路，12V电源经过限流电阻10K，到N管B极和P管B极，当ON时N管导通Ib=1mA左右的电流，12V电源通过10R对MOS管GS电容充电，当GS电压充到3V

凡亿PCB 2022-09-06 887浏览
分立器件搭建BUCK电源原理图实战之三角波起源

我们确定了Buck拓扑中器件的的参数，如图一示，接下来分析一下Nmos管NO和OFF时电路的状态，当N管导通时，S端的电压为30V，而Vgs阈值电压是3V，那也就是说需要G点的电压达到33V，N管才会导通，那输入电压才是30V哪里来的33V呢，如果再做一个升压电路或者其他方式得到一个33V电压那是不是成本会升高，这不是我们追求的，所以需要另想办法来解决这个问题，来看一下N管的阈值电压是3V那也就是

凡亿PCB 2022-09-02 928浏览
IC insights：今年传感器和分立器件将会激增

本文由半导体产业纵横编译自IC insights 在2020年疫情导致全球封锁和全球经济衰退一年后，传感器、执行器和分立器件的销售在2021年大幅上升，原因是许多反弹的终端市场的需求复苏，以及零部件供不应求的大幅价格上涨。然而，由于CMOS图像传感器的增长较缓，光电子在2021年的销售增长有所放缓，部分原因是贸易摩擦。光电子、传感器/执行器和分立器件（O-S-D）

半导体产业纵横 2021-10-27 1371浏览
卓胜微：实现从射频分立器件向射频模组的跨越

据麦姆斯咨询报道，近日，江苏卓胜微电子股份有限公司（以下简称：卓胜微或公司）举行投资者关系活动，公司董事长、总经理许志翰，董事会秘书刘丽琼参加接待和交流。一、简要介绍卓胜微2021年上半年经营业绩情况2021年上半年公司实现营业收入23.59亿元，同比增长136.48%。归属于母公司股东的净利润为10.14亿元，同比增长187.37%，经营业绩情况符合公司的预期。一方面，5G通信技术的发展带动了射

MEMS 2021-08-29 2309浏览
PCIM展台预览 | 英飞凌推出全新650V CoolSiC™ Hybrid IGBT分立器件系列，提供优异效率

9月9-11日，英飞凌将隆重亮相PCIM Asia深圳展会，通过四大展示空间“工业与能源”、“电动车辆”、“高能效智能家居”和“数字岛”向来访者展示了英飞凌在技术和产品上的成果，用全新的形式与业内人士交流互动产品和应用技术。近日，英飞凌科技股份有限公司(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)推出650V CoolSiC™ Hybrid IGBT单管产品组合，具有650V阻断电压。新款CoolSi

英飞凌工业半导体 2021-08-06 2127浏览
SiC将会是分立器件和模块共存的市场

随着半导体材料步入第三代半导体时代，行业巨头在SiC/GaN器件和模块上早已布局多年。事实上，从特性上来讲，SiC和GaN的优势是互补的，应用覆盖了电动汽车（EV）、新能源、光伏逆变器、智能电器、医疗、通信射频。不过从细微差别来说，GaN（氮化镓）晶体管适合于高效率、高频率、高功率密度要求的应用场合；碳化硅（SiC）由于热导率是GaN的三倍以上，因此在高温应用领域具有优势，因此多用于120

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来源：OFweek电子工程集成电路是20世纪50年代后期一60年代发展起来的一种新型半导体器件。它是经过氧化、光刻、扩散、外延、蒸铝等半导体制造工艺，把构成具有一定功能的电路所需的半导体、电阻、电容等元件及它们之间的连接导线全部集成在一小块硅片上，然后焊接封装在一个管壳内的电子器件。集成电路，又称为IC，按其功能、结构的不同，可以分为模拟集成电路、数字集成电路和数／模混合集成电路三大类。模拟集成电

传感器技术 2019-06-26 6028浏览

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