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仿真看世界
仿真看世界之SiC单管并联中的寄生导通问题
这篇微信文章,其实构思已久。为了有所铺垫,已在2020和2021发布了两篇基础篇:2020《仿真看世界之SiC单管的寄生导通现象》2021《仿真看世界之SiC MOSFET单管并联均流特性》2022,让我们再次聊聊在SiC单管并联中的寄生导通问题。特别提醒:仿真只是工具,仿真无法替代实验,仿真只供参考。在展开仿真的宏大序章之前,我们不妨先回顾之前的一些小结论:2020《仿真看世界之SiC单管的寄生
英飞凌工业半导体
2022-06-21
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仿真看世界之650V混合SiC单管的开关特性(勘误版)
Infineon 前言背景: 英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管,取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管,配合650V/TS5
英飞凌工业半导体
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仿真看世界之650V混合SiC单管的开关特性
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英飞凌工业半导体
2021-03-24
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仿真看世界之SiC MOSFET单管的并联均流特性
精彩活动 3月11日周四晚5点(北京时间),英飞凌将于线上举办“工业宽禁带半导体开发者论坛”。活动将持续近6个小时,由英飞
英飞凌工业半导体
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