发射极 - 电子工程专辑

发射极

NPN三极管发射极电压高于集电极电压，三极管能导通吗？回答正确的人寥寥无几-电路易错题

▼关注微信公众号：硬件那点事儿▼Part 01前言上一篇文章我们讨论了“NPN三极管基极电压等于或高于集电极电压，三极管能导通吗”这个问题，从上一篇文章中我们得出来一个结论那就是三极管的导通看基极电压和发射极电压的关系，而基极电压和集电极电压之间的关系影响的是三极管工作在饱和区还是放大区。并且上一篇文章我们遗留了一个问题就是下面的电路三极管工作在饱和区还是放大区，大家在评论区讨论的很热烈，这里放上

硬件那点事儿 2024-12-21 254浏览
学习如何使用650V和1200V发射极控制二极管EC7单管

英飞凌新一代EC7发射极控制系列二极管具有高速和反向软恢复特性，该二极管系列有两种电压等级：650V和1200V。650V二极管的电流范围为20-150A，1200V二极管的电流范围为30-140A。大电流等级器件的分立封装器件，这是市场上独一无二的。这一技术的创新有助于设计出更紧凑、更节能、元件数量更少的高功率系统，实现更高功率密度。了解EC7发射极控制系列二极管的详细性能，请点击下面视频：▲点

英飞凌工业半导体 2024-06-06 491浏览
独家揭秘：三极管电路基极和发射极为什么需要并联电容？容值如何计算？

▼关注微信公众号：硬件那点事儿▼Part 01前言三极管在电路中比较多的一种用法就是用作开关，当三极管用作开关时，它在饱和区和截止区之间切换，先简单介绍一下三极管用作开关的基本工作原理吧：开关导通：为了让三极管进入饱和区，基极需要足够大的电流I_B，使得集电极电流I_C达到其最大值。在饱和区，V_CE很小（典型值在0.1V到0.3V之间），表示三极管完全导通。三极管的状态类似于一个闭合的开关，允许

硬件那点事儿 2024-05-24 3395浏览
三极管电路基极和发射极会并联一个电阻，原因何在？这里总结了五大原因

▼关注微信公众号：硬件那点事儿▼Part 01前言三极管一般用于组成开关电路或者放大电路，但是无论是哪种电路，我们会发现三极管的基极和发射极都会并联一个电阻，那么这个电阻有什么用呢？深入剖析后，发现这个电阻作用很大，比如稳定偏置点、防止自激振荡、改善开关性能、防止误导通、作为偏置网络的一部分。接下来就这五个原因详细解释一下。Part 02五大原因1. 稳定偏置点比如在放大电路中，温度变化会影响三极

硬件那点事儿 2024-05-22 2108浏览
三极管集电极和发射极的耐压参数：Vceo，Vces，Vcev，电路选型到底关注哪个参数？

▼关注微信公众号：硬件那点事儿▼Part 01前言我们在进行三极管选型时，需要关注的一个重要参数就是三极管的集电极和发射极的耐压，关于三极管的耐压值，有如下三个参数都与之有关：Vceo,Vces,Vcev，那么问题来了，Vceo,Vces,Vcev有什么区别？哪个参数才是我们需要关注的呢？Part 02Vceo，Vces，Vcev1. VceoVceo的英文全称是Collector-Emitter

硬件那点事儿 2024-05-20 2970浏览
新品|1200V30-140ATO247-2封装软特性发射极控制高速二极管EC7

回答问题，即有机会获取评估板~详情请点击👇《如何更好的驱动SiC MOSFET？——试用X3系列加强型半桥驱动评估板》活动截止到周三（5月15日）18:00快来参加吧~新品1200V 30-140A TO247-2封装软特性发射极控制高速二极管EC71200V发射极控制二极管EC7具有软恢复和超快恢复特性，可提高工业和家用电器、太阳能MPPT升压和电动汽车充电电路中维也纳整流器拓扑结构的可靠性。此

英飞凌工业半导体 2024-05-14 566浏览
发射极补偿对VS变化的稳定性改善，和自偏置电路的介绍

图说硬件 2024-04-13 611浏览
带有发射级补偿电阻的共射极电路的输入输出电阻和带发射极补偿电阻的电流源

图说硬件 2024-04-06 449浏览
新品|650V20-150A软特性发射极控制高速二极管EC7

新品650V 20-150A软特性发射极控制高速二极管EC7650V软特性发射极控制高速二极管EC7，采用TO247-2，2引脚封装，增加了安规距离，可靠性更高，适用于组串和微型光伏逆变器、不间断电源，住宅空调和逆变焊机等应用。产品型号：▪️ IDWD20E65E7▪️ IDWD30E65E7▪️ IDWD40E65E7▪️ IDWD50E65E7▪️ IDWD60E65E7▪️ IDWD75E6

英飞凌工业半导体 2024-01-26 516浏览
新品|TRENCHSTOP™IGBT7450A1200V62mm封装共发射极模块

新品TRENCHSTOP™ IGBT7 450A 1200V 62mm封装共发射极模块62mm 450A 1200V共发射极IGBT模块，采用TRENCHSTOP™ IGBT7和发射极控制EmCon二极管。62mm是带铜基板的模块，螺母端子安装，支持并联，实现三电平拓扑和作为固态开关。这些62毫米模块是各种工业应用的完美选择，额定功率大于100kW，并联运行时功率可达兆瓦级。相关产品：FF450R

英飞凌工业半导体 2023-11-09 543浏览
共发射极放大器的主要特性

关注 ▲射频美学▲ ，一起学习成长这是射频美学的第1072期分享。来源 | 原创；微圈 | 进微信群,加微信: RFtogether521；备注：昵称+地域+产品及岗位方向（如大魔王+上海+芯片射频工程师）；宗旨 | 看到的未必是你的，掌握底层逻辑才是。本章主要讲解一下共发射极放大器的主要特性。共发射极放大器的主要电路图如下：01 共发射极放大器的放大能力共发射极具有信号电流和电压的放大能力。（1

射频美学 2022-10-31 946浏览
共发射极放大电路分析

一、共发射极组态基本放大电路的组成共射组态基本放大电路如图所示。共射组态交流基本放大电路(1) 基本组成三极管T--起放大作用。负载电阻RC，RL--将变化的集电极电流转换为电压输出。偏置电路UCC(Vcc)，RB--使三极管工作在线性区。耦合电容C1，C2—起隔直作用，输入电容C1保证信号加到发射结，不影响发射结偏置。输出电容C2保证信号输送到负载，不影响集电结偏置。(2) 静态和动态静态—ui

面包板社区 2021-07-05 3546浏览
IGBT发射极孔对偏的影响—第二种情况

(1)IGBT结构（2）contact和trench etch对偏结构 2.1 对偏和对准情况下转移特性对比 2.2 对偏和对准情况下输出IV对比 #################################################### 在阈值电压测试条件（IC=150m

半导体技术人 2021-04-20 1220浏览
IGBT 发射极孔对偏的影响

(1)IGBT结构（2）contact和trench etch对偏结构 2.1 对偏和对准情况下转移特性对比（与当前一次流片实验结果不符合，原因以后会给出）对偏：对准： 2.2 对偏和对准情况下输出IV对比 #################################################### &

半导体技术人 2021-04-19 1193浏览

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一般喜欢标榜“打破垄断”“国x领先”的都死的比较快。嘴比手厉害

56089689_... 评论文章 2025-01-07

砺芯慧感：量产薄膜铂电阻传感器，打破国外30年垄断
我这，原先V10.5跑的好好的代码，更新V11后，单片机初始化时就不断重启

vaov_3734... 评论文章 2025-01-06

FreeRTOSV11.0升级了多项重要功能，兼容V10版本

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