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二极管阵列
用于近红外成像的量子点光电二极管阵列,具有全局快门和电荷合并功能
在近红外(NIR)和短波红外(SWIR)波段,传统的硅基图像传感器灵敏度表现欠佳,而诸如深度测量和多光谱成像等新应用对在该波段高效传感的图像传感器的需求极为迫切。胶体量子点(CQD)技术凭借其在激子峰处具有高量子效率且支持高分辨率成像的特性,成为应对这些新应用需求的极具潜力的候选方案。据麦姆斯咨询报道,近日,意法半导体(STMicroelectronics)与法国图卢兹大学(University
MEMS
2025-01-23
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单片集成的短波红外光电二极管阵列
短波红外(SWIR)成像技术在多个领域具有重要应用,但目前使用的半导体材料如锗(Ge)、铟镓砷(InGaAs)和汞镉碲(HgCdTe)等存在成本高和集成难度大的问题。碲硒合金(TeₓSe₁₋ₓ)作为一种新型红外材料,因其简单的元素组成、可调的带隙、低毒性和低熔点,显示出与硅基读出集成电路(ROIC)单片集成的潜力。TeₓSe₁₋ₓ具有独特的一维晶体结构,能够减少悬挂键缺陷,从而提高光电探测器的性能
MEMS
2024-10-19
408浏览
柔性胶体量子点光电二极管阵列,实现像素级X射线到近红外波段的图像融合
将来自多光谱图像的信息组合成融合图像,不仅可以提供丰富的信息,而且有助于人类或机器感知。目前主要的解决方案是使用多种不同响应波段的光电探测器,但这需要利用复杂的算法和系统来解决像素与位置的失配问题。一个理想的解决方案是像素级多光谱图像融合,这项技术利用了相同光电探测器的多光谱图像,从而避免了失配问题。据麦姆斯咨询报道,近日,华中科技大学武汉光电国家研究中心的科研团队在Nature Communic
MEMS
2023-10-08
982浏览
综述:基于单光子雪崩二极管阵列的成像技术研究进展
单光子雪崩二极管以其极高的光子灵敏度以及超快的响应时间在各领域被广泛应用。随着半导体技术的发展,集成多个像素以及时间测量电路的单光子雪崩二极管阵列逐渐普及。成像是一种以光子作为媒介获取目标物体信息的手段,基于单光子雪崩二极管的成像系统可以利用更丰富的光子计数以及光子时间信息实现极端环境下的目标探测。单光子雪崩二极管阵列具备并行采集光子信息的能力,进一步提高了光子信息的探测效率,能够替代传统单光子成
MEMS
2023-06-15
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