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电流驱动
技术|基于可变电流驱动的SiCMOSFET开关轨迹优化方法
前言:碳化硅 (SiC) MOSFET 性能优于传统硅 (Si) MOSFET,具有开关速度更快、导通电阻更低、击穿电压更高、工作温度耐受性更强等特点。这些特性使得 SiC MOSFET 非常适合电动汽车、充电站和移动设备中的应用。然而,其快速的开关速度会加剧器件开关过程中的电流和电压过冲和振荡,导致器件损耗增加或潜在损坏。为了解决这个问题,本文提出了一种电流型有源栅极驱动 (AGD) 电路。该电
碳化硅芯观察
2024-08-01
428浏览
详解电流驱动电流检测电路
在此介绍的基于运放的电流检测电路并不新鲜,它的应用已有些时日,但很少有关于电路本身的讨论。在相关应用中它被非正式地命名为“电流驱动”电路,所以我们现在也这样说。让我们首先探究其基本概念,它是一个运算放大器和MOSFET电流源(注意,如果您不介意基极电流会导致1%左右的误差,也可以使用双极晶体管)。图1A显示了一个基本的运算放大器电流源电路。把它垂直翻转,这样我们可在图1B中做高边电流检测,在图1C
贸泽电子设计圈
2019-05-08
2365浏览
详解电流驱动电流检测电路
点击“安森美半导体”,关注我们在此介绍的基于运放的电流检测电路并不新鲜,它的应用已有些时日,但很少有关于电路本身的讨论。在相关应用中它被非正式地命名为“电流驱动”电路,所以我们现在也这样说。让我们首先探究其基本概念,它是一个运算放大器和MOSFET电流源(注意,如果您不介意基极电流会导致1%左右的误差,也可以使用双极晶体管) 。图1A显示了一个基本的运算放大器电流源电路。把它垂直翻转,这样我们可在
安森美半导体
2019-04-28
4554浏览
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james1982...
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