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等离子体
下午2点见!通快霍廷格电子等离子体电源解决方案大揭秘
在半导体制造流程中,有一种极其重要的设备,这就是等离子体电源,它是半导体制造中不可或缺的核心设备,广泛应用于刻蚀、薄膜沉积、离子注入和清洗等关键工艺。其性能直接影响半导体制造的质量、效率和先进性。随着半导体技术的不断发展,等离子体电源的重要性将进一步凸显,其技术创新也将成为推动半导体行业进步的关键因素。 例如,等离子体刻蚀是半导体制造中最关键的工艺之一,用于将掩膜图形精确地转移到硅片表面。等离子体
FPGA开发圈
2025-03-26
274浏览
【直播预约】通快霍廷格电子等离子体电源解决方案大揭秘
在半导体制造流程中,有一种极其重要的设备,这就是等离子体电源,它是半导体制造中不可或缺的核心设备,广泛应用于刻蚀、薄膜沉积、离子注入和清洗等关键工艺。其性能直接影响半导体制造的质量、效率和先进性。随着半导体技术的不断发展,等离子体电源的重要性将进一步凸显,其技术创新也将成为推动半导体行业进步的关键因素。 例如,等离子体刻蚀是半导体制造中最关键的工艺之一,用于将掩膜图形精确地转移到硅片表面。等离子体
FPGA开发圈
2025-03-25
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【直播预约】通快霍廷格电子等离子体电源解决方案大揭秘
在半导体制造流程中,有一种极其重要的设备,这就是等离子体电源,它是半导体制造中不可或缺的核心设备,广泛应用于刻蚀、薄膜沉积、离子注入和清洗等关键工艺。其性能直接影响半导体制造的质量、效率和先进性。随着半导体技术的不断发展,等离子体电源的重要性将进一步凸显,其技术创新也将成为推动半导体行业进步的关键因素。 例如,等离子体刻蚀是半导体制造中最关键的工艺之一,用于将掩膜图形精确地转移到硅片表面。等离子体
FPGA开发圈
2025-03-24
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【直播预约】通快霍廷格电子等离子体电源解决方案大揭秘
在半导体制造流程中,有一种极其重要的设备,这就是等离子体电源,它是半导体制造中不可或缺的核心设备,广泛应用于刻蚀、薄膜沉积、离子注入和清洗等关键工艺。其性能直接影响半导体制造的质量、效率和先进性。随着半导体技术的不断发展,等离子体电源的重要性将进一步凸显,其技术创新也将成为推动半导体行业进步的关键因素。 例如,等离子体刻蚀是半导体制造中最关键的工艺之一,用于将掩膜图形精确地转移到硅片表面。等离子体
FPGA开发圈
2025-03-22
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在半导体制造流程中,有一种极其重要的设备,这就是等离子体电源,它是半导体制造中不可或缺的核心设备,广泛应用于刻蚀、薄膜沉积、离子注入和清洗等关键工艺。其性能直接影响半导体制造的质量、效率和先进性。随着半导体技术的不断发展,等离子体电源的重要性将进一步凸显,其技术创新也将成为推动半导体行业进步的关键因素。 例如,等离子体刻蚀是半导体制造中最关键的工艺之一,用于将掩膜图形精确地转移到硅片表面。等离子体
FPGA开发圈
2025-03-21
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【直播预约】通快霍廷格电子等离子体电源解决方案大揭秘
在半导体制造流程中,有一种极其重要的设备,这就是等离子体电源,它是半导体制造中不可或缺的核心设备,广泛应用于刻蚀、薄膜沉积、离子注入和清洗等关键工艺。其性能直接影响半导体制造的质量、效率和先进性。随着半导体技术的不断发展,等离子体电源的重要性将进一步凸显,其技术创新也将成为推动半导体行业进步的关键因素。 例如,等离子体刻蚀是半导体制造中最关键的工艺之一,用于将掩膜图形精确地转移到硅片表面。等离子体
FPGA开发圈
2025-03-20
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【直播预约】通快霍廷格电子等离子体电源解决方案大揭秘
在半导体制造流程中,有一种极其重要的设备,这就是等离子体电源,它是半导体制造中不可或缺的核心设备,广泛应用于刻蚀、薄膜沉积、离子注入和清洗等关键工艺。其性能直接影响半导体制造的质量、效率和先进性。随着半导体技术的不断发展,等离子体电源的重要性将进一步凸显,其技术创新也将成为推动半导体行业进步的关键因素。 例如,等离子体刻蚀是半导体制造中最关键的工艺之一,用于将掩膜图形精确地转移到硅片表面。等离子体
FPGA开发圈
2025-03-19
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【直播预约】通快霍廷格电子等离子体电源解决方案大揭秘
在半导体制造流程中,有一种极其重要的设备,这就是等离子体电源,它是半导体制造中不可或缺的核心设备,广泛应用于刻蚀、薄膜沉积、离子注入和清洗等关键工艺。其性能直接影响半导体制造的质量、效率和先进性。随着半导体技术的不断发展,等离子体电源的重要性将进一步凸显,其技术创新也将成为推动半导体行业进步的关键因素。 例如,等离子体刻蚀是半导体制造中最关键的工艺之一,用于将掩膜图形精确地转移到硅片表面。等离子体
FPGA开发圈
2025-03-18
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【直播预约】通快霍廷格电子等离子体电源解决方案大揭秘
在半导体制造流程中,有一种极其重要的设备,这就是等离子体电源,它是半导体制造中不可或缺的核心设备,广泛应用于刻蚀、薄膜沉积、离子注入和清洗等关键工艺。其性能直接影响半导体制造的质量、效率和先进性。随着半导体技术的不断发展,等离子体电源的重要性将进一步凸显,其技术创新也将成为推动半导体行业进步的关键因素。 例如,等离子体刻蚀是半导体制造中最关键的工艺之一,用于将掩膜图形精确地转移到硅片表面。等离子体
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2025-03-17
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在半导体制造流程中,有一种极其重要的设备,这就是等离子体电源,它是半导体制造中不可或缺的核心设备,广泛应用于刻蚀、薄膜沉积、离子注入和清洗等关键工艺。其性能直接影响半导体制造的质量、效率和先进性。随着半导体技术的不断发展,等离子体电源的重要性将进一步凸显,其技术创新也将成为推动半导体行业进步的关键因素。 例如,等离子体刻蚀是半导体制造中最关键的工艺之一,用于将掩膜图形精确地转移到硅片表面。等离子体
FPGA开发圈
2025-03-15
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【直播预约】通快霍廷格电子等离子体电源解决方案大揭秘
在半导体制造流程中,有一种极其重要的设备,这就是等离子体电源,它是半导体制造中不可或缺的核心设备,广泛应用于刻蚀、薄膜沉积、离子注入和清洗等关键工艺。其性能直接影响半导体制造的质量、效率和先进性。随着半导体技术的不断发展,等离子体电源的重要性将进一步凸显,其技术创新也将成为推动半导体行业进步的关键因素。 例如,等离子体刻蚀是半导体制造中最关键的工艺之一,用于将掩膜图形精确地转移到硅片表面。等离子体
FPGA开发圈
2025-03-14
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电可编程等离子体超构表面,实现像素化相干中红外热辐射调控
近年来,有源超构表面(Metasurfaces)作为一种紧凑、轻便、高效的调控平台出现,已成为电磁场和光学响应动态调控的关键技术。然而,由于材料的稀缺性和设计复杂性,有源超构表面后道制造(post-fabrication)可调性相关的复杂性严重限制了其广泛应用,尤其是在中红外波段。据麦姆斯咨询报道,近日,由美国卡内基梅隆大学(Carnegie Mellon University)、麻省理工学院(M
MEMS
2025-02-28
255浏览
电可编程等离子体超构表面,实现像素化相干中红外热辐射调控
近年来,有源超构表面(Metasurfaces)作为一种紧凑、轻便、高效的调控平台出现,已成为电磁场和光学响应动态调控的关键技术。然而,由于材料的稀缺性和设计复杂性,有源超构表面后道制造(post-fabrication)可调性相关的复杂性严重限制了其广泛应用,尤其是在中红外波段。据麦姆斯咨询报道,近日,由美国卡内基梅隆大学(Carnegie Mellon University)、麻省理工学院(M
MEMS
2025-02-28
184浏览
1分钟640纳米!等离子体让3D闪存原地起飞
3D NAND闪存的设计和制造非常依赖存储单元堆叠,由此可以大幅增加存储密度与容量,降低成本。最近,来自Lam Research、科罗拉多大学博尔德分校、美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室(PPPL)的众多科学家联合设计了一种新的蚀刻工艺。该方法使用氟化氢等离子体,将硅材料垂直通道的蚀刻效率提高了一倍,只需1分钟即可蚀刻640纳米。其中的关键是在氧化硅和氮化硅交替层上刻孔,并将分层材料暴露在等离
文Q聊硬件
2025-02-05
234浏览
基于全硅等离子体超构表面的热电子探测器,可实现近红外偏振探测
红外偏振探测与成像具有增强成像对比度、检测噪声背景中的微弱信号和提升信号测量的信噪比等优势。基于等离子体热电子(plasmon hot electron)产生光发射效应,全硅探测器可在室温下近红外(NIR)波段实现偏振敏感的光电探测。据麦姆斯咨询报道,由复旦大学与中国科学院上海技术物理研究所组成的研究团队提出一种采用硅基结合超构表面材料研发的近红外偏振探测器,更能够实现室温工作、与硅基读出线路/存
MEMS
2024-11-21
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革新金刚石生长:液态微波等离子体技术助力N型掺磷多晶金刚石生长
金刚石具有许多优异的性能,例如最高的硬度、高导热性和耐磨性。虽然纯金刚石是一种绝缘材料,但其导电性可以通过掺杂杂质来控制。硼掺杂表现出P型(受体水平:0.37eV)特性,而磷掺杂表现出N型(供体水平:0.57eV)特性。这些掺杂金刚石具有宽带隙和高介电击穿电压,使其在电子设备应用中得到了广泛的研究。化学气相沉积(CVD)是将杂质掺杂到金刚石晶格中最有前途的技术。事实上,P型掺硼金刚石(BDD)已经
DT半导体材料
2024-10-28
383浏览
基于非均匀等离子体超构表面的超快近红外热释电探测器
热释电(PE)探测技术因其无需制冷、无偏压和宽带特性而引起了广泛关注。然而,热释电信号是由光、热到电的连续能量转换过程产生的,响应速度通常很慢。据麦姆斯咨询报道,近日,苏州大学、浙江大学、国防科技大学、中国科学院苏州生物医学工程技术研究所等机构的研究人员组成的团队设计并制造了一种热释电探测器,通过与非均匀等离子体超构表面(Metasurface)相结合,该探测器在近红外(NIR)波段显示出极快的响
MEMS
2024-09-29
543浏览
基于腔反射增强的微流控纳米等离子体传感器,用于超灵敏分子相互作用分析
分子相互作用的研究对于新药开发和疾病治疗具有重要意义。近日,华中科技大学生命科学与技术学院刘钢教授、胡文君教授团队联合量准公司黄丽萍博士团队以及中国药科大学孙春萌教授团队,在 Chemical Engineering Journal 期刊发表了题为“A Miniaturized Microfluidic Nanoplasmonic Sensor with Cavity Reflection Enh
MEMS
2024-09-26
569浏览
美国加州大学:使用高效纳米聚焦装置增强氮空位纳米金刚石的等离子体捕获和荧光发射
金刚石 NV色心,因其卓越的量子效率、精确控制等优势,已成为推动量子信息和成像技术发展的关键组成部分。目前的研究主要集中在将荧光纳米金刚石FNDs与等离子体结构结合,以利用表面等离子体激元(SPPs)的增强效应,从而提升光吸收、发射速率和收集效率。为了实现这种集成,研究人员采用了多种技术,包括自组装、电子束双图案曝光、原子力显微镜以及纳米腔内的光学捕获。近日,加州大学河滨分校的研究人员利用等离子体
DT半导体材料
2024-09-10
514浏览
基于微流控的等离子体微针生物传感器,实现尿酸的超高灵敏度监测
尿酸(UA)是慢性肾病、痛风、心血管疾病和糖尿病的潜在危险因素。通过定期测量体内尿酸水平来评估个人健康至关重要。然而,侵入式尿酸分析需要笨重的实验室设备、较高的成本、复杂的样品前处理以及专业的操作人员。最近,可穿戴生物传感器已被用于通过无创或微创方法检测生物流体(例如汗液、眼泪、唾液和间质液)中生物标志物的水平。基于微针贴片的可穿戴生物传感器已与电化学和光学方法相结合,能够监测间质液(ISF)中的
MEMS
2024-06-29
742浏览
利用等离子体微腔,打造偏振不敏感的近红外光电探测器
近红外光电探测器常被应用在目标探测、夜视、安全检查、环境监测、视频和生物医学成像等领域。GaAs半导体材料因其具有直接带隙、较高电子迁移率、耐高温、低功率、从紫外到近红外的宽吸收光谱等优点,广泛应用于光探测领域。然而,受限于半导体材料本身的吸收特性,光电探测器响应度受到限制。利用等离子体结构可以有效增强光电探测器的光吸收率与局部电场,从而提高光电转换效率。但由于使用了基于叉指和光栅结构的等离子体电
MEMS
2024-02-03
870浏览
基于MXene材料增强的等离子体共振生物传感器,用于无标记miRNA检测
近日,中国科学院深圳先进技术研究院生物医学与健康工程研究所研究员杨慧团队,在《纳米光子学》(Nanophotonics)上,发表了题为Ultrasensitive label-free miRNA-21 detection based on MXene-enhanced plasmonic lateral displacement measurement的研究成果。该团队提出了一种基于MXene材
MEMS
2023-10-30
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【Carbontech展商推荐】深圳优普莱等离子体技术有限公司
11月1日-11月3日第七届国际碳材料大会暨产业展览会深圳优普莱等离子体技术有限公司展位号:T03201企业简介深圳优普莱等离子体技术有限公司 是一家专注于微波等离子体应用技术研究开发和相关设备、产品的生产制造,致力于微波等离子应用技术的产业化。优普莱由长期从事微波等离子体应用技术的研究开发、多次参与国家重大科学工程研究的专家和海归技术团队于2016年联合创办,公司拥有一支经验丰富的融合了微波和等
DT半导体材料
2023-10-25
733浏览
利用耦合等离子体的微腔Fano共振,实现硅基中红外片上气体传感器
中红外光谱传感对于不同气体的检测和监测是非常理想的。然而,研究人员期望探索耦合谐振器在中红外传感中的作用,这有望提高这种传感器的性能。据麦姆斯咨询报道,近日,美国大学开罗分校(The American University in Cairo)的科研团队在Scientific Reports期刊发表了以“Silicon-based mid infrared on-chip gas sensor us
MEMS
2023-08-06
1043浏览
人工智能耦合等离子体红外超构表面传感器,赋能神经退行性疾病诊断
由于缺乏检测临床前期生物标志物的工具,包括帕金森综合征(PD)和阿尔茨海默症在内的神经退行性疾病(NDD)的诊断颇具挑战性。蛋白质错误折叠成寡聚体和纤维状聚集体在NDD的发生和进展中起着重要作用,因此基于结构生物标志物诊断的必要性尤为凸显。红外(IR)光谱被认为是一种很有前途的NDD诊断方法,这是由于该方法可以通过无标记且非侵入性的方式提供化学特异性和结构敏感检测。表面增强红外吸收(SEIRA)光
MEMS
2023-07-25
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