导通电阻 - 电子工程专辑

导通电阻

沟槽栅CoolSiC™MOSFET如何平衡导通电阻与可靠性

SiC MOSFET有两种主流技术路线：平面栅和沟槽栅。尽管平面栅更容易实现，英飞凌还是从一开始就选择了需要更高深工艺知识的沟槽栅。一个重要原因是垂直式SiC-SiO2界面缺陷率更低，沟道电阻小，较低栅氧的电场下运行沟槽型器件，仍能得到非常好的性能和较好的氧化层可靠性。更多信息，请点击以下视频。▲点击上方视频，即可播放观看参考阅读英飞凌碳化硅可靠性介绍SiC MOSFET真的有必要使用沟槽栅吗增强

英飞凌工业半导体 2024-04-22 580浏览
EPC宣布推出首款具有1mΩ导通电阻的GaNFET

2月27日，EPC推出采用紧凑型3 mm x 5 mm QFN封装的 100 V、1mΩ EPC2361 GaN FET，为DC-DC转换、快速充电、电机驱动和太阳能MPPT提供更高的功率密度。EPC称，这是市场上导通电阻最低的GaN FET，与EPC的上一代产品相比，功率密度提高了一倍。EPC2361具有典型的RDS（开）仅为1mΩ，采用耐热增强型QFN封装，顶部裸露，尺寸小巧，为3 mm x

化合物半导体市场 2024-02-28 579浏览
为什么PMOS导通电阻大？

关注+星标公众号，不错过精彩内容！1、不知道有没有朋友发现PMOS比NMOS导通电阻大？如下面这两个型号：1）SI2301DS/PMOS/SOT-232）SI2302DS/NMOS/SOT-23这两个型号制作工艺差不多，但是明显NMOS比PMOS导通电阻小，导通电阻小流过相同电流时发热量小，因此NMOS最大电流比PMOS要大一些，见上图。那么为什么NMOS的导通电阻小呢？下面详细介绍一下。2

单机片 2023-03-28 2448浏览
【电子小科普】什么是导通电阻？

何谓导通电阻？MOSFET工作（启动）时，漏极和源极间的阻值称为导通电阻（RDS(ON)）。数值越小，工作时的损耗（功率损耗）越小。关于导通电阻的电气特性晶体管的消耗功率用集电极饱和电压（VCE(sat)）乘以集电极电流（IC）表示。（集电极损耗PC））＝（集电极饱和电压VCE(sat) ）x（集电极电流IC）MOSFET的消耗功率是用漏极源极间导通电阻（RDS(ON)）计算。

面包板社区 2021-08-16 5371浏览
关于MOS管的导通电阻你知道多少？

这些小字是用来申请原创的，跟正文内容是一样的，你可以忽略不看直接点转发分享和点“在看”就好了。N沟道增强型的MOS是当UGS大于一定值时就会导通，P沟道增强型的MOS是当UGS小于一定值时就会导通。即使MOS管完全导通后，也是有导通电阻存在的，RDS(ON)是指当UGS=10V时，D、S两极之间的导通电阻。导通电阻RDS(ON)的大小并不是一个固定值，它跟温度有关，温度越高，RDS(ON)就越大。

电子电路 2020-04-21 21457浏览

正在努力加载更多...

广告

今日新闻

热门文章排行

广告

最新评论更多>>

一般喜欢标榜“打破垄断”“国x领先”的都死的比较快。嘴比手厉害

56089689_... 评论文章 2025-01-07

砺芯慧感：量产薄膜铂电阻传感器，打破国外30年垄断
我这，原先V10.5跑的好好的代码，更新V11后，单片机初始化时就不断重启

vaov_3734... 评论文章 2025-01-06

FreeRTOSV11.0升级了多项重要功能，兼容V10版本

资料

文库

帖子

博文

在线研讨会

EE直播间

第三代功率半导体器件测试解决方案直播时间：03月06日 10:00

E聘热招职位