氮化镓芯片 - 电子工程专辑

氮化镓芯片

这家晶圆厂获18亿投资，将生产氮化镓芯片

插播：英诺赛科、能华半导体、致能半导体、京东方华灿光电、镓奥科技等已确认参编《2024-2025氮化镓（GaN）产业调研白皮书》，参编咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。4月6日，据外媒“the telegraph”报道，英国国防部长约翰·希利 (John Healey) 将向英国一家国有芯片工厂投资2亿英镑（约人民币18.89亿），用于对晶圆厂进行升级，以生产制造氮化镓芯片。根据报

第三代半导体风向 2025-04-07 169浏览
带恒功率、底部无PAD的氮化镓芯片U872XAHS系列

带恒功率、底部无PAD的氮化镓芯片U872XAHS系列YLB带恒功率、底部无PAD的氮化镓芯片U872XAHS系列型号分别为U8722AHS、U8723AHS、U8724AHS。耐压700V，内阻1.0--1.2R。封装类型ASOP-7-T4，具体脚位如下：1 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚2 FB I 系统反馈输入管脚3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能力分档判

开关电源芯片 2025-01-06 303浏览
有奖电源小课堂|第三代半导体材料及PI1250V高压氮化镓芯片详解

▲ 点击上方蓝字关注我们，不错过任何一篇干货文章！硅材料一直是半导体器件中最主要的材料基础，但正在逐渐达到其物理极限。在某些领域限制了配备硅功率组件的设备的紧凑程度，在非常高的电压、温度和开关频率下，GaN与硅相比具有更优越的性能，而全球领先的电源管理元件和方案的供应商PI公司推出高压GaN器件更适用于工业和家电类的应用需求，有助于实现高紧凑度的反激式电源设计。本视频简要介绍第三代半导体材料以及P

电子工程世界 2024-09-04 585浏览
650V氮化镓芯片U8722AH推荐输出功率20W

650V氮化镓芯片U8722AH推荐输出功率20WYLB针对宽输出电压应用场合，为了满足VDD的宽电压应用需求，往往需要添加额外的电路或者辅助绕组，导致系统功耗和电路成本的增加。氮化镓芯片U8722AH集成了Boost供电技术，仅在SW管脚添加一颗贴片电感即可，在输出电压较低时，Boost电路启动工作，维持VDD电压在VBOOST_REG (典型值10V/10.2V)，当输出电压升高，辅助绕组电压

开关电源芯片 2024-05-30 1028浏览
德州仪器：更便宜的氮化镓芯片

芝能智芯出品德州仪器正在将其多个工厂的氮化镓（GaN）芯片生产从6英寸晶圆转换为8英寸晶圆。模拟芯片公司正在为达拉斯和日本会津的8英寸晶圆准备设备，这将使其能够提供更具价格竞争力的氮化镓芯片。自2022年以来，人们普遍认为氮化镓芯片比碳化硅（SiC）芯片更昂贵，但这一情况已经发生了逆转。Part 1德州仪器的GaN解决方案GaN功率器件是可以实现高电子迁移率的晶体管（HEMT）。HEMT是一种场效

汽车电子设计 2024-03-20 431浏览
超2亿补贴，又一大厂发力氮化镓芯片

第六届半导体大硅片论坛将于12月7-8日在上海召开，将参观新昇半导体（上海硅产业集团）与超硅半导体，详见后文近日，格芯宣布已获得美国提供的3500万美元联邦资金，以加速其位于佛蒙特州Essex Junction的工厂在硅半导体上制造差异化氮化镓（GaN）芯片。格芯佛蒙特州半导体制造工厂表示，继续朝着大规模生产用于航空航天和国防、蜂窝通信、工业物联网和汽车的下一代氮化镓芯片迈进。格芯总裁兼CEO T

半导体前沿 2023-10-21 1166浏览
格芯获美国政府3500万美元资金，加速制造下一代氮化镓芯片！

格芯（GlobalFoundries）宣布已获得美国政府提供的3500万美元联邦资金，以加速其位于佛蒙特州Essex Junction的工厂在硅半导体上制造差异化氮化镓（GaN）芯片。格芯佛蒙特州半导体制造工厂与美国政府合作，继续朝着大规模生产用于航空航天和国防、蜂窝通信、工业物联网和汽车的下一代氮化镓芯片迈进。格芯一直是美国政府资助的受益者，其中包括2020至2022年提供的4000万美元支持，

深圳飙叔 2023-10-19 564浏览
产能剑指行业第一！一位重磅氮化镓芯片玩家

受访嘉宾|张雷誉鸿锦品牌战略官作为一家走IDM模式的氮化镓公司，誉鸿锦在短短1.5年的时间内，就完成了从设备、外延、设计、制造、封装测试的自主全流程IDM工厂的搭建，研发周期和建线成本较行业减少2/3，从外延到器件制造也只需要7天周期。同时，目前公司氮化镓中试线的产能已经达到1.5万片/月，刚出道产能就剑指行业第一。一系列难以复制的成绩，誉鸿锦究竟是如何做到的？作者：Joey编辑：Melody氮化

芯八哥 2023-10-19 823浏览
一文读懂PI新一代氮化镓芯片InnoSwitch4

近日，PI推出了新一代采用PowiGaN技术的InnoSwitch4系列芯片，这款芯片应用于有源钳位反激架构，内置有源钳位上管驱动信号输出，通过外置的ClampZero实现有源钳位工作，将漏感能量回收。可实现高达95%的转换效率。InnoSwitch4电源芯片通过内置的驱动信号引脚，输出有源钳位开关管的控制信号。当主开关管关闭时，变压器漏感能量通过二极管储存在钳位电容中。在下次主开关管开通之前，由

PI电源芯片 2021-06-02 5468浏览
使用氮化镓芯片可以与使用硅基芯片一样方便

最近作者为推销自家芯片，写了篇英文的软文，刊登在Power Electronics News上，原文复制如下，供参考。大意是，在100V的氮化镓系统中，已有的做法都是用DSP数字控制，然而可以用模拟芯片达到一样的性能，而大幅减少系统设计的复杂度。Using GaN FETs can be as simple as using Silicon FETs– an example in 48

硅谷硅事 2021-04-08 840浏览
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硅谷硅事 2021-04-08 1600浏览
东芝将退出LSI芯片业务；恩智浦在美设厂生产 5G 氮化镓芯片......

本期热点东芝将退出长期亏损LSI芯片业务

皇华电子元器件IC供应商 2020-09-30 1177浏览

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