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氮化镓技术
开讲在即|光伏系统设计要点大揭秘,TI氮化镓技术和无线连接方案助力实现智能化能源管理
点击蓝字 关注我们光伏系统设计正在向更高效、更智能、更安全的方向发展以满足未来能源需求的增长和可持续发展的目标聚焦光伏系统设计的三大问题▼如何实现超高的功率密度和效率?如何具备高可靠性与高性能?如何实现快速、灵活的通信?2024 德州仪器新能源基础设施技术直播 – 光伏主题12 月 10 日 上午 9:30 - 11:30精选光伏系统设计要点为您解读最新技术趋势并解答疑惑共赴智慧能源之旅,与您不见
德州仪器
2024-12-09
99浏览
PI推出1700V氮化镓开关IC,为氮化镓技术树立新标杆
美国加利福尼亚州圣何塞,2024年11月4日讯 – 深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出InnoMux™-2系列单级、独立调整多路输出离线式电源IC的新成员。新器件采用公司专有的PowiGaN™技术制造而成,是业界首款1700V氮化镓开关IC。1700V额定耐压进一步提升了氮化镓功率器件的先进水平,此前的业界首创产
PI电源芯片
2024-11-04
333浏览
格芯收购泰戈尔科技氮化镓技术和相关团队
来源:IT之家7月5日消息,格芯(GlobalFoundries)于今年7月1日发布新闻稿,宣布收购泰戈尔科技(Tagore Technology)的功率氮化镓(GaN)技术及知识产权组合,希望在汽车、物联网和人工智能数据中心应用领域探索更高的效率和更好的性能。随着生成式人工智能(Generative AI)等技术在数字世界的不断发展,氮化镓(GaN)已成为可持续高效电源管理(尤其是在数据中心)的
CINNOResearch
2024-07-05
1756浏览
6500V+1200V!国内氮化镓技术再破瓶颈
近日,国内2家机构先后在超高压 GaN 技术领域上取得重要成果:● 北京大学:新研发4500V GaN,可实现低动态电阻,实现大于6500V 耐压;● 能华半导体:开发超薄缓冲层外延技术,发布1200V增强型GaN单片集成平台;北京大学:成功研发超高耐压GaN技术近日,北京大学崔家玮、魏进团队在2023 IEDM大会上发表了《具有超低动态电阻的6500V 有源钝化氮化镓p型栅高电子迁移率晶体管》论
第三代半导体风向
2024-01-08
881浏览
又有12吋氮化镓技术!怎么做到的?
英特尔和晶湛12英寸GaN技术非常受人关注(.点这里.),昨天,又有一家GaN企业号称可以做到12英寸,而且是“3D”技术,5G射频和功率器件“通杀”。该企业号称,他们的氮化镓是”终极“技术,究竟有哪些过人之处?今天我们就来解读一下。插播:7月7日,欣锐科技、意法半导体、英飞凌、Wolfspeed、三菱电机、芯干线、百识电子和恒普科技等企业“大咖”,将亮相“新能源趋势下第三代半导体产业化发展论坛”
第三代半导体风向
2022-06-15
1464浏览
向QorvoGaN专家学习氮化镓技术(含书下载)
氮化镓(GaN)晶体管于20世纪90年代亮相,目前广泛应用于商业和国防领域,但工程应用可能大相径庭。GaN的普及根植于其高电源和高电压功能。这些特性使其适用于许多应用,包括微波射频(RF)和功率开关应用。GaN独特的材料属性使其成为许多应用全新首选技术,如5G通信、汽车、照明、雷达和卫星应用。但GaN制造商和开发人员并不止步于此。他们继续通过技术革命来推进GaN的发展。这些创新将在未来继续开拓新的
射频百花潭
2022-04-01
1020浏览
科普:氮化镓技术概况
来源 | 芯片工艺技术智库 | 云脑智库(CloudBrain-TT)云圈 | 进“云脑智库微信群”,请加微信:15881101905,备注您的研究方向- The End -声明:欢迎转发本号原创内容,转载和摘编需经本号授权并标注原作者和信息来源为云脑智库。本公众号目前所载内容为本公众号原创、网络转载或根据非密公开性信息资料编辑整理,相关内容仅供参考及学习交流使用。由于部分文字、图片等来源于互联网
云脑智库
2022-01-12
891浏览
氮化镓技术再迭代,GaNSense引领智能
文︱立厷图︱网络2021年10月底,小米推出业界最小的120W新款氮化镓(GaN)充电器,带Type-C接口,体积更小,卖点:“小巧一点,强大很多”。小米并没有说其中采用了什么技术,还以为和以前一样,就是现有的GaN功率器件呗,肯定是要比已量产硅方案强很多。直到纳微半导体(Navitas)刚刚发布了全球首款采用GaNSense技术的智能GaNFast氮化镓功率芯片,这才豁然以明:上述产品使用了两颗
TechSugar
2021-11-23
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