氮化镓 - 电子工程专辑

氮化镓

意法半导体与英诺赛科合作氮化镓！

国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业！不拘中国、放眼世界！关注世界半导体论坛↓↓↓4月1日，意法半导体与英诺赛科宣布签署了一项协议，双方将在氮化镓晶圆制造上进行合作。根据协议，英诺赛科可借助意法半导体在中国以外地区的前端制造产能生产其氮化镓晶圆，而意法半导体也可借助英诺赛科在中国的前端制造产能生产其自有的氮化镓晶圆。双方共同的目标是依托这种灵活的供应链布局，拓展各自的氮化镓产品组

中国半导体论坛 2025-04-01 90浏览
30W氮化镓电源icU8608灵活配置最优工作模式

30W氮化镓电源ic U8608灵活配置最优工作模式YINLIANBAO30W氮化镓电源ic U8608集成E-GaN和驱动电流分档功能，通过调节驱动电流档位，可以减少电磁干扰（EMI），优化系统的整体性能和待机功耗。具体来了解一下！■ 集成E-GaN和驱动电流分档功能30W氮化镓电源ic U8608集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高

开关电源芯片 2025-03-27 56浏览
大厂1600W（氮化镓GaN）双向微型逆变器设计方案（文末附下载链接！）

产品方案合集该参考设计实现了基于 GaN 的四通道 1.6kW 单相双向微型逆变器，支持四个相同的通道，直流侧电压高达 60V，电流为 ±14A。这些通道可以连接到光伏 (PV) 电池板或 48V 电池储能系统 (BESS)。在高压侧，该参考设计连接到单相交流电网。该参考设计通过双向固定频率 CLLLC 转换器将低压侧和高压侧进行隔离。该参考设计的控制算法在 C2000™ MCU 中实施。

智芯Player 2025-03-25 275浏览
芯报丨全国首个100nm高性能氮化镓流片PDK平台

聚焦:人工智能、芯片等行业欢迎各位客官关注、转发每日芯报0324期❶全国首个100nm高性能氮化镓流片PDK平台近日，九峰山实验室发布国内首个100nm硅基氮化镓商用工艺设计套（PDK），性能指标达到国内领先、国际一流水平。作为全球第二个、国内首个商用方案，其技术指标可支撑高通量Ku/Ka频段低轨卫星通信，能够满足下一代移动通信、商用卫星通信与航天领域、车联网及工业物联网、手机终端等多领域对高频、

AI芯天下 2025-03-24 142浏览
全球首创！又一氮化镓材料新突破

【DT半导体】获悉，3月24日消息，九峰山实验室科研团队近日取得重大突破，成功在全球范围内首次实现了8英寸硅基氮极性氮化镓（N-polar GaNOI）高电子迁移率材料的制备。这一里程碑式的成果不仅打破了国际技术垄断，更为射频前端等系统级芯片在频率、效率、集成度等方面的提升提供了强有力的技术支持，将推动下一代通信、自动驾驶、雷达探测、微波能量传输等前沿技术的快速发展。研究表明，在高频、高功率器件领

DT半导体材料 2025-03-24 273浏览
又一氮化镓外延片项目即将投产

【DT半导体】获悉，近日，润新微电子集团有限公司与大连海创集团有限公司下属建设发展公司正式达成战略合作，宣布入驻黄泥川智能制造产业园。上述项目是第三代半导体氮化镓外延材料和电子元器件研发与产业化的重要基地总建筑面积6238.38平方米，同时配套有占地面积2966.6平方米的附属设施。目前，项目整体工程进度已达95%，配套附属设施建设整体进度过半。海创集团将全力推进项目建设生产，力争5月30日前完成

DT半导体材料 2025-03-21 117浏览
氮化镓IP之战，英诺赛科获胜

英诺赛科在与美国宜普公司（EPC）发起的专利侵权案中取得决定性胜利。3月18日, 美国专利局（USPTO）对EPC涉案专利（US’294 号专利）作出最终裁定，判决该专利所有权利要求均无效且应被撤销。图源：英诺赛科2023年5月，EPC在美国国际贸易委员会（ITC）对英诺赛科发起专利侵权诉讼调查，宣称英诺赛科侵犯了EPC的US’294号专利和其他三项美国专利（US’508、US’347、US’33

芯极速 2025-03-21 176浏览
国内氮化镓龙头英诺赛科胜诉！

【DT半导体】获悉，3 月 19 日消息，美国 GaN 技术厂商宜普公司（Efficient power Conversion Corporation，EPC）于 2023 年向加州地区法院和 ITC 提起诉讼，声称国产 GaN 芯片龙头英诺赛科侵犯了 EPC 的 4 项专利，并寻求禁售与侵权赔偿。今日，英诺赛科宣布其在与美国 EPC 发起的专利侵权案中取得决定性胜利：2025 年 3 月 18

DT半导体材料 2025-03-19 393浏览
氮化镓龙头—英诺赛科正式纳入港股通

【DT半导体】获悉，3月10日，国内氮化镓龙头企业英诺赛科正式纳入港股通，将吸引全球资金，有望进一步巩固氮化镓产业地位。港股通是内地投资港股的便捷通道，连接沪深与港交所股票市场。企业纳入港股通后，能吸引更多资金，提升知名度，并促进股票流动性。官方资料显示，英诺赛科是全球最大的氮化镓芯片制造企业，产品设计及性能处于国际先进水平。2024年12月30日，英诺赛科正式在香港联合交易所主板挂牌上市，此前该

DT半导体材料 2025-03-11 521浏览
稳定运行中的HSOP-7封装氮化镓电源icU8722AH

稳定运行中的HSOP-7封装氮化镓电源ic U8722AH宽电压范围是指设备或系统能够在较宽的电压区间内正常工作的能力。这意味着，当电网电压或供电电压在一定范围内波动时，具备宽电压范围的设备仍能保持稳定运行，不会因电压的波动而损坏或影响性能。这种特性对于保障设备的持续、稳定工作至关重要！针对宽输出电压应用场合，为了满足VDD的宽电压应用需求，往往需要添加额外的电路或者辅助绕组，导致系统功耗和电路成

开关电源芯片 2025-03-11 105浏览
氮化镓能否用在人形机器人？

高压氮化镓大家普遍比较熟悉，国内知名厂商英诺赛科，国外有英飞凌,EPC，TI，纳微等。现阶段氮化镓广泛应用于消费级充电器。对于电源来说，开关频率越高，就像高铁一样，车次越多，单位时间内能运送的人也越多，那么传递的能量越多，电源的功率密度可以大幅度提升，进而尺寸缩小。对于电机应用来说，因为其原理的原因，逆变器主要是通过SVPWM完成DC-AC的逆变，其开关频率只能影响谐波，无法提高能量密度，并且电机

转子磁场定向 2025-02-22 138浏览
长安汽车采用氮化镓OBC车载电源

最近，新能源汽车行业正式打响了“智驾大战”——例如2月10日，比亚迪召开“天神之眼”高阶智驾发布会；2月9日长安汽车发布了“北斗天枢2.0计划”……而在这场开年智驾大战的背后，氮化镓悄然也加入战局，请容行家说慢慢道来。前几日，长安汽车在重庆发布“北斗天枢2.0计划”，标志着其全面迈入智能化新纪元。该计划提出了四大数智升级行动，目标在三年内推出35款数智新汽车，并加速全场景高阶自动驾驶技术落地。行家

行家说汽车半导体 2025-02-14 1427浏览
Wolfspeed前CEO加入氮化镓公司

2月6日，Power Integrations（PI）官网宣布，Wolfspeed前首席执行官Gregg Lowe将于2025年2月15日加入其董事会。Gregg Lowe消息称，Gregg Lowe在半导体行业拥有丰富的经验，曾担任 Wolfspeed 的首席执行官（2017-2024 年）和 Freescale Semiconductor 的首席执行官（2012-2015 年）。他还曾在德州仪

第三代半导体风向 2025-02-07 376浏览
20W、22.5W、30W氮化镓电源芯片方案介绍

20W、22.5W、30W氮化镓电源芯片方案介绍今天给各位小伙伴介绍几款氮化镓电源芯片方案！■20W氮化镓电源芯片方案U8621+U7610C氮化镓电源芯片U8621是一款恒压、恒功率、恒温离线型电流模式PWM电源管理芯片，内置1.9Ω/630V的超结硅功率MOS。U8621具有全负载高效率、低空载损耗、低EMI干扰和高EMS抗干扰、极少外围应用元件等优点。U8621在一定条件下适用于输入电压AC

开关电源芯片 2025-02-07 431浏览
英飞凌：氮化镓正处于转折点

随着世界继续面临气候变化和环境可持续性的挑战，英飞凌科技股份公司正在创新半导体材料，包括硅、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），以推动脱碳和数字化取得有意义的进展。英飞凌将氮化镓视为一种改变游戏规则的半导体材料，它将改变我们在消费、移动、住宅太阳能、电信和 AI 数据中心行业实现能源效率和脱碳的方式。半导体材料可实现高效的系统性能、更小的尺寸、更轻的重量和更低的总成本。虽然 USB-C 充电

DT半导体材料 2025-02-06 584浏览
落后多年，F35终于有望换上氮化镓雷达，好比拨号上网进入5G

美国空军中将理查德摩尔表示，F35战机已经非常接近新雷达实装，APG85将比现有的APG81大幅度增强能力。APG85将根据Block4升级计划部署在F35第17批次中，其探测距离将是APG81的两倍。需要指出的是，经过多年研制，目前该雷达仍处于测试阶段。米切尔航空航天研究所的一份报告称：“从能力角度来看，这种差异相当于从20世纪90年代的拨号上网转换为 5G 互联网。”。（PS：这属实是对过去的

DT半导体材料 2025-01-21 800浏览
芯报丨比利时氮化镓制造商BelGaN破产，中国买家竞购设备资产

聚焦:人工智能、芯片等行业欢迎各位客官关注、转发每日芯报0121期❶比利时氮化镓制造商BelGaN破产，中国买家竞购设备资产去年8月，比利时最后的工业芯片制造商BelGaN已经申请破产，其位于比利时奥德纳尔德的氮化镓（GaN）半导体代工厂的440名员工面临失业。此次破产拍卖吸引了多家潜在收购方的竞标，其中包括中国公司。据报道，破产拍卖筹集了超过2300万欧元。（集微网）❷爱芯元智自动驾驶总部落地重

AI芯天下 2025-01-21 395浏览
山东：重点发展碳化硅、氮化镓、金刚石等新材料

据山东省科学技术厅官网消息，近日，山东省发布了《山东省新材料产业科技创新行动计划（2025—2027年）》（以下简称“《行动计划》”），提出实施标志性产业链战略材料攻坚行动，在新一代电子信息材料方面，研究大尺寸碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料制备技术和装备，突破碳化硅、氮化镓衬底超精密高效加工核心技术。攻克超宽禁带金刚石单晶、氮化铝生长及器件技术，突破大口径高质硅单晶、高端光刻胶制备技术，满足面向

DT半导体材料 2025-01-16 243浏览
35W氮化镓电源芯片搭配同步整流方案：U8722DE+U7116

35W氮化镓电源芯片搭配同步整流方案：U8722DE+U7116YLB氮化镓电源芯片和同步整流芯片在电源系统中犹如一对默契的搭档，通过紧密配合，显著提升电源效率。在开关电源的工作过程中，氮化镓电源芯片凭借其快速的开关速度和高频率的开关能力，能够迅速地切换电路状态，实现电能的高效转换。同步整流芯片的加入则有效地解决了能量损耗问题。今天介绍的是35W氮化镓电源芯片搭配同步整流方案：U8722DE+U7

开关电源芯片 2025-01-15 357浏览
直播预告–1700V:新的氮化镓耐压基准

PI公司诚邀您报名参加电子研习社主办的线上直播。我们的技术专家将为您带来专题演讲，介绍新的氮化镓耐压基准。随着全球脱碳投入的不断加大，预计到 2030 年，每年的投资额将达到 5万亿美元[资料来源：国际电工委员会(IEC)]，功率半导体及相关系统在发电、输电和用电方面的作用日益重要，其应用领域包括风能和太阳能、各种电动交通工具、数据中心、照明和消费产品。在过去的50年中，高压、大电流电功率开关技术

PI电源芯片 2025-01-15 107浏览
45W氮化镓电源ICU8722EE整体功耗更低

45W氮化镓电源IC U8722EE整体功耗更低氮化镓芯片热稳定性好、电子迁移速度更快、热导率更高，同时，氮化镓芯片还具有更低的导通和开关损耗，整体的功耗更低。在一些对功耗要求严格的应用场景中，进一步彰显了它在性能方面的优越性。深圳银联宝科技自推出氮化镓电源IC U8722X系列以来，用量急速上升，市场需求旺盛。今天特地给小伙伴们介绍在U8722X系列中功率最大，推荐输出功率45W的氮化镓电源IC

开关电源芯片 2024-12-31 181浏览
国内氮化镓第一股诞生！

国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业！不拘中国、放眼世界！关注世界半导体论坛↓↓↓12月31日消息，12月30日，氮化镓功率半导体行业的领军企业英诺赛科（苏州）科技股份有限公司在香港主板成功挂牌上市，开盘市值超过270亿港元，标志着国内“氮化镓半导体”第一股的诞生。英诺赛科此番战略配售，吸引了包括意法半导体、江苏国企混改基金、东方创联以及苏州高端装备在内的4名基石投资者，合共认购

中国半导体论坛 2024-12-31 496浏览
市值超280亿！氮化镓龙头英诺赛科上市

北京时间2024年12月30日，氮化镓功率半导体引领者英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（以下简称“英诺赛科”）在香港联合交易所主板挂牌上市，股票代码02577.HK。上市当天，英诺赛科领导团队共同在香港敲响了开市钟，庆祝公司股票首日上市交易。英诺赛科是一家专注于第三代半导体氮化镓研发与制造的高新技术企业，拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地，产品覆盖氮化镓晶圆、氮化镓分立器件、合封芯片、模组等，

DT半导体材料 2024-12-30 408浏览
市值超280亿！氮化镓龙头英诺赛科上市

12月30日，氮化镓半导体研发商英诺赛科顺利登陆港股市场。此次IPO，英诺赛科定价在招股区间（30.86港元至33.66港元）的下限30.86港元/股，发行4536.40万股新股，募资总额为13.99亿港元。上市首日，英诺赛科开盘价为31港元/股，截至上午10时50分，英诺赛科报32.15港元/股，涨4.18%，总市值超282亿港元。来源：雪球英诺赛科是全球首家实现量产8英吋硅基氮化镓晶圆的公司，

CINNOResearch 2024-12-30 478浏览
氮化镓基激光器关键技术研讨会成功举办

2024年12月14-15日，由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会（以下简称“专委会”）主办，中国科学院半导体研究所、南昌实验室、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、广东省科学院半导体研究所联合承办的氮化镓（GaN）基激光器关键技术专题研讨会在江西南昌成功举行。专委会顾问委员、中国科学院院士、南昌实验室主任江风益教授，专委会顾问委员、中国科学院院士、中科院半导体研究所郑婉华研究员，专委会主

MEMS 2024-12-26 360浏览

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