氮化硅 - 电子工程专辑

氮化硅

千万元！鼎龙股份多晶硅抛光液及氮化硅抛光液产品获批量订单！

7月9日，鼎龙股份发布公告称，公司控股子公司—武汉鼎泽新材料技术有限公司（以下简称“鼎泽新材料”）位于仙桃园区年产1万吨CMP抛光液（一期）及年产1万吨CMP抛光液用配套纳米研磨粒子产线自2023年11月竣工试生产后，经过公司高效的投料试产、工艺拉通，以及与客户紧密的验厂稽核、产线验证等工作，目前已具备大批量稳定规模量产能力。近期，经过国内某主流晶圆厂客户严格的产品质量审核，仙桃园区生产的多晶硅(

飙叔科技洞察 2024-07-09 573浏览
基于氮化硅的集成化光学相干断层扫描（OCT）系统

据麦姆斯咨询报道，2024年4月26日至28日，上海交通大学副教授纪幸辰将参加《第59期“见微知著”培训课程：硅光子传感技术及应用》并进行授课，具体信息如下：授课主题：基于氮化硅的集成化光学相干断层扫描（OCT）系统授课老师简介：纪幸辰，博士，上海交通大学电子信息与电气工程学院长聘教轨副教授、博士生导师。他入选2021年国家“海外优青”、上海市领军人才（海外）青年项目、2022年美国光学协会基金会

MEMS 2024-04-18 558浏览
日本NGK（碍子）斥资50亿日元，扩大氮化硅陶瓷电路板2.5倍产能

来源：界面新闻3月7日，日本NGK（碍子）公司宣布将投资50亿日元（约合人民币2.44亿元）扩大绝缘散热电路板（以氮化硅基板进行金属化和蚀刻）生产能力的决定，在2026年提高到目前水平的2.5倍左右。由于（SiC）功率半导体越来越多地被采用，就要求该系统在大功率的高温环境下也能稳定运行，氮化硅绝缘散热电路板以高导热和高机械强度而在目前用于控制电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）电机的逆变器，实

CINNOResearch 2024-03-11 715浏览
国际先进氮化硅硅光芯片工艺在国内首次实现高良率量产打通

据麦姆斯咨询报道，经过两年、十余次的设计和工艺迭代，国科光芯（海宁）科技股份有限公司（简称：国科光芯）在国内首个8英寸低损耗氮化硅硅光量产平台，实现了传输损耗-0.1 dB/cm（1550 nm波长）级别氮化硅硅光芯片的量产，工艺良率超95%。氮化硅硅光芯片量产流片良率分布相对于传统硅光技术，氮化硅材料具有损耗低、光谱范围大、可承载光功率大等突出优点。此外，氮化硅硅光芯片也是优异的多材料异质异构平

MEMS 2023-11-17 960浏览
国科光芯：专注氮化硅硅光技术，探索硅光产业发展新路径

微访谈：国科光芯董事长、CEO刘敬伟博士访谈背景：国科光芯（海宁）科技股份有限公司（简称：国科光芯）创立于2019年4月，总部位于浙江海宁，是一家集材料工艺、芯片设计、集成封装、光电子器件、应用算法、系统集成等综合能力为一体的国家高新技术企业。国科光芯以“为同行者掌灯”为使命，致力于成为全球领先硅光芯片技术及整体解决方案公司。作为国内为数不多具备完整工艺能力的基于氮化硅（SiN）的硅光芯片企业，国

MEMS 2023-08-31 1225浏览
国科光芯：基于氮化硅的硅光芯片在激光雷达中的应用

据麦姆斯咨询报道，2023年9月6日至7日，国科光芯（海宁）科技股份有限公司（简称：国科光芯）将参加『第34届“微言大义”研讨会：3D视觉技术及应用』并发表主题演讲，具体信息如下：演讲主题：基于氮化硅的硅光芯片在激光雷达中的应用演讲嘉宾：国科光芯董事长兼CEO 刘敬伟嘉宾简介：刘敬伟，国科光芯董事长兼CEO，中国科学院半导体所微电子与固体电子学专业博士，在硅基光电子领域拥有多年丰富的经验。曾任职

MEMS 2023-08-30 976浏览
【综述】氮化硅(Si3N4)-AMB基板最新研究进展

0引言随着第三代SiC基功率模块器件的功率密度和工作温度不断升高，器件对于封装基板的散热能力和可靠性也提出了更高的要求[1,2,3]。以往被广泛使用的直接覆铜(Direct-Bonding-Copper，DBC)陶瓷基板是通过共晶键合法制备而成，铜和陶瓷之间没有粘结材料，在高温服役过程中，往往会因为铜和陶瓷(Al2O3或AlN)之间的热膨胀系数不同而产生较大的热应力，从而导致铜层从陶瓷表面剥离，因

DT半导体材料 2022-09-16 4514浏览
5G行业热管理&氮化硅散热

IDTechEx的一份报告指出，热管理是5G面临的主要挑战之一。要实现5G通信预期的目标，既提供低延迟和高下载速率，又同时最大限度地提升覆盖范围，5G仍然面临许多挑战，尤其是在基础架构方面。根据IDTechEx的报告，5G基础架构的主要挑战之一是热管理。5G天线使用更高频率，需要增加增益才能达到可接受的性能范围。另外，5G毫米波频谱在透过墙壁或窗户等物体时的传播非常差，因此需要更多的单天线单元才能

DT半导体材料 2022-08-29 941浏览
兰州大学在基于氮化硅-薄膜铌酸锂异质集成的光学模式与偏振复用器领域取得新发现

近期，兰州大学物理科学与技术学院田永辉教授课题组与澳大利亚皇家墨尔本理工大学（RMIT）Arnan Mitchell教授课题组及上海交通大学苏翼凯教授课题组合作，在薄膜铌酸锂晶圆的表面沉积一层氮化硅薄膜，通过成熟的CMOS兼容工艺刻蚀氮化硅层可以得到氮化硅-铌酸锂异质脊型波导，解决了直接刻蚀铌酸锂薄膜带来的波导侧壁角度等问题，并基于该波导实现了高性能的模式和偏振复用器件。相关结果以“Mode an

MEMS 2022-01-12 2127浏览
最全统计：碳化硅项目104个、氮化硅GaN项目43个

加入“硬科技社群”，请加微信“emilymy0414” ↑科技融资项目BP投递，请加微信“emilymy0414” ↑由于SiC、GaN有着硅 Si 材料无法企及的优势，所以用这两款半导体材料制造的芯片可以承受更高的电压，输出更高能量密度，承受更高的工作环境温度。然而，受工艺、成本等因素限制，多年来仅限于小范围应用。而随着工艺进步、材料生长、器件制备等技

科创之道 2021-08-19 1873浏览

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