衬底 - 电子工程专辑

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金刚石半导体衬底研磨抛光技术研究现状及展望（三）

相关阅读：金刚石半导体衬底研磨抛光技术研究现状及展望（一）金刚石半导体衬底研磨抛光技术研究现状及展望（二）3 化学机械抛光（CMP）在满足某些条件时，金刚石能与一些气体、液体或金属氧化物发生化学反应，使金刚石中的碳转化为气体或其他物质，CMP正是利用机械研磨和氧化剂（如 NaNO3、H2O2等）的复合作用与金刚石发生反应来实现材料的去除，CMP设备示意图及抛光前后表面如图7所示。Thornton发

DT半导体材料 2025-03-24 292浏览
金刚石半导体衬底研磨抛光技术研究现状及展望（二）

相关阅读：金刚石半导体衬底研磨抛光技术研究现状及展望（一）2 热化学抛光（TCP）Grodzinski在实验中发现，把金刚石放置在600 ℃至 1 800 ℃的铁、镍等金属板上，金刚石的接触面会溶解到金属中，使金刚石表面变得平整，从而提出了热金属板辅助抛光金刚石的方法。Weima在用热化学法抛光 CVD 多晶金刚石薄膜过程中发现了 1 353 cm-1的纳米晶石墨、1 453 cm-1的非晶态碳和

DT半导体材料 2025-03-21 80浏览
金刚石半导体衬底研磨抛光技术研究现状及展望（一）

近年来，随着5G、人工智能领域的飞速发展，其内部电子器件越来越朝着精密化、集成化、小型化发展。电子器件不断变小，电路运行中产生的热量累积会影响电子器件的运行，甚至造成损害，如何解决其散热问题，保证系统的稳定运行越来越重要。常温下，金刚石的热导率＞2 000 Wm-1K-1，具有优异的介电性能以及较低的热膨胀系数等（如表1所示），是制造半导体器件理想的散热材料。但由于金刚石在生长过程中往往会产生厚度

DT半导体材料 2025-03-14 211浏览
“终极半导体”破局之路：大尺寸单晶金刚石衬底制备技术突破与挑战

【DT半导体】获悉，金刚石是由单一碳原子组成的具有四面体结构的原子晶体，属于典型的面心立方(FCC)晶体，空间点群为 oh7-Fd3m。每个碳原子以 sp3杂化的方式与其周围的 4 个碳原子相连接，碳原子密度 1.77×1023 cm-3，碳-碳键长 0.154 nm，键角 109°28′，这种紧密堆积的结构使得金刚石拥有 348 kJ/mol 的高键能，也由此赋予其诸多优异的性质，使其在

DT半导体材料 2025-03-07 1304浏览
松下汽车：OBC采用GaN衬底HEMT器件

1月10日，据外媒报道，日本名古屋大学和松下汽车系统公司的团队正在开发一种用于电动汽车 (EV) 的紧凑型车载充电器 (OBC)，该充电器采用了基于GaN单晶衬底的1200V 横向GaN HEMT器件。近年来，为了缩短充电时间，电动汽车电池的电压不断提高。为了应对这些趋势，业界正在开发的OBC旨在实现800V和22kW的高电压和高输出功率。但是，功率转换损耗会随着输出的增加而增加，并且更高的电压需

行家说汽车半导体 2025-01-17 519浏览
芯报丨中科院基于新型SiC复合衬底的低成本MOSFET取得重要进展

·聚焦:人工智能、芯片等行业欢迎各位客官关注、转发每日芯报0112期❶中科院基于新型SiC复合衬底的低成本MOSFET取得重要进展近日，中科院微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与青禾晶元公司、南京电子器件研究所等团队合作,基于新型6英寸SiC复合衬底成功实现高性能低成本1200V SiC MOSFET。该复合衬底表现出与高质量衬底相当的缺陷密度,界面热阻低至2.8 +1.4/-0.7 m²K/G

AI芯天下 2025-01-12 532浏览
国际上首次提出：一种新型6英寸单晶SiC复合衬底

近日，微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与青禾晶元公司、南京电子器件研究所等团队合作，基于新型6英寸SiC复合衬底成功实现高性能低成本1200V SiC MOSFET。当前，碳化硅（SiC）晶圆行业正持续扩大产能以满足不断增长的市场需求。但可用于MOSFET制造的无缺陷衬底（即“高质量”衬底）的成品率通常仅为40%-60%。在6-8英寸SiC的生长和提纯过程中，自然会产生低等级衬底（即“低质量”

DT半导体材料 2024-12-23 959浏览
聚集8英寸SiC进程，6家衬底&外延企业进行对话

12月11日-12日，“行家说三代半”年会——『2024碳化硅&氮化镓产业高峰论坛』在深圳举办，同期还围绕8英寸SiC举行了两场圆桌会议。第一场圆桌论坛的主题是“8英寸衬底&外延量产进程与挑战”，研讨嘉宾为烁科晶体总经理李斌、中电化合物总经理潘尧波、同光股份副总经理王巍、Soitec汽车与工业部门执行副总裁Emmanuel Sabonnadiere、青禾晶元副总经理刘福超、粤海金董事长助理熊耀兴，

第三代半导体风向 2024-12-19 236浏览
面向5G/6G声学器件的预定义压电异质衬底解决方案，支持多种声学模式器件集成

近日，第70届国际电子器件大会（IEDM 2024）在美国旧金山召开。中国科学院上海微系统所欧欣研究员课题组以口头报告形式发表了题为 “Predefined Novel Piezo-on-Insulator (PN-POI) Substrates for 5G/6G Acoustic Devices” 的最新研究成果，博士生柯新建、吴进波博士、张师斌研究员为本论文共同第一作者，黄凯副研究员、张师斌

MEMS 2024-12-19 587浏览
首次突破！美国亚利桑那州立大学：单晶氮化铝AlN衬底上的MESFET最新进展

近日，美国亚利桑那州立大学（ASU）就单晶AlN衬底上的高压AlN金属半导体场效应晶体管（MESFET）进行了报告 [Bingcheng Da et al, Appl. Phys. Express, v17, p104002, 2024]。研究人员们表示，这项工作是“在原生衬底上通过同质外延生长实现AlN晶体管”的首次报道。图1：（a）制备的AlN MESFET的横截面示意图和（b）顶视显微镜图像

DT半导体材料 2024-12-16 361浏览
又一半导体公司开启8英寸SiC单晶衬底量产

据“南京江北新区”消息：近日，江苏超芯星半导体有限公司完成了新厂房的整体搬迁，接下来，该团队将在江北新区集成电路产业化基地，全面开启8英寸碳化硅单晶衬底的批量化生产。在衬底上做芯片示例碳化硅衬底是用碳化硅材料制作的衬底，形似玻璃，单片厚度只约0.35毫米。作为芯片制造的核心基础，衬底位于整套工艺的最上游，经光刻、检测、封装等环节，一块衬底方可“刻”出数枚芯片。因此，衬底尺寸越大，能“产出”的芯片数

DT半导体材料 2024-12-10 251浏览
天岳先进公布12英寸SiC衬底！

插播：12月11-12日，华太电子、合盛新材料、安世半导体、三安半导体、士兰微、意法半导体、罗姆、致领半导体、恒普技术、思锐智能、创锐光谱、快克芯装备、平湖实验室、芯联集成、瑞霏光电、华卓精科及高泰新材等企业将出席【行家说三代半年会】，带来近30场主题演讲，报名请点文末“阅读原文”。今日，天岳先进在官微透露，他们近期携带全系列碳化硅衬底产品参加2024德国慕尼黑半导体展览会，并在会上隆重发布了业内

第三代半导体风向 2024-11-14 663浏览
探索半导体前沿：大尺寸单晶金刚石衬底制备的现状与未来

单晶金刚石因具有超宽禁带宽度、低介电常数、高击穿电压、高热导率、高本征电子和空穴迁移率以及优越的抗辐射性能，被誉为 “终极半导体”。然而，其在半导体上的大规模应用仍面临诸多技术难题。本文将聚焦大尺寸（英寸级）单晶金刚石衬底的制备技术，为您详细介绍相关研究现状。当前技术难题化学气相沉积金刚石材料需达到英寸级大晶圆面积。大尺寸的天然金刚石材料储备有限、价格昂贵且质量参差不齐，难以满足工业化应用的

DT半导体材料 2024-10-29 916浏览
侃技术|8英寸衬底的超精密加工：现状与展望

哈喽呀~今天是不是已经无心上班，一心想为祖国母亲庆生啦？别急，我们放假前再来一起学点新知识。在之前的文章里，我们分享过，8英寸碳化硅时代的全面到来，根据我们调研到的情况，国产8英寸衬底产品出口销售获得的客户反馈也非常积极，但对于衬底企业来说，产品尺寸往8英寸发展，仍面临一些实际的问题：此前，在行家说三代半组织的《8英寸SiC产业协同》系列访谈当中提到，8英寸碳化硅衬底加工和6英寸相比较，用时和成本

碳化硅芯观察 2024-09-29 744浏览
产品|8英寸！Coherent（原II-VI）推出大尺寸SiC衬底、外延片

市场消息，Coherent Corp（原II-VI）今天宣布推出其8英寸碳化硅外延晶片（SiC 外延晶片）。目前公司可出货的产品为350μm和 500 μm的衬底和外延片产品。作为一家专注于 SiC 衬底和外延片的制造商，Coherent 将这些元素结合在一起，提供卓越的质量、性能和可靠性。8英寸 SiC 外延晶片采用尖端厚度和掺杂均匀性设计，树立了新的行业标准并支持生产卓越的 SiC 功率半导体

碳化硅芯观察 2024-09-27 836浏览
年产1万片！6英寸氧化镓衬底产线开工

[关注“行家说动力总成”，快速掌握产业最新动态]9月10日，杭州富加镓业科技有限公司宣布，其6英寸氧化镓单晶及外延片生长线在杭州富阳开工建设。杭州富阳6英寸氧化镓单晶衬底及外延片生长线据了解，该生产线高度集成单晶生长、衬底加工、外延及检测，整条产线涉及关键设备包括“一键长晶”单晶生长设备、多线切割设备、高精度研磨抛光设备、倒角设备、激光加工设备、全自动化晶片清洗设备、高通量外延设备、表面缺陷检测仪

行家说汽车半导体 2024-09-12 1339浏览
国内这一企业成功研制氧化镓超薄6英寸衬底

9月11日晚，杭州镓仁半导体有限公司（下文简称“镓仁半导体”）宣布，公司今年8月在氧化镓衬底加工技术上取得突破性进展，成功研制超薄6英寸衬底，衬底厚度小于200微米。source：镓仁半导体镓仁半导体指出，氧化镓（β-Ga2O3）具有禁带宽度大、击穿场强高、Baliga品质因数大等优势，在高压、大功率、高效率、小体积电子器件方面具有巨大的应用潜力，能够极大地降低器件工作时的电能损耗，有望成为未来半

化合物半导体市场 2024-09-12 1196浏览
产能｜国产8英寸衬底再传捷报，合盛8英寸导电型4H-SiC衬底项目全线贯通

捷报频传，再启新程。合盛硅业下属单位宁波合盛新材料有限公司（以下简称“合盛新材料”），于近期正式宣布8英寸导电型4H-SiC衬底项目已实现全线贯通。这一里程碑式的成就标志着合盛新材料在第三代半导体材料领域取得了重大技术突破，全面跻身行业第一梯队。■ 全智能生产车间经过五年的潜心研究与深入钻研，合盛新材料成功攻克了从高纯石墨纯化、碳化硅多晶粉料制备到单晶碳化硅生长、衬底加工等全流程的核心技术难关。自

碳化硅芯观察 2024-09-10 1132浏览
日本信越化学12英寸氮化镓衬底出样

第三代半导体材料氮化镓，传来新消息：日本半导体材料大厂信越化学为氮化镓外延生长带来了有力辅助。2024年9月3日，信越化学宣布研制出一种用于GaN（氮化镓）外延生长的300毫米（12英寸）QSTTM衬底，并于近日开始供应样品。source：信越化学从氮化镓生产上看，尽管GaN器件制造商可以使用现有的Si生产线来生产GaN，但由于缺乏适合GaN生长的大直径基板，因此无法从增加材料直径中获益。上述的3

化合物半导体市场 2024-09-10 664浏览
一文了解磷化铟衬底发展

一、磷化铟衬底概述磷化铟是一种III-V族化合物半导体材料，因其具备饱和电子漂移速度高、抗辐射能力强、导热性好、光电转换效率高、禁带宽度较高等特性，被广泛应用于制造光模块、传感器件、高端射频器件等。图1 磷化铟衬底生产工序单晶生长：单晶生长的制备方法有水平布里奇曼法（HB）、垂直布里奇曼法（VB）、液封切克劳斯基法（LEC）和垂直梯度冷凝法（VGF）。不同制备方法的长晶原理如下表所示：制备方法长晶

半导体工艺与设备 2024-09-04 1152浏览
一文了解磷化铟衬底发展

一、磷化铟衬底概述磷化铟是一种III-V族化合物半导体材料，因其具备饱和电子漂移速度高、抗辐射能力强、导热性好、光电转换效率高、禁带宽度较高等特性，被广泛应用于制造光模块、传感器件、高端射频器件等。图1 磷化铟衬底生产工序单晶生长：单晶生长的制备方法有水平布里奇曼法（HB）、垂直布里奇曼法（VB）、液封切克劳斯基法（LEC）和垂直梯度冷凝法（VGF）。不同制备方法的长晶原理如下表所示：制备方法长晶

半导体工艺与设备 2024-09-03 1061浏览
碳化硅SiC衬底抛光新方向

碳化硅作为一种新兴的半导体材料，具有导热率高、宽禁带、高击穿电场、高电子迁移率等特性，使得其成为目前研发比较集中的半导体材料之一。因为这些性能，碳化硅可以广泛地应用于衬底、外延、器件设计、晶圆制造等多个领域。据中研普华产业研究院发布的报告显示，2023年中国碳化硅外延设备市场规模约为13.07亿元，预计到2026年将增至26.86亿元，由此可见其巨大的潜力市场。然而在实际应用过程中，碳化硅非常硬，

半导体工艺与设备 2024-08-12 589浏览
盘点国内SiC衬底、外延与晶圆制造企业及产能

2024年国内碳化硅衬底企业产能情况2024年国内碳化硅外延企业产能情况2024年国内碳化硅晶圆制造产能情况

半导体工艺与设备 2024-08-02 792浏览
硅片衬底上为什么要做外延？

在半导体产业链中，特别是第三代半导体（宽禁带半导体）产业链中，会有衬底及外延层之分，那外延层的存在有何意义？和衬底的区别是什么呢？衬底（substrate）是由半导体单晶材料制造而成的晶圆片，衬底可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件，也可以进行外延工艺加工生产外延片。衬底是晶圆（把晶圆切开，就可以得到一个个的die，再封装好就成为传说中的芯片）最底下（其实芯片的最底部一般还会镀上一层背金，用做“

半导体工艺与设备 2024-08-01 1007浏览
杨德仁院士团队再次突破！3英寸！镓仁半导体晶圆级(010)氧化镓单晶衬底直径突破

据镓仁半导体官微介绍，2024年7月，杭州镓仁半导体有限公司在氧化镓晶体生长与衬底加工技术上取得突破性进展，成功制备出3英寸晶圆级(010)氧化镓单晶衬底，为目前国际上已报导的最大尺寸，达到国际领先水平。3英寸晶圆级(010)氧化镓单晶衬底在氧化镓单晶衬底常见的主流晶面中，（010）衬底在物理特性和外延方面具有出色的表现。首先，（010）衬底热导率最高，有利于提升功率器件性能；第二，（010）衬底

DT半导体材料 2024-07-19 1235浏览

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感谢分享，让我学到了很多理论知识

笨小孩cj 评论文章 2025-04-03

天天挂在嘴边的级联噪声系数公式，是怎么推导来的？
AES11

用户17433... 评论文章 2025-03-31

欧阳明高最新百人会报告PPT（附下载）：《电动乘用车发展的新阶段、新挑战与新路径》

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