场效应晶体管选型指南,提高电路设计可靠性 - 电子工程专辑

场效应晶体管

场效应晶体管(Field-Effect Transistor, FET):指一种利用场效应原理进行工作的半导体器件.场效应晶体管具有高灵敏度、高选择性和低噪声等优点,常用于音频放大、信号放大和开关等应用领域.

铁电场效应晶体管（FeFET）阵列可在电池供电设备中实现同态加密

点击蓝字关注我们SUBSCRIBE to USISTOCK在一个数据被当作商品买卖的时代，真正的隐私十分罕见。但是同态加密可以完全保护你的数据，这样一来，任何人，甚至是用于处理数据的服务器，都无法读取你的信息。其工作原理如下：设备对数据进行加密，将其发送出去以供处理，对加密数据进行计算，然后在数据返回时进行解密。一个数学上复杂的过程确保了处理后的数据最终能够被解密，而在中间过程任何人都无法对其进

IEEE电气电子工程师学会 2024-12-23 74浏览
综述：面向医疗保健监测的场效应晶体管生物传感器

随着医疗保健监测需求的不断增长，场效应晶体管（FET）生物传感器作为一种高效的检测技术备受瞩目。FET生物传感器具有灵敏度高、响应速度快、操作简单、可集成和无标记检测等固有优势。这些特点使其特别适合用于检测各种生理参数和生物标志物，从而提供对个性化医疗和疾病预防至关重要的实时数据。据麦姆斯咨询报道，近期，来自中国地质大学的研究人员在Interdisciplinary Medicine期刊上发表题为

MEMS 2024-10-01 541浏览
哈工大朱嘉琦教授团队：为实现高能效互补电路提供了性能卓越的p沟道场效应晶体管

宽带隙半导体晶体管具有低功耗、高工作电压和高迁移率等优点，在高频和高功率电子产品中发挥着举足轻重的作用，如射频（RF）功率放大器和电源转换器。为了驱动和控制这些电子设备，以及满足电源开关应用和故障安全系统的要求，单片集成外围逻辑电路受到热切追求。然而，基于氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）的p沟道FET的低孔迁移率和空穴密度导致性能低于n沟道FET高性能和高可靠性的p沟道FET在常闭（增强模式）操

DT半导体材料 2024-09-09 615浏览
全球首款！美国国家材料科学研究所（NIMS）：N型导电性沟道金刚石场效应晶体管！

近期，美国国家材料科学研究所（NIMS）团队研发了世界上第一个基于金刚石n型沟道驱动的金属氧化膜半导体场效应晶体管（MOSFET）。该成果对于以普通电子器件IC为代表的单片集成化（在一个半导体基板内集成多个器件），实现其耐环境型互补式金属氧化膜半导体（CMOS）集成电路。该研究进展以“High-Temperature and High-Electron Mobility Metal-Oxide-S

DT半导体材料 2024-03-19 922浏览
集成低功耗pH传感器的离子敏感场效应晶体管（ISFET）

据麦姆斯咨询报道，德国弗劳恩霍夫光子微系统研究所（Fraunhofer IPMS）开发出一种用于芯片式pH值测量的传感层，并成功将其集成到离子敏感场效应晶体管（ISFET）中。Fraunhofer IPMS开发的具有新型传感层的ISFET结合了一个传统参比电极，可在pH值1~13范围内实现高度精确的pH值测量。该传感器芯片结构紧凑、不易破损，尺寸为5 mm x 5 mm，最小漂移< 20 µV/h

MEMS 2024-03-11 989浏览
综述：场效应晶体管与微流控器件的集成

开发更灵敏、更易制造和更易使用的传感器是近年来众多研究的主题。基于场效应晶体管（FET）的电化学传感器在各种传感器件的发展中受到了特别的关注，因为其易于操作且对于物质的可检测浓度范围广，是一种有前途的替代方案。目前，不同的研究课题组对基于场效应晶体管的传感器的测试结果表明，其在检测极限、灵敏度和响应时间方面具有一定的优势。此外，利用场效应晶体管开发的传感器具有小型化和用于免标记检测的可能性。鉴于上

MEMS 2023-07-29 949浏览
表面终端金刚石场效应晶体管的研究进展

摘要金刚石因具有极高热导率、5.5eV宽带隙、极高击穿电场、高固有载流子迁移率和低介电常数等优异性能，在高功率、高频、高温及低功率损耗电子器件领域中成为有力的竞争者。然而，研究人员对金刚石半导体掺杂技术进行了几十年的探索和优化，却仍然无法满足当前电子器件的应用需求。最近，随着H终端金刚石表面二维空穴气的发现，研究重心逐渐转向优化H终端金刚石的导电特性及制备场效应晶体管(FET)。综述了H终

DT半导体材料 2023-07-24 1402浏览
功率场效应晶体管原理及应用（PowerMOSFET)

文章首尾冠名广告正式招商，功率器件：IGBT，MOS，SiC，GaN，磁性器件，电源芯片，DSP，MCU，新能源厂家都可合作，有意者加微信号1768359031详谈。说明：本文来源网络；文中观点仅供分享交流，不代表本公众号立场，转载请注明出处，如涉及版权等问题，请您告知，我们将及时处理。电力电子技术与新能源通讯录：重点如何下载《电力电子技术与新能源》板块内高清PDF电子书点击文章底部阅读原文，访问

电力电子技术与新能源 2023-06-10 2072浏览
碳纳米管场效应晶体管生物传感器，用于新冠病毒快速检测

疾病快速筛查和社会生物安全保障需要对疾病相关标志物和强烈传染性的微生物、病毒能够快速精准检测。当前的主流检测手段有用于核酸检测的聚合酶链式反应（PCR），和用于抗原抗体检测的酶联免疫反应（ELISA）。ELISA检测的精度较低，难以实现早期的精准筛查；目前的金标准诊断方法是采用PCR技术检测，该技术具有特异性高、准确性好等优点，然而由于核心传感芯片灵敏度低，仍然面临着需要大量扩增而检测等待时间长的

MEMS 2023-05-01 1900浏览
基于硅纳米线场效应晶体管的ALT检测生物传感器平台

频繁检测血清丙氨酸氨基转移酶（ALT）的活性对于预防药物性肝损伤（DILI）至关重要。目前，ALT活性测量的金标准是一种基于吸光度的检测方法，需要在临床实验室中建立一个大型的自动化平台。由于ALT检测限于中央实验室，肝衰竭的预后指标和随后的临床干预之间的延迟可能是不可避免的。除了后勤负担和费力的过程之外，由于大型仪器的外形尺寸、购置成本和操作人员的要求等因素，这些测试在资源有限的环境下更不切实际。

MEMS 2023-03-07 1318浏览
基于场效应晶体管的高灵敏度柔性葡萄糖传感器

各种电子器件一直显示出作为生物传感器的潜力。近年来，人们对用于葡萄糖传感的先进技术进行了广泛的研究，例如光学传感、电化学传感和微波传感。这些技术已经越来越多地用于监测糖尿病患者，但是它们存在着灵敏度低、不稳定和制造工艺复杂等缺点。电子技术可以帮助解决几乎所有提到的问题。据麦姆斯咨询报道，近日，设拉子科技大学（Shiraz University of Technology）报道了一种基于场效应晶体管

MEMS 2022-12-30 1267浏览
芯报丨复旦大学微电子学院研究团队实现低功耗负量子电容场效应晶体管器件

聚焦:人工智能、芯片等行业欢迎各位客官关注、转发每日芯报1211期❶复旦大学微电子学院研究团队实现低功耗负量子电容场效应晶体管器件当前MOSFET器件的持续微缩所带来的功耗问题已经成为制约集成电路发展的主要瓶颈。复旦大学微电子学院朱颢研究团队、美国国家标准与技术研究院及美国乔治梅森大学，合作提出一种具有陡峭亚阈值摆幅的负量子电容晶体管器件。研究成果在第68届国际电子器件大会上发表。❷领跑集成电路1

AI芯天下 2022-12-11 1303浏览
现代电力电子器件-功率场效应晶体管（PowerMOSFET)

欢迎加入技术交流QQ群（2000人）：电力电子技术与新能源 739609936高可靠新能源行业顶尖自媒体在这里有电力电子、新能源干货、行业发展趋势分析、最新产品介绍、众多技术达人与您分享经验，欢迎关注微信公众号：电力电子技术与新能源(Micro_Grid)，论坛：www.21micro-grid.com，建立的初衷就是为了技术交流，作为一个与产品打交道的技术人员，市场产品信息和行业技术动态也是必不

电力电子技术与新能源 2022-03-27 1196浏览
取代GAA的下一代晶体管技术--CasFET（级联场效应晶体管）

欢迎关注创芯人才网搜索职位及简历普渡大学的研究人员在尝试设计下一代晶体管方面达到了一个里程碑，这可以延长硅基半导体的寿命。这种名为CasFET（级联场效应晶体管）的新设计是在晶体管微型化道路上迈出的又一步，可以实现更低的开关电压、更低的功耗和更密集的设计。普渡大学电气与计算机工程系 Katherine Ngai Pesic 和 Silvaco 研究助理教授蒂尔曼·库比斯 (Tillman Kubi

EETOP 2021-09-22 1808浏览
钙钛矿场效应晶体管中的离子迁移

来源：光子学报摘要：场效应晶体管是一种通过电压控制电路的电子开关，是现代电子技术的关键元件。随着新型半导体材料的发展，场效应晶体管沟道材料的选择更加多样化。近年来，钙钛矿材料作为一种新型的有机无机杂化半导体材料在光伏和发光领域发展迅速，但由于其本身具有离子迁移的特性，限制了其在场效应晶体管领域的发展。钙钛矿材料中的离子迁移能够引起栅极电场的部分屏蔽，影响栅极的调制作用，降低场效应晶体管的迁移率。本

DT半导体材料 2021-08-30 4942浏览
鳍式场效应晶体管之父

━━━━ 那是1995年。芯片技术一直遵循摩尔定律飞速发展，摩尔定律指出，由于晶体管的尺寸不断缩小，芯片上晶体管的数量大约每两年就会翻一番。然而地平线似乎不再无限。的确，这是第一次，整个半导体行业都在悄然预言摩尔定律的终结。当一个关键晶体管的尺寸从350纳米缩小到不足100纳米时，这就暗示了黄金时代将结束。就连美国政府也忧心忡忡——美国国防部高级研究计划局（DARPA）为此拉响了警报，

云脑智库 2021-05-12 2377浏览
国产芯片研究有新突破！低于1nm场效应晶体管器件来了

▲ 了解更多精彩内容点击上方蓝字关注我们垂直晶体管器件沟道长度降至 1nm 以下近日，《Nature Electronics》上发表了湖南大学刘渊团队的最新研究。该团队通过使用范德华金属集成的方法，成功将基于 MoS2 材料的垂直晶体管器件的沟道长度降低到了单原子层（小于 1 nm）级别。这一重要突破或将芯片性能提升到更高一层台阶

电子工程世界 2021-05-02 2600浏览

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56089689_... 评论文章 2025-01-07

砺芯慧感：量产薄膜铂电阻传感器，打破国外30年垄断
我这，原先V10.5跑的好好的代码，更新V11后，单片机初始化时就不断重启

vaov_3734... 评论文章 2025-01-06

FreeRTOSV11.0升级了多项重要功能，兼容V10版本

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