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V-NAND
三星将推出400+层第10代V-NAND
12月4日消息,据Tom's hardware报道,三星将在即将举行的国际固态电路会议(ISSCC)上展示新的超过400层3D NAND Flash,接口速度为5.6 GT/s。报道称,三星的第10代V-NAND保持了TLC(三级单元,或每个单元 3 位)架构,每个芯片的容量为1Tb(128 GB)。三星声称其新的超400层 3D TLC NAND Flash的存储密度为 28 Gb/mm²,仅略
皇华电子元器件IC供应商
2024-12-05
64浏览
三星量产第9代V-NAND,堆叠层数290层,为业界最高!
随着人工智能需求激增,需要大量图像和视频数据,NAND存储的价值也在不断上升。4月23日,三星电子宣布开始量产“1Terabit第9代V-NAND”,这在业内尚属首次。三星电子称,它实现了业界最小的单元尺寸,与上一代产品相比,位密度(每单位面积存储的位数)增加了约1.5倍,堆叠层数290层,为业界最高。第8代NAND只有236层。NAND 依靠垂直堆叠单元来确保存储空间。数据输入/输出速度较上一代
飙叔科技洞察
2024-04-25
606浏览
三星启动其首批第九代V-NAND闪存量产,大幅提升位密度与生产效率
巩固在NAND闪存市场的卓越地位。美通社消息,近日,三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产。凭借当前三星最小的单元尺寸和最薄的叠层厚度,三星第九代V-NAND的位密度比第八代V-NAND提高了约50%。此外,三星先进的“通道孔蚀刻”技术通过堆叠模具层来创建电子通路,可在双层结构中同时钻孔,达到三星最高的单元层数,从而最大限度地提高了制造生产率。第九代V-NAND配备了下一代NAN
全球TMT
2024-04-23
897浏览
三星即将量产290层V-NAND闪存
国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业! 不拘中国、放眼世界!关注世界半导体论坛↓↓↓4月17日消息,据韩媒报道,三星最早将于4月开始量产当前业界密度最高的290层第九代V-NAND(3D NAND)闪存芯片,这是继236层第八代V-NAND之后的又一重大进步,是当前业界可量产的最高堆叠层数。此外,三星计划在2025年推出430层V-NAND产品。业界人士表示,三星此举旨在满足人工智
中国半导体论坛
2024-04-17
502浏览
三星发布高性能PC固态硬盘,基于三星5纳米高端工艺和第七代V-NAND技术
(深圳2023年1月12日,美通社消息),三星宣布高性能PCIe 4.0 NVMe SSD(固态硬盘)-- PM9C1a的生产工作准备就绪。PM9C1a是基于三星5纳米(nm)高端工艺和第七代V-NAND技术的全新内存产品,将显著提升PC(个人计算机)和笔记本电脑的计算和游戏性能。三星半导体高性能SSD PM9C1a(1)凭借出色的处理速度,PM9C1a SSD不仅满足能够日常使用,更是对计算和游
全球TMT
2023-01-12
838浏览
DRAM正式迈入1β节点,美光LPDDR5X已送样丨三星闪存颗粒(V-NAND)的前世今生
美光宣布,采用其1β DRAM制程节点的合格样品将交付给选定的智能手机制造商和芯片组合作伙伴,并已与世界上最先进的DRAM技术节点实现批量生产准备。美光将在LPDDR5X产品首次推出下一代工艺技术,最高速度可达8.5 Gb/s。1β制程节点在性能、比特密度和功率效率方面都有显著的提高。移动产品将率先从 1β DRAM 的提升中获益,提升新一代智能手机的性能的同时,消耗更少的电力。对于支持从智能车辆
芯存社
2022-11-02
1471浏览
三星公布最新路线图:5年内量产1.4纳米、2030年实现1000层V-NAND
EETOP专注芯片、微电子,点击上方蓝字关注我们自 2017 年以来,三星每年举办一次“技术日”会议,公司发布新技术、讨论行业状况并公布未来计划。在2022 年Foundry Forum之后举行的2022 年技术日上,三星为其即将推出的 1.4nm 工艺节点、内存路线图以及扩大其行业影响力的目标制定了计划。在本文中,我们将讨论会议的一些主要亮点。着眼于 1.4nm在三星 2022 年代工论坛上,该
EETOP
2022-10-14
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228层!三星电子加快第八代V-NAND闪存开发进度
EETOP消息,据韩国媒体businesskorea报道,三星电子公司的一位高级官员6月8日表示,该公司正在加速开发具有200层以上的V-NAND闪存。 "公司已经获得了具有200层以上的第八代V-NAND解决方案的工作芯片,并计划根据消费者的需求将其推向市场。"执行副总裁兼闪存产品与技术负责人Song Jai-hyuk在该公司新闻室发表的一篇文章中说。 三星电子目前正在进行研
EETOP
2021-06-09
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