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2024-04-18
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2023-12-11
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2023-02-09
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2022-07-29
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2022-07-05
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2022-06-07
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VDMOS交流特性（视频课程）
限制VDMOS开关时间和截止频率的主要因素是器件本征电容和寄生电容的充放电过程，尤其是器件元胞P阱间的栅漏电容。 VDMOS的上升延迟时间tdon、上升时间tr、下降延迟时间tdoff、下降时间tf的关系可分别表示为：式中Rg为器件外接电阻，Vth为阈值电压，Vgs是外加栅源电压，vgs是使器件漏源间电压下降到外加值10％时的栅源电压。Cin是器件的输入电容。Cgs是器
半导体技术人
2022-04-23
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低压VDMOS手动设计（视频）
VDMOSFET的电学参数主要包括静态参数和动态参数。 静态参数主要有:击穿电压（Breakdown Voltage）、导通电阻（Ron-state）、阈值（Vth）；动态参数主要有：导通延时时间td-on、关断延时时间td-off、上升时间tr、下降时间tf等。 以平面栅低压VDMOS为例，介绍其手动设计方法。在纵向结构参数设计中，介绍了外延层厚度、外延层掺杂浓度的设计依据；栅
半导体技术人
2022-04-22
1168浏览
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2021-10-29
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2021-08-19
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xxdg
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2025-01-05
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