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SiC-MOSFET
三菱电机|推出两款新型SBD嵌入式SiC-MOSFET模块
三菱电机株式会社昨日宣布,该公司已于 6 月 10 日起开始为大型工业设备(包括机车车辆和电力系统)出货低电流 3.3kV/400A 和 3.3kV/200A 版本的肖特基势垒二极管 (SBD) 嵌入式碳化硅 (SiC) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 模块。与现有的 3.3kV/800A 版本一起,新命名的 Unifull TM系列包含三个模块,以满足大型工业设备对能够提高功率输
碳化硅芯观察
2024-06-10
1162浏览
三菱电机|基于新型结构的SiC-MOSFET
News Releases三菱电机成功开发基于【新型结构】的SiC-MOSFET新型芯片结构能有效防止浪涌电流集中在特定芯片上图1新开发的芯片结构(上:芯片截面;下:并联芯片)三菱电机集团近日(2023年6月1日)宣布,其开发出一种集成SBD的SiC-MOSFET新型结构,并已将其应用于3.3kV全SiC功率模块——FMF800DC-66BEW,适用于铁路、电力系统等大型工业设备。样品于5月31日
碳化硅芯观察
2023-06-27
1195浏览
SiC-MOSFET特征及与Si-MOSFET、IGBT的区别
欢迎加入技术交流QQ群(2000人):电力电子技术与新能源 954221326高可靠新能源行业顶尖自媒体在这里有电力电子、新能源干货、行业发展趋势分析、最新产品介绍、众多技术达人与您分享经验,欢迎关注微信公众号:电力电子技术与新能源(Micro_Grid),论坛:www.21micro-grid.com,建立的初衷就是为了技术交流,作为一个与产品打交道的技术人员,市场产品信息和行业技术动态也是必不
电力电子技术与新能源
2022-09-12
2091浏览
SiC-MOSFET特征及与Si-MOSFET、IGBT的区别
欢迎加入技术交流QQ群(2000人):电力电子技术与新能源 954221326高可靠新能源行业顶尖自媒体在这里有电力电子、新能源干货、行业发展趋势分析、最新产品介绍、众多技术达人与您分享经验,欢迎关注微信公众号:电力电子技术与新能源(Micro_Grid),论坛:www.21micro-grid.com,建立的初衷就是为了技术交流,作为一个与产品打交道的技术人员,市场产品信息和行业技术动态也是必不
电力电子技术与新能源
2022-07-18
2766浏览
碳化硅(SiC)功率器件篇之SiC-MOSFET
1. 器件结构和特征Si材料中越是高耐压器件,单位面积的导通电阻也越大(以耐压值的约2~2.5次方的比例增加),因此600V以上的电压中主要采用IGBT(绝缘栅极双极型晶体管)。IGBT通过电导率调制,向漂移层内注入作为少数载流子的空穴,因此导通电阻比MOSFET还要小,但是同时由于少数载流子的积聚,在Turn-off时会产生尾电流,从而造成极大的开关损耗。SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低,不需
半导体工艺与设备
2021-09-29
3847浏览
价值4000元,罗姆SiC-MOSFET评估板 免费赠送!
罗姆第三代SiC MOSFET功率元器件为沟槽式结构,具有高速开关、低导通电阻的特点,寄生二极管的反向恢复工作特性更佳、功率损耗大幅降低,开关损耗降低73%。可广泛应用于太阳能功率调节器、电源、车载(EV/PHEV)用充电器和DC/DC转换器等,助力工业设备和汽车领域实现节能和小型化。参数说明:P02SCT3040KR-EVK-001• 罗姆SCT3040KR(1200V 40mΩ TO-247-
面包板社区
2021-07-03
1015浏览
价值4000元,罗姆SiC-MOSFET评估板 免费赠送!
罗姆第三代SiC MOSFET功率元器件为沟槽式结构,具有高速开关、低导通电阻的特点,寄生二极管的反向恢复工作特性更佳、功率损耗大幅降低,开关损耗降低73%。可广泛应用于太阳能功率调节器、电源、车载(EV/PHEV)用充电器和DC/DC转换器等,助力工业设备和汽车领域实现节能和小型化。参数说明:P02SCT3040KR-EVK-001• 罗姆SCT3040KR(1200V 40mΩ TO-247-
面包板社区
2021-06-29
988浏览
PCIM展台巡礼 | 基于SiC-MOSFET自然散热设计的一体化伺服电机系统
7月6日,英飞凌PCIM欧洲虚拟展台如期而至。 英飞凌展台 : 25个展台 18场技术报告 11篇大会论文和报告 海量展台资料下载 PCIM欧
英飞凌工业半导体
2020-07-04
2264浏览
设计精讲之SiC-MOSFET的隔离型准谐振转换器
本文介绍的内容是电源电路中常用的缓冲电路的组成元器件和常数。这里的缓冲电路不仅用于本文中的准谐振转换器,还用于其他文章中提到的反激式转换器。什么是缓冲电路缓冲电路是抑制浪涌的电路。在本例中是为了抑制输入浪涌而设置在输入端,其实也可用于输出端。由于输入连接于变压器的一次侧,所以受变压器的漏电感影响,当MOSFET从ON变为OFF的瞬间,将产生较大的浪涌电压(尖峰噪声)。这种浪涌电压施加在MOSFET
贸泽电子设计圈
2019-06-13
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