SiC-MOSFET - 电子工程专辑

SiC-MOSFET

三菱电机｜推出两款新型SBD嵌入式SiC-MOSFET模块

三菱电机株式会社昨日宣布，该公司已于 6 月 10 日起开始为大型工业设备（包括机车车辆和电力系统）出货低电流 3.3kV/400A 和 3.3kV/200A 版本的肖特基势垒二极管 (SBD) 嵌入式碳化硅 (SiC) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 模块。与现有的 3.3kV/800A 版本一起，新命名的 Unifull TM系列包含三个模块，以满足大型工业设备对能够提高功率输

碳化硅芯观察 2024-06-10 892浏览
三菱电机|基于新型结构的SiC-MOSFET

News Releases三菱电机成功开发基于【新型结构】的SiC-MOSFET新型芯片结构能有效防止浪涌电流集中在特定芯片上图1新开发的芯片结构（上:芯片截面；下:并联芯片）三菱电机集团近日（2023年6月1日）宣布，其开发出一种集成SBD的SiC-MOSFET新型结构，并已将其应用于3.3kV全SiC功率模块——FMF800DC-66BEW，适用于铁路、电力系统等大型工业设备。样品于5月31日

碳化硅芯观察 2023-06-27 1090浏览
SiC-MOSFET特征及与Si-MOSFET、IGBT的区别

欢迎加入技术交流QQ群（2000人）：电力电子技术与新能源 954221326高可靠新能源行业顶尖自媒体在这里有电力电子、新能源干货、行业发展趋势分析、最新产品介绍、众多技术达人与您分享经验，欢迎关注微信公众号：电力电子技术与新能源(Micro_Grid)，论坛：www.21micro-grid.com，建立的初衷就是为了技术交流，作为一个与产品打交道的技术人员，市场产品信息和行业技术动态也是必不

电力电子技术与新能源 2022-09-12 2008浏览
SiC-MOSFET特征及与Si-MOSFET、IGBT的区别

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电力电子技术与新能源 2022-07-18 2475浏览
碳化硅（SiC）功率器件篇之SiC-MOSFET

1. 器件结构和特征Si材料中越是高耐压器件，单位面积的导通电阻也越大（以耐压值的约2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的电压中主要采用IGBT（绝缘栅极双极型晶体管）。IGBT通过电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此导通电阻比MOSFET还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在Turn-off时会产生尾电流，从而造成极大的开关损耗。SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低，不需

半导体工艺与设备 2021-09-29 3580浏览
价值4000元，罗姆SiC-MOSFET评估板免费赠送！

罗姆第三代SiC MOSFET功率元器件为沟槽式结构，具有高速开关、低导通电阻的特点，寄生二极管的反向恢复工作特性更佳、功率损耗大幅降低，开关损耗降低73%。可广泛应用于太阳能功率调节器、电源、车载(EV/PHEV)用充电器和DC/DC转换器等，助力工业设备和汽车领域实现节能和小型化。参数说明：P02SCT3040KR-EVK-001• 罗姆SCT3040KR(1200V 40mΩ TO-247-

面包板社区 2021-07-03 985浏览
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面包板社区 2021-06-29 966浏览
PCIM展台巡礼 | 基于SiC-MOSFET自然散热设计的一体化伺服电机系统

7月6日，英飞凌PCIM欧洲虚拟展台如期而至。英飞凌展台： 25个展台 18场技术报告 11篇大会论文和报告海量展台资料下载 PCIM欧

英飞凌工业半导体 2020-07-04 2165浏览
设计精讲之SiC-MOSFET的隔离型准谐振转换器

本文介绍的内容是电源电路中常用的缓冲电路的组成元器件和常数。这里的缓冲电路不仅用于本文中的准谐振转换器，还用于其他文章中提到的反激式转换器。什么是缓冲电路缓冲电路是抑制浪涌的电路。在本例中是为了抑制输入浪涌而设置在输入端，其实也可用于输出端。由于输入连接于变压器的一次侧，所以受变压器的漏电感影响，当MOSFET从ON变为OFF的瞬间，将产生较大的浪涌电压（尖峰噪声）。这种浪涌电压施加在MOSFET

贸泽电子设计圈 2019-06-13 1377浏览

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