SiCMOSFET - 电子工程专辑

SiCMOSFET

新品|6.5A，5.7kVRMS单通道带隔离电源的栅极驱动器评估板——SiCMOSFET半桥电路

新品6.5A，5.7 kVRMS单通道带隔离电源的栅极驱动器评估板——SiC MOSFET半桥电路该评估板用于评估半桥电路中的1ED314xMC12H隔离栅极驱动器IC。该电路板包括两个1ED314xMC12H隔离栅极驱动器，两个IMZA120R020M1H CoolSiC™ 1200V SiC沟槽SiC MOSFET。评估板由采用EiceDRIVER™ Power 2EP130R变压器驱动器IC

英飞凌工业半导体 2025-04-15 34浏览
新品|采用电平位移驱动器和碳化硅SiCMOSFET交错调制图腾柱5kWPFC评估板

新品采用电平位移驱动器和碳化硅SiC MOSFET交错调制图腾柱5kW PFC评估板电子设备会污染电网，导致电网失真，威胁着供电系统的稳定性和效率。为此，电源设计中需要采用先进的功率因数校正（PFC）电路。PFC通过同步输入电流和电压波形来确保高功率因数。通过使用PFC，电源系统可以减少失真，保持稳定高效的供电。EVAL-1EDSIC-PFC-5KW是用于5kW交错图腾柱PFC（功率因数校正）的完

英飞凌工业半导体 2025-03-20 112浏览
eVTOL电控技术创新，采用分立SiCMOSFET

2月20日，国外媒体“RealIZM 博客”报道了一个eVTOL垂直升降飞行器的碳化硅电控设计创新案例，在碳化硅技术方面，该电控有2个亮点：▲ SiC采用了分立式SMD单管封装形式，而不是常规模块。▲ 单个电控的SiC MOSFET芯片用量合计60颗，而且整个eVTOL需要用到8个电机电控，合计芯片用量480颗，大概7台eVTOL可以消耗10片碳化硅衬底，2035年SiC MOSFET用量超200

行家说汽车半导体 2025-02-22 430浏览
国产SiCMOSFET，正在崛起

SiC（碳化硅），已经成为车企的一大卖点。而在此前，有车企因是否全域采用SiC MOSFET，发生激烈舆论战。可见，SiC这一市场在汽车领域颇有潜力。不过，近几年国内SiC MOSFET发展飞速，诞生了众多产品，同时陆续过车规，让人眼花缭乱。所以我们邀请到了众多工程师，分享自己曾经接触过，或者从其他厂商中听到过的SiC产品，并且分享自己对于MOSFET选型时的一些心得，看看有没有心中的那一颗。备受

电子工程世界 2025-01-07 137浏览
栅极驱动器选得好，SiCMOSFET高效又安全

本文作者：Bob Card，安森美营销经理硅基MOSFET和IGBT过去一直在电力电子应用行业占据主导地位，这些应用包括不间断电源、工业电机驱动、泵以及电动汽车（EV）等。然而，市场对更小型化产品的需求，以及设计人员面临的提高电源能效的压力，使得碳化硅（SiC）MOSFET成为这些应用中受欢迎的替代品。与硅基MOSFET一样，SiCMOSFET的工作特性和性能也依赖于栅极驱动电路的设计，该电路负责

安森美 2024-12-31 248浏览
【新品介绍】首款新型TPSMB非对称TVS二极管为汽车SiCMOSFET提供卓越的栅极驱动器保护

专为下一代电动汽车基础设施而设计，为高能效车载充电和逆变器提供结构紧凑的单元件解决方案Littelfuse宣布推出TPSMB非对称TVS二极管系列，这是首款上市的非对称瞬态电压抑制（TVS）二极管，专门用于保护汽车应用中的碳化硅（SiC）MOSFET栅极驱动器。这一创新产品满足下一代电动汽车（EV）系统对可靠过压保护日益增长的需求，提供一种结构紧凑的单元件解决方案，取代了传统用于栅极驱动器保护的

力特奥维斯Littelfuse 2024-12-30 293浏览
为什么超大规模数据中心要选用SiCMOSFET？

点击蓝字关注我们如今，数据中心迫切需要能够高效转换电能的功率半导体，以降低成本并减少排放。更高的电源转换效率意味着发热量减少，从而降低散热成本。电源系统需要更低的系统总成本和紧凑的尺寸；因此必须提高功率密度，尤其是数据中心的平均功率密度正在迅速攀升。从十年前的每个1U机架通常只有5 kW，增加到现在的20 kW、30 kW 或更高。图1：数据中心供电：从电网到GPU电源供应器(PSU)还必须满足

安森美 2024-12-23 216浏览
SiCMOSFET技术路线及竞争格局

1、中国MOSFET行业竞争派系MOSFET行业是技术壁垒较高的行业，在高压MOSFET依旧有部分尖端产品未实现国产替代的背景下，中国MOSFET行业可以划分为国内厂商和海外厂商两大派系，其中国内厂商数量较多，代表性的包括华润微电子、士兰微、韦尔半导体等，海外则包括英飞凌、安森美、意法半导体等厂商。随着国内厂商的技术水平持续上升，国内厂商在MOSFET市场中的市占率将呈现出增长的态势。2、中国MO

EV汽车邦 2024-12-13 531浏览
技术｜平面和沟槽结构的SiCMOSFET在正负电场应力下的栅氧可靠性

本文研究了在150°C下，硅碳化物（SiC）平面和非对称沟槽MOSFETs在广泛的正负Eox应力范围内的栅氧可靠性。分析了在Eox应力下，两种器件的Vth（阈值电压）随应力时间的变化。解释了在SiO2中电子捕获和空穴捕获的过程，以及这些过程对Vth的影响。根据SiC平面和沟槽MOSFETs在150°C下的Igss（漏电流）和氧化物击穿电压，计算了隧穿势垒高度和氧化物厚度。此外，讨论了在不同Eox水

碳化硅芯观察 2024-11-18 1313浏览
市场｜主驱碳化硅芯片竞速，日本厂商持续发力！东芝半导体、三菱电机正式推出车规级SiCMOSFET裸芯片产品

今日，东芝电子发布消息称：东芝电子元件及存储装置株式会社已开发出“X5M007E120”，这是一款用于汽车牵引逆变器的裸片1200V 碳化硅 (SiC) MOSFET，具有创新结构，可实现低导通电阻和高可靠性。测试样品现已发货，供客户评估。东芝：X5M007E120，一款用于汽车牵引逆变器的裸片 1200V 碳化硅 (SiC) MOSFET 具有创新结构，可实现低导通电阻和高可靠性根据东芝披露的信

碳化硅芯观察 2024-11-12 424浏览
选好栅极驱动器，SiCMOSFET性能、效率和安全性三管齐下

点击蓝字关注我们电隔离式（GI）栅极驱动器在优化碳化硅（SiC）MOSFET性能方面扮演着至关重要的角色，特别是在应对电气化系统日益增长的需求时。随着全球对电力在工业、交通和消费产品中依赖性的加深，SiC技术凭借其提升效率和缩小系统体积的能力脱颖而出。本文为第一篇，将分享MOSFET、栅极驱动器及电隔离栅极驱动器的基础知识，还将介绍电隔离栅极驱动器选型指南。随着我们的世界日益电气化，用于运行各类

安森美 2024-10-23 475浏览
【新品介绍】业界首款用于SiCMOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极管系列

数据中心、电动汽车基础设施和工业设备中高效电源解决方案的理想选择Littelfuse宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管，这是市场上首款非对称瞬态抑制解决方案，专为保护碳化硅（SiC）MOSFET栅极免受过压事件影响而设计。与传统的硅MOSFET和IGBT相比，SiC MOSFET的开关速度更快、效率更高，因此越来越受到欢迎，对稳健栅极保护的需求也越来越大。SMFA非对称系列提供了一种

力特奥维斯Littelfuse 2024-10-22 442浏览
新闻|罗姆第4代SiCMOSFET大量应用于吉利旗下品牌“极氪”3款车型

～应用于主机逆变器，有助于延长续航里程，提升性能～日前，搭载了罗姆（总部位于日本京都市）第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块成功应用于浙江吉利控股集团（以下简称“吉利”）的电动汽车（以下称“EV”）品牌“极氪”的“X”、 “009”、 “001”3种车型的主机逆变器上。自2023财年起，这款功率模块经由罗姆和正海集团的合资公司—上海海姆希科半导体有限公司批量供货给吉利旗下Tier1厂商——宁

罗姆半导体集团 2024-09-04 522浏览
罗姆第4代SiCMOSFET裸芯片批量应用于吉利集团电动汽车品牌“极氪”3种主力车型！

日前，搭载了罗姆(总部位于日本京都市)第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块成功应用于浙江吉利控股集团(以下简称“吉利”)的电动汽车(以下称“EV”)品牌“极氪”的“X”、 “009”、 “001”3种车型的主机逆变器上。自2023财年起，这款功率模块经由罗姆和正海集团的合资公司—上海海姆希科半导体有限公司批量供货给吉利旗下Tier1厂商——宁波威睿电动汽车技术有限公司。吉利和罗姆自2018年

皇华电子元器件IC供应商 2024-09-02 811浏览
芯联集成｜上半年业绩报公布，SiCMOSFET业务增长300%

8月30日晚，芯联集成交出2024年上半年业绩答卷。公司半年度营业收入为28.80亿元，同比增长14.27%；主营业务收入为27.68亿元，同比增长为11.51%；2024年半年度实现归属于母公司所有者的净利润为-4.71亿元，与上年同期相比减亏6.38亿元，同比减亏57.53%。主营收入和净利润的大幅提升受益于行业下游比如新能源汽车及消费市场需求复苏，公司新建产线收入的快速增长也直接提升了公司营

碳化硅芯观察 2024-08-30 844浏览
SiCMOSFET门极驱动设计与挑战

欢迎加入技术交流QQ群（2000人）：电力电子技术与新能源 1003941203高可靠新能源行业顶尖自媒体在这里有电力电子、新能源干货、行业发展趋势分析、最新产品介绍、众多技术达人与您分享经验，欢迎关注微信公众号：电力电子技术与新能源(Micro_Grid)，论坛：www.21micro-grid.com，建立的初衷就是为了技术交流，作为一个与产品打交道的技术人员，市场产品信息和行业技术动态也是必

电力电子技术与新能源 2024-08-24 504浏览
资讯|支持PSIM™的第4代SiCMOSFET仿真模型

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开始提供支持电力电子仿真工具PSIM™的第4代SiC MOSFET仿真模型。该模型可在Altair® US公司开发的电力电子和电机控制用的电路仿真工具PSIM™中使用。设计人员可从ROHM官网下载模型文件，轻松进行系统级评估。这一进展使得在更广泛的产业领域中进行高效设计和评估成为可能，并能进一步推动功率元器件的使用。PSIM™的特点稳健、高速的功率

罗姆半导体集团 2024-08-21 554浏览
技术|SiCMOSFET栅极应力测试

了解半导体器件的故障模式是创建筛选、鉴定和可靠性测试的关键，这些测试可以确保器件在数据表规定的范围内运行，并满足汽车和其他电源转换应用中要求的越来越严格的十亿分之一故障率。在本文中，我们将讨论对碳化硅 MOSFET 器件执行的栅极开关应力 (GSS) 测试。这些数据是在 APEC 2024 会议上由奥维耶多大学 (西班牙) 电源系统组和 onsemi (比利时) 合作提供的。SiC MOSFET

碳化硅芯观察 2024-08-06 647浏览
技术｜基于可变电流驱动的SiCMOSFET开关轨迹优化方法

前言：碳化硅 (SiC) MOSFET 性能优于传统硅 (Si) MOSFET，具有开关速度更快、导通电阻更低、击穿电压更高、工作温度耐受性更强等特点。这些特性使得 SiC MOSFET 非常适合电动汽车、充电站和移动设备中的应用。然而，其快速的开关速度会加剧器件开关过程中的电流和电压过冲和振荡，导致器件损耗增加或潜在损坏。为了解决这个问题，本文提出了一种电流型有源栅极驱动 (AGD) 电路。该电

碳化硅芯观察 2024-08-01 615浏览
PCIM2024论文摘要｜并联SiCMOSFET的均流研究

/ 摘要 /并联SiC MOSFET面临着许多技术挑战,包括电流不平衡、不同的热性能、过电压等。本文介绍了不同参数对并联SiC MOSFET分流影响的理论分析和数学计算。提出了基于SPICE模型的Simetrix仿真,以研究不同参数对分流的影响。最后提出了驱动电路设计建议和栅极电阻设计方法。导言随着市场和应用的发展,高额定功率和高功率密度成为越来越重要的趋势。目前，碳化硅(SiC)MOSFET因其

英飞凌工业半导体 2024-07-24 903浏览
驱动SiCMOSFET有多容易？

认真学习本文，回答文末三个问题，即有机会获取评估板，自己上手做测试，体验英飞凌新一代驱动器的强大功能！得益于宽禁带半导体的材料优势，SiC MOSFET在电力电子行业中的应用越来越广泛。SiC MOSFET很多性能与传统Si基器件不同，对驱动设计也提出了更高的要求。为了最大化利用SiC MOSFET的性能优势，驱动芯片的选择需要着重考虑如下几个方面：1更高的轨到轨电压IGBT的驱动电压一般都是15

英飞凌工业半导体 2024-07-11 1049浏览
R课堂|在EV应用中使用第4代SiCMOSFET的效果：图腾柱PFC实机评估

‍‍本文的关键要点・图腾柱PFC是作为可提高效率的PFC转换器在近年来备受关注的拓扑。・经确认，在图腾柱PFC中使用第4代SiC MOSFET时，在整个负载范围内均可获得比第3代更高的效率。资料下载SiC功率元器件基础更多内容点击前往R课堂下载中心查看继前一篇的“装入牵引逆变器实施模拟行驶试验”之后，本文将介绍在相同的BEV电源架构的组成模块之一—OBC的双向图腾柱PFC中使用第4代SiC MOS

罗姆半导体集团 2024-06-26 466浏览
R课堂|SiCMOSFET：通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法

本文的关键要点・可以在线性近似有效范围内对所测得的波形进行分割，并使用示例公式进行损耗的近似计算。・MOSFET开关工作时的总功率损耗是开关损耗和导通损耗之和。资料下载SiC功率元器件基础更多内容点击前往R课堂下载中心查看本文将介绍根据在上一篇文章中测得的开关波形，使用线性近似法来计算功率损耗的方法。开关波形的测量方法通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法根据测得波形计算功率损耗示例各种波形的开关

罗姆半导体集团 2024-05-29 796浏览
SiCMOSFET芯片并联的关键技术

由于SiC MOSFET芯片本身尺寸限制，以及对更高功率等级的追求，SiC 通常采用多芯片并联来提高器件的输出电流能力。由于开关速度很快，并联的两个MOSFET芯片间容易产生开关瞬态振荡，从而可能导致电磁干扰以及电流分配不均问题。并联背后的物理原因及解决方案，请点击以下视频。▲点击上方视频，即可播放观看参考阅读SiC MOSFET模块的硬并联如何并联CoolSiC™ MOSFET Easy模块（第

英飞凌工业半导体 2024-05-28 672浏览
【新品介绍】用于SiCMOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器

可提供量身定制的导通和关断时序，将开关损耗降至最低，并增强dV/dt抗扰性能Littelfuse宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）。IX4352NE低侧栅极驱动器 IX4352NE的主要优势在于其独立的9A拉/灌电流输出，支持量身定制的导通和关断时序，同时

力特奥维斯Littelfuse 2024-05-23 531浏览

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真的是，硬要逼我用ViewTurbo

用户17445... 评论文章 2025-04-13

Github屏蔽中国IP！！中美关税大战的战火还是烧到科技圈
A1，寓意，美国作为人造这一领域的第一人

自做自受评论文章 2025-04-13

尴尬！美教育部长将AI读成Aone

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