SiCMOS - 电子工程专辑

SiCMOS

致瞻科技：SiCMOS是800V汽车空调的首选

致瞻科技创始人史经奎和浙江大学团队发表了题为《SiC MOSFET：800V电动汽车空调压缩机的必然趋势》的论文。该团队旗帜鲜明地指出，与硅基IGBT相比，SiC MOSFET是800V电动汽车电动压缩机的首选（获取该文献请加微信：hangjiashuo888）。为了向汽车用户展示800V电动汽车空调电动压缩机采用SiC MOSFET的好处，该团队采用保时捷Taycan Turbo S进行详细的系

行家说汽车半导体 2025-04-02 235浏览
平湖实验室：沟槽SiCMOS新工艺，无需离子注入

插播：英诺赛科、能华半导体、致能科技、京东方华灿光电、镓奥科技等已确认参编《2024-2025氮化镓（GaN）产业调研白皮书》，演讲或摊位咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。目前，车规级SiC MOSFET有两种电压等级：650V和1200V。其中，1200V SiC MOSFET的比导通电阻范围约为3-4 mΩ·cm²，其中沟道电阻对导通电阻的贡献很大，约为0.5mΩ·cm²，这增

第三代半导体风向 2025-03-29 460浏览
福特汽车：SiCMOS检测新方法，低成本、更简单

最近，国产SiC MOSFET质量问题感觉有点被“以偏概全”、过度放大了，一定程度影响了整体国产品牌的声誉，但实际上一些头部国产品牌的碳化硅器件质量管控体系还是不错，行业还是要看到和可能近些年国产碳化硅的进步，而且需要给更多的国产品牌一些成长的“时”和“机”。客观来说，对于在怎么用好或者充分发挥SiC MOSFET的优势，全球企业都在进一步摸索和优化阶段，尤其是在检测SiC MOSFET可靠性问题

行家说汽车半导体 2025-03-27 167浏览
144颗SiCMOS！保时捷披露新型逆变器

插播：5月15日，“电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会”活动将在上海举办，演讲或摊位咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。3月19日，保时捷发表了一篇题为《模块化多电平SiC逆变器：将直流电转换为交流电》的文章，他们提出了一个新的概念 “交流电池（AC battery）”，这种交流可重构电池系统有以下几个亮点：● 高度集成：电池、BMS、电控、低压DC-DC和OBC集成为

第三代半导体风向 2025-03-21 598浏览
新商机！SiCMOS是瞬变电磁发射机设计趋势

插播：英诺赛科、能华半导体、京东方华灿光电等企业公司参编《2024-2025氮化镓（GaN）产业调研白皮书》，参编咨询请加微信（hangjiashuo888）。近日，中南大学地球科学与信息物理学院和无锡职业技术学院的研究团队发表一篇题为《基于SiC MOSFET的浅层高分辨瞬变电磁发射机研制》论文。瞬变电磁法是无损地球物理探测仪市场的发展趋势，而且应用范围不断在扩大。瞬变电磁发射机作为瞬变电磁法勘

行家说汽车半导体 2025-03-13 335浏览
瑶芯微电子：8吋SiCMOS今年量产，技术迭代持续降本、高品质稳定供应

回顾2024年，碳化硅和氮化镓行业在多个领域取得了显著进步，并经历了重要的变化。展望2025年，行业也将面临新的机遇和挑战。为了更好地解读产业格局，探索未来的前进方向，行家说三代半与行家极光奖联合策划了《第三代半导体产业-行家瞭望2025》专题报道。本期嘉宾是瑶芯微电子副总裁、功率产品事业部负责人陈开宇。接下来，我们将继续邀请更多领军企业参与《行家瞭望2025》，敬请期待。SiC产业“百家争鸣”需

第三代半导体风向 2025-01-22 353浏览
士兰微+清纯宣布联手：目标8吋、沟槽SiCMOS

今天（1月9日），清纯半导体官微消息，他们与士兰微电子2024年终总结会在杭州士兰微电子股份有限公司顺利举行。士兰微电子董事长陈向东与清纯半导体董事长张清纯及双方研发、运营和产线相关人员共同出席。加入碳化硅大佬群，请加微信：hangjiashuo999据介绍，双方全面回顾了过去一年来在研发、代工、量产和产业协同上的合作情况；面向2025年，双方将继续深化在碳化硅领域的合作，并在会议上围绕新品规划、

第三代半导体风向 2025-01-09 1822浏览
市场｜备战50显卡需求，微星发布全球首款采用服务器级SiCMOS的PSU

近日，全球前三大主板厂商和显卡生产商之一的微星，宣布推出两款专为最新RTX 50系列显卡设计的高性能电源新品：MEG Ai1600T PCIE5与MPG A1250GS PCIE5，以尖端技术和创新设计重新定义高性能电力供应。与微星以往的MPG系列电源产品相比，MPG A1250GS PCIE5已升级至1250瓦功率输出，并配备双12V-2x6连接器，以支持高端GPU计算和满足AI需求的双GPU系

碳化硅芯观察 2025-01-07 299浏览
又一企业量产沟槽SiCMOS，8吋晶圆线明年竣工

插播：12月11-12日，华太电子、合盛新材料、安世半导体、三安半导体、士兰微、致领半导体、恒普技术、思锐智能、创锐光谱、快克芯装备、意法半导体、瑞霏光电、华卓精科及高泰新材等企业将出席【行家说三代半年会】，带来近30场主题演讲，报名请点文末“阅读原文”。[关注“行家说功率半导体与新能源”，快速掌握产业最新动态]11月12日，三菱电机宣布，将于11月14日开始交付碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场

行家说汽车半导体 2024-11-12 285浏览
2个晶圆厂新进度：正式投片；车规SiCMOS亮相

插播：合盛新材料、芯聚能、安海半导体、三安半导体、烁科晶体、天岳先进、青禾晶元、恒普技术、华卓精科、快克芯装备、泰坦未来、东尼电子、科友半导体、长联半导体、瑶芯微、致领半导体、奥亿达新材料、瑞霏光电、才道精密、亿值旺、纯水一号、中科光智、成都炭材、思锐智能、三义激光、中电化合物、森国科、士兰微、清软微视、清连科技、弘信新材、高泰新材、创锐光谱等已正式参编《2024碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，

第三代半导体风向 2024-09-23 689浏览
士兰微｜自有SiCMos已批量应用于主驱，产能达9000片/月

8月19日晚，功率半导体IDM龙头士兰微(600460)发布半年度业绩报告，2024年上半年营业收入约52.74亿元，同比增加17.83%，创出历史同期新高。公司营业利润为 14,743 万元，比 2023 年同期增加亏损 8,755 万元；公司利润总额为 15,530 万元，比 2023年同期增加亏损 9,465 万元；公司归属于母公司股东的净利润为 2,492 万元，比 2023 年同期减少亏

碳化硅芯观察 2024-08-20 1209浏览
SiCMOS技术争霸！安森美/英飞凌/汉磊等推新成果

插播：合盛新材料、芯聚能、安海半导体、三安半导体、烁科晶体、天岳先进、恒普技术、华卓精科、快克芯装备、青禾晶元、东尼电子、科友半导体、长联半导体、致领半导体、奥亿达新材料、瑞霏光电、才道精密、中电化合物、森国科、清软微视等已正式参编《2024碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，详情请点文章底部“阅读原文”。近期，安森美、英飞凌及汉磊等6家国内外SiC玩家都在不断推陈出新，推出最新一代SiC MOSF

第三代半导体风向 2024-07-24 869浏览
SiCMOS新技术，沟道迁移率有望提升5倍

众所周知，SiC MOSFET的研发重点之一就是提高栅氧界面（SiO2/SiC）的沟道迁移率，以及降低界面缺陷以提升器件可靠性。近日，业界又有一项新技术在这方面实现了新的突破。东京大学、三菱电机的研究人员在《AlP Advances》期刊上发表了一篇名为《SiO2/4H–SiC界面掺入硼浓度与陷阱钝化减少的关系》的文章，探讨了硼元素在碳化硅氧化后退火工序中的重要作用。该研究表明：● 采用硼元素对S

第三代半导体风向 2024-07-08 1539浏览
天科合达助力芯联集成SiCMOS出货！

2月7日，天科合达官微发文称，为表达对天科合达在2023年度优质碳化硅（SiC）衬底供应方面的感谢，芯联集成（原“中芯集成”）将天科合达评为其"2023年度优秀供应商"。source：天科合达天科合达表示，公司为国内领先的晶圆制造/代工企业芯联集成提供极具性价比优势的SiC衬底，产品质量稳定达到车规级品质要求。在2023年，天科合达的产能得到飞速提升，与芯联集成等企业需求放量实现完美匹配。芯联集成

化合物半导体市场 2024-02-07 853浏览
芯塔电子：SiCMOS进入新能源汽车供应链，新产线3月量产

回首2023，碳化硅和氮化镓行业取得了哪些进步？出现了哪些变化？2024将迎来哪些新机遇和新挑战？为更好地解读产业格局，探索未来的前进方向，行家说三代半、行家极光奖联合策划了《行家瞭望——2024，火力全开》专题报道。本期嘉宾是芯塔电子董事长兼总经理倪炜江。接下来还将有更多的领军企业参与《行家瞭望》，敬请期待。SiC MOS出货超100万只模块项目3月量产爬坡行家说三代半：2023年贵公司取得了

第三代半导体风向 2024-02-02 857浏览
飞锃半导体：SiCMOS出货量飙升，5大策略应对“内卷”

回首2023，碳化硅和氮化镓行业取得了哪些进步？出现了哪些变化？2024将迎来哪些新机遇和新挑战？为更好地解读产业格局，探索未来的前进方向，行家说三代半、行家极光奖联合策划了《行家瞭望——2024，火力全开》专题报道。本期嘉宾是飞锃半导体CEO 周永昌。接下来还将有更多的领军企业参与《行家瞭望》，敬请期待。出货量突破2400万颗拓展车载OBC、光储应用行家说三代半：2023年贵公司取得了哪些成绩

第三代半导体风向 2024-01-24 1205浏览
中科汉韵：车规SiCMOS成功交付，致力成为一流IDM厂商

回首2023，碳化硅和氮化镓行业取得了哪些进步？出现了哪些变化？2024将迎来哪些新机遇和新挑战？为更好地解读产业格局，探索未来的前进方向，行家说三代半、行家极光奖联合策划了《行家瞭望——2024，火力全开》专题报道。本期嘉宾是中科汉韵副总经理陈刚。接下来还将有更多的领军企业参与《行家瞭望》，敬请期待。车规SiC晶圆出货超1000片 6大战略助力营业收入增长行家说三代半：过去一年，贵公司主要做了

第三代半导体风向 2024-01-22 1301浏览
良率超90%！又一国产SiCMOS实现车规突破

近日，南瑞半导体自主研发的1200V/40mΩ SiC MOSFET器件（NCM40S12T4K2）顺利通过AEC-Q101车规级可靠性认证，这不仅验证了南瑞半导体第二代SiC MOSFET工艺平台的可靠性，也为后续即将量产的其它SiC MOSFET产品奠定了坚实基础，标志着南瑞半导体产品质量达到了国际领先水平，为其新能源汽车领域市场的拓展布局奠定了坚实基础。AEC-Q101认证是汽车行业最为核心

第三代半导体风向 2023-12-18 1186浏览
PI、南瑞半导体透露SiCMOS项目新进展

因搭载高压平台的电动汽车在补能、续航等方面的表现出色，可以大幅提高客户的使用体验，大有成为主流之势。而SiC MOSFET在高压车载领域的良好表现，受到市场的追捧，新规格SiC MOSFET和其衍生品也在不断出新。Power Integrations推出具有快速短路保护功能且适配62mm SiC MOSFET和IGBT模块的门极驱动器PI近日推出全新系列的即插即用型门极驱动器，新驱动器适配额定耐压

化合物半导体市场 2023-12-14 957浏览
SiCMOS上主驱、出货领先！该国产企业强在哪里？

插播：12月13-14日，智程半导体、汇川联合动力、意法半导体、罗姆、安世半导体、英飞凌、安森美、三菱电机、三安半导体、中科院物理所、烁科晶体、科友半导体、普兴电子、百识电子、基本半导体、芯联动力、华灿光电、飞锃半导体、power integrations、南方半导体、爱发科、大族半导体、Qorvo以及北方华创等企业，将出席【行家说三代半年会】，带来近30场主题演讲，报名请点文末“阅读原文”。前段

第三代半导体风向 2023-12-08 569浏览
SiCMOS良率达90%！如何做到的？

插播：12月13-14日，智程半导体、汇川联合动力、意法半导体、罗姆、安世半导体、英飞凌、安森美、三菱电机、三安半导体、中科院物理所、烁科晶体、科友半导体、普兴电子、百识电子、基本半导体、芯联动力、华灿光电、飞锃半导体、power integrations、南方半导体、爱发科、大族半导体、Qorvo以及北方华创等企业，将出席【行家说三代半年会】，带来近30场主题演讲，报名请点文末“阅读原文”。前段

第三代半导体风向 2023-12-08 954浏览
主驱SiCMOS良率达90%！如何做到的？

插播：12月13-14日，智程半导体、汇川技术、意法半导体、罗姆、安世半导体、英飞凌、安森美、三菱电机、三安半导体、中科院物理所、烁科晶体、科友半导体、普兴电子、百识电子、基本半导体、芯联动力、华灿光电、飞锃半导体、power integrations、南方半导体、爱发科、大族半导体、Qorvo以及北方华创等企业，将出席【行家说三代半年会】，带来近30场主题演讲，报名请点文末“阅读原文”。前段时间

第三代半导体风向 2023-12-07 493浏览
宏微科技：SiCMOS已出样，成品预计明年交付

宏微科技近日在接受结构调研时称，公司生产的SiC二极管已在客户端开展验证工作，SiC MOS实现样品产出，预计于2024年第一季度将成品交付客户使用。此外，在被问及液冷充电桩项目时，宏微科技表示：液冷充电桩需应用SiC器件产品，目前公司的SiC器件产品正在开发阶段，预计2024年上半年将进入送样验证阶段。据了解，宏微科技自设立以来一直从事IGBT、FRED和MOSFET为主的功率半导体芯片、单管和

化合物半导体市场 2023-11-06 730浏览
SiCMOS新技术：沟道电阻可降85%

插播：能华半导体、华灿光电、国星光电、聚能创芯、北方华创等企业参编《2023年氮化镓产业调研白皮书》，详情请点文末“阅读原文”。我们知道，SiC MOSFET现阶段最“头疼”的问题就是栅氧可靠性引发的导通电阻和阈值电压等问题，最近，日本东北大学提出了一项新的外延生长技术，据说可以将栅氧界面的缺陷降低99.5%，沟道电阻可以降低85.71%，整体SiC MOSFET损耗可以降低30%。9月28日，东

第三代半导体风向 2023-10-11 901浏览
2项新技术：SiCMOS无需外延；衬底成本降30%

SiC器件成本较高，所以产业界一直在进行技术创新，以降低成本。最近，小编留意到2项SiC设备新技术：KERI：开发了新的离子注入技术，制造SiC MOSFET等芯片无需外延片，并将其转移给SEMILAB。日本企业：推出SiC晶锭切割技术，可以将衬底成本降低30%。这两项技术目前查不到更多的资料，仅供参考、讨论，欢迎大家留言发表看法。KERI转让专利 SiC器件无需外延片9月7日，韩国电工技术研究院

DT半导体材料 2023-09-28 802浏览

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