MRAM - 电子工程专辑

MRAM

DRAM、SRAM、NANDFlash、NORFlash、EEPROM、MRAM存储器你分得清吗？

点击上方蓝色字体，关注我们易失性存储器（Volatile Memory）和非易失性存储器（Non-Volatile Memory）是两大类存储器，它们的主要区别在于断电后数据的保存能力。易失性存储器（如DRAM和SRAM）虽然速度快，但断电后数据丢失，适用于临时数据存储场景，例如计算机的主内存和缓存。非易失性存储器（如NAND Flash、NOR Flash、EEPROM、MRAM）则能在断

美男子玩编程 2024-12-13 153浏览
MRAM与RRAM：重塑嵌入式内存与应用的未来格局

嵌入式闪存及其对应的离片NOR闪存，在非易失性内存领域（即用于持久性或长期数据存储）多年来占据着标准地位。然而，随着工艺技术尺寸缩小至28nm以下，这些传统内存技术在支持方面显得力不从心。此外，它们原本并非为AI、物联网以及其他要求快速且大规模数据收集、传输、存储及分析的应用而设计。为了满足对高性能非易失性内存的需求，两种新兴技术逐渐成为焦点：磁阻随机存取存储器（MRAM）和电阻随机存取存储器（R

新思科技 2024-11-13 686浏览
芯报丨12亿元！驰拓科技完成B轮融资，完善MRAM产业生态布局

聚焦:人工智能、芯片等行业欢迎各位客官关注、转发每日芯报0327期❶12亿元！驰拓科技完成B轮融资，完善MRAM产业生态布局近日，浙江驰拓科技有限公司B轮融资签约大会在杭州召开。会上，诚通混改基金、诚通国调基金、国调科改基金、国新综改基金、浙江金控、湖州信创、尚颀资本与驰拓科技签订了增资合同，本轮融资12亿元。据悉，驰拓科技B轮募集资金将用于系列化产品开发、技术能力提升、工艺平台优化、市场开拓和行

AI芯天下 2024-03-27 1228浏览
力积电传拟和日本新创企业合作！目标2029年量产MRAM

来源：Money DJ 中国台湾晶圆代工大厂力积电传出将和日本新创企业合作、目标在2029年量产磁阻式随机存取存储器(MRAM、Magnetoresistive Random Access Memory)，将利用力积电计划在日本兴建的晶圆厂第2期工程产线进行量产。日经新闻2月4日报导，力积电将在2024年上半年和发源于日本东北大学、从事半导体技术研发的新创企

CINNOResearch 2024-02-05 580浏览
分析丨三星布局下一代存储：MRAM

·聚焦:人工智能、芯片等行业欢迎各位客官关注、转发前言：随着AI和5G时代的到来，新世代存储器的需求日益凸显，其中包括自驾车、精准医疗诊断、卫星影像辨识等领域。MRAM作为一种采用精致磁性材料的存储器技术，能满足这些领域对更快、更稳定、低功耗的需求。作者 | 方文三图片来源 | 网络叠代中的MRAM产品逐渐完成替代过去，MRAM主要应用于车用或基地台等场景，但由于其架构特性，数据保存、写入耐

AI芯天下 2024-01-26 1503浏览
MRAM会取代DDR吗？

文章来源于信号完整性，作者蒋修国在当前我们比较熟悉的存储产品就是DRAM和NAND，DRAM和NAND也一直在寻求高带宽和低功耗的发展。我们也看到，DRAM也越来越便宜，但它很耗电，同时它也是易失性的，这意味着当系统电源关闭时它会丢失数据。而NAND 价格便宜且非易失性（它在系统关闭时保留数据），但NAND的速度很慢。因此多年来，业界一直在寻找一种与DRAM和Flash具有相同属性并可以取代它们的

EETOP 2023-10-08 791浏览
SRAM&MRAM集团宣布在印度投建半导体工厂

点击蓝字关注我们12月5日消息，据印度媒体indiatimes报道，总部位于英国的SRAM & MRAM Group副主席Gurujee Kumaran Swami于当地时间上周六在与印度奥里萨邦政府在MIO秘密会议后宣布，该集团将在奥里萨邦投资2万亿卢比（约合人民币1723亿元），以在该州设立一个半导体工厂。Swami和该公司在奥里萨邦子公司负责人Debadutta Singh Deo表示，该集

皇华电子元器件IC供应商 2022-12-05 974浏览
存算一体：MRAM席卷而来

MRAM 在速度、耐久性、功耗这些方面具有不可替代的优越性。因此，MRAM 是实现存算一体的理想存储器之一。特邀作者：刘家伦北京航空航天大学集成电路科学与工程学院随着物联网应用和诸如机器学习、计算机视觉、自然语言处理等人工智能应用的兴起，处理器需要更加频繁地对存储器进行访问与数据传输。传统的冯诺依曼计算机体系架构依赖总线进行存储器与处理器之间数据传输，在面对这类数据密集型应用时往往难以兼顾低延

半导体产业纵横 2022-04-25 1234浏览
MRAM更近一步

1月13日，三星电子宣布展示世界上第一个基于MRAM（磁阻随机存取存储器）的内存计算，相关论文于1月12日在Nature发表。存内计算给MRAM提供了新的思路，过去MRAM磁阻内存很难用于存内计算，因为MRAM在标准的存内计算架构中无法发挥低功耗优势。三星公司成功开发出新的 MRAM 阵列，通过新型“电阻”和计算架构，替换当前采用的架构。 MRAM有20多年的发展历史，但是由于其电阻特性，商用之

半导体产业纵横 2022-01-29 2159浏览
MRAM设备新进展，中国台湾工研院和中科院均有突破

本文由半导体产业纵横综合整理磁阻随机存取存储器（MRAM）被广泛认为具有成为主流器件的潜力。MRAM能够将存储存储器的密度与 SRAM 的速度相结合，同时具有非易失性和节能性。MRAM 可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。这使得 MRAM 适用于汽车、工业、军事和太空应用。数十家公司和研究小组正在开发下一代 MRAM 技术，截至 2020 年初，市场上已有从非常小的 MRAM

半导体产业纵横 2021-11-12 2426浏览
揭秘！基于MRAM和NVMe的未来云存储全景！

点击蓝字关注我们在去年的全球闪存峰会上，全球MRAM存储芯片龙头Everspin的BD总监Pankaj Bishnoi分享了怎样用MRAM和NVMe SSD构建未来的云存储。 STT-MRAM有几大优势可以作为异

SSDFans 2020-07-05 2206浏览
MRAM存储器生产的秘密

人工智能计算承诺改善社会，创造数万亿美元的经济价值。然而对半导体行业来说，这是一个具有挑战性的时代。随着摩尔定律的增速放缓，设计师们开始探索新的材料、集成方案和结构，以持续改善”PPAC”(芯片性能、功耗和面积/成本)。部署这些极具挑战性，需要达到高良率要求，同时在新工艺中可变性增加，容差率缩小。为了帮助客户加速其路线图，应用材料正在将计量学集成到工艺系统和腔室中，为晶圆加工带来前所未有的粒度。对

SSDFans 2019-11-30 954浏览

正在努力加载更多...

广告

今日新闻

热门文章排行

广告

最新评论更多>>

一般喜欢标榜“打破垄断”“国x领先”的都死的比较快。嘴比手厉害

56089689_... 评论文章 2025-01-07

砺芯慧感：量产薄膜铂电阻传感器，打破国外30年垄断
我这，原先V10.5跑的好好的代码，更新V11后，单片机初始化时就不断重启

vaov_3734... 评论文章 2025-01-06

FreeRTOSV11.0升级了多项重要功能，兼容V10版本

资料

文库

帖子

博文

在线研讨会

EE直播间

第三代功率半导体器件测试解决方案直播时间：03月06日 10:00

E聘热招职位