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Memory
AUTOSAR的Memory是如何设计的？
很多人都觉得AUTOSAR的Memory很复杂，搞了很久都摸不透里面的原理策略。其实，AUTOSAR的Memory在AUTOSAR的架构下，封装得很好，只是我们很多人从普通嵌入式软件开发模式而来，一下子转不过弯而已。本文就从普通嵌入式软件开发中的Memory入手，逐步讲解AUTOSAR的Memory原理策略。注：以下讲的Memory方案是指EEPROM、DataFlash等非易失性存储（NVM）的
嵌入式软件实战派
2023-03-02
1211浏览
本周五｜Memory测试方案——始于灵活，忠于可靠
"image" data-miniprogram-servicetype="" _href="">
新思科技
2023-02-09
788浏览
本周五｜Memory测试方案——始于灵活，忠于可靠
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新思科技
2023-02-07
845浏览
本周五｜Memory测试方案——始于灵活，忠于可靠
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新思科技
2023-02-06
852浏览
Memory测试方案——始于灵活，忠于可靠
"image" data-miniprogram-servicetype="" _href="">
新思科技
2023-02-02
786浏览
Modelsim的仿真之路（Memory小技能）
Modelsim的仿真之路（激励文件“逆”生成）续上许久没更新了，间歇性来写写，还是继续Modelsim中关于内存的操作，涉及的文件可在文末自行获取，本篇对应memory的文件夹。准备把文件准备好后，启动软件，将路径设置成文件对应的路径，然后命令行示例#依次进行即可，路径对应自己的 cd E:/Soft_File/Sim_File/memory vlog *.v库里面出现work库，且包含以下编译
FPGA技术江湖
2022-10-23
1279浏览
Market Insight Newsletter of Memory, CPU,HDD from Quiksol-Sep-21
Dear customers and vendors, welcome to the Market Insights-Newsletter from Quiksol that delivers timely and relevant market intelligence report to the electronics supply chain industry. We hope you fi
Quiksol电子分销与服务
2021-09-23
2001浏览
Booting and Running Without External Memory - DDRLESS
在一些工业应用中不管出于成本还是功耗又或者集成难度可能不需要DDR，这些系统只需要很小的内存空间来存储和执行其应用程序，对于这些系统OCM可以满足其与存储器相关的需求。用户只需要从OCM执行引导程序和应用程序。如果OCM大小也不足以存储和执行应用程序，用户也可以从QSPI Flash来执行应用程序代码，但是从flash中获取指令会比从OCM中执行要慢，那本文主要介绍在OCM空间不足时从flash执
FPGA开发圈
2021-09-03
1323浏览
Market Insight Newsletter of Memory, CPU，HDD from Quiksol-Aug21
Dear customers and vendors, welcome to the Market Insights-Newsletter from Quiksol that delivers timely and relevant market intelligence report to the electronics supply chain industry. We hope you fi
Quiksol电子分销与服务
2021-08-26
1413浏览
memory compaction原理、实现与分析
作者简介赵金生，linux内核爱好者,就职于杭州某大型安防公司，担任Linux BSP软件工程师。对进程调度，内存管理有所了解。希望能通过对linux的学习，提升产品软件性能及稳定性。该文章为私人学习总结，不存在公司网络安全问题。 一memory compaction简介随着系统的运行，经过不同用户的分配请求后，页框会变得
Linux阅码场
2021-07-12
2122浏览
Market Insight Newsletter of Memory, CPU,HDD-Mar-2021
Dear customers and vendors, welcome to the Market Insights-Newsletter from Quiksol which delivers timely and relevant market intelligence report to the electronics supply chain industry. We hope you f
Quiksol电子分销与服务
2021-03-24
1624浏览
What is the Memory Model in C++11
C++11其实主要就四方面内容，第一个是可变参数模板，第二个是右值引用，第三个是智能指针，第四个是内存模型（Memory Model）。 相对来说，这也是较难理解的几个特性，分别针对于泛型编程，内存优化，内存管理和并发编程。 并发编程是个非常大的模块，而在诸多内容底下有一个基本的概念，就是并发内存模型（Memory Model）。 那么，什么是内存模型？ 1 Memory
C语言与CPP编程
2020-12-24
1442浏览
MEMORY系列之“LPDDR4硬件设计”
上一篇简单介绍了LPDDR4的特性，本文结合实际SOC（TI的TDA4）介绍一下LPDDR4（Micron的MT53D1024M32D4DT-046AAT:D）的硬件设计，包括原理图和PCB。 原理图设计 LPDDR4的框图如下： SOC的DDRSS接口如下： TDA4的DDR控制器支持32bit数据。 LP
硬件助手
2020-08-31
7633浏览
MEMORY系列之“LPDDR4”
LPDDR4特性 LPDDR4最早是用于移动手机的DRAM，但随着科技的发展，已经普及到了平板电脑、笔记本、嵌入式设备中。LPDDR4能在很小的PCB面积和体积上提供了巨大的带宽；在4266Mbps的数据率下，当两片Die封装在一起时，单个15毫米x15毫米LPDDR4封装包可提供34 GByte/s的带宽。LPDDR4建立在LPDDR2和LPDDR3的成功基础之上，增加了新的特性并引入了主要的
硬件助手
2020-08-25
9437浏览
使用STM32的MPU（Memory Protection Unit）实现代码隔离和访问控制
目标：只允许“高级函数”访问OTP中的数据，其它应用程序不能直接读取OTP内容 例程@ F413-Nucleo，F401-Nucleo 1
STM32单片机
2020-07-16
3429浏览
MEMORY系列之“DDR参数”
本文主要介绍DDR相关的一些参数。DDR常见的一些参数及定义如下：BL突发（Burst）是指在同一行中相邻的存储单元连续进行数据传输的方式，连续传输所涉及到存储单元（列）的数量就是突发长度（Burst Length，简称BL）。突发传输技术，只要指定起始列地址与突发长度，内存就会依次地自动对后面相应数量的存储单元进行读/写操作而不再需要控制器连续地提供列地址。这样，除了第一笔数据的传输需
硬件助手
2019-04-16
7257浏览
MEMORY系列之“Memory Module概述”
本文主要介绍Memory Module的种类、标准等。常见的一些Memory Module类型如下：DIMM：Dual In-line Memory ModuleUDIMM：Unbuffered DIMMUniDIMM：Universal DIMMRDIMM：Registered DIMMUSODIMM：Unbuffe
硬件助手
2019-04-12
4595浏览
MEMORY系列之“DDR with ECC”
本文主要介绍DDR with ECC的连接方式。ECC是“Error Checking and Correcting”的简写,中文名称是“错误检查和纠正“。ECC是一种能够实现“错误检查和纠正“的技术，ECC内存就是应用了这种技术的内存，一般多应用在服务器及工作站上，这将使整个电脑系统在工作时更趋于安全稳定。带ECC功能的DDR连接如下图所示： 不带ECC的32bit数据带宽连接方式如下
硬件助手
2019-04-08
7006浏览
MEMORY系列之“DDR概述”
本文主要介绍DDR的发展历史及相关标准，每一代的特性，工作原理，引脚定义。DDR全称为Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，从1996年三星公司提出到现在已经发展到了第六代。1、DDR发展历程及相关标准DDR发展至今，主要出现了如下一些版本，及其对应的标准及工作电压如下表所示：类别标准工作电压DDRJESD79F2.5V
硬件助手
2019-04-05
11718浏览
MEMORY系列之“SDIO”
本文主要介绍SDIO接口及SDIO存储卡的相关特性。1、SDIO接口SDIO接口不只用于存储数据的SD存储卡，还有SD I/O卡，MMC卡。其中SD I/O卡与SD存储卡是有区别的，SD I/O卡实际上就是利用SDIO接口的一些模块，插入SD的插槽中，扩展设备的功能，如：SDI/O Wi-Fi，SDI/O CMOS相机等。SD规范包括如下几部分：物理层规范文件系统规范SD卡安全规范SD卡音频应用规
硬件助手
2019-04-02
7139浏览
MEMORY系列之“eMMC”
本文主要介绍eMMC的引脚定义、操作模式、数据包等。eMMC（Embedded Multi Media Card）采用统一的MMC标准接口，把高密度NAND Flash以及MMC Controller封装在一颗BGA芯片中。针对Flash的特性，产品内部已经包含了Flash管理技术，包括错误探测和纠正，Flash平均擦写，坏块管理，掉电保护等技术。用户无需担心产品内部Flash晶圆制程和工艺的变化
硬件助手
2019-03-30
7311浏览
MEMORY系列之“DDR设计规则”
本文主要介绍DDR的原理图和PCB设计规则。1、SCH设计原则DDR原理图的设计目前比较成熟，由于其信号引脚固定，且有统一的规范（JESD79系列），而且像Micron、Samsung、SK Hynix、Toshiba等厂家都有各自的technical note，因此本文只罗列一些特殊的注意事项。1.1、颗粒容量的可扩展性根据JEDEC标准，不同容量的内存芯片一般引脚兼容，为了实现电路板的可扩展性
硬件助手
2019-03-27
10556浏览
MEMORY系列之“NANDFlash”
本文主要介绍NANFlash的结构、引脚及操作状态。NAND Flash中的N是NOT，含义是Floating Gate中有电荷时，读出‘0’，无电荷时读出‘1’，是一种‘非’的逻辑；AND的含义是同一个Bit Line下的各个基本存储单元是串联的，是一种‘与’的逻辑，这就是NAND的由来。1、SLC和MLC的实现机制NAND Flash按照内部存储数据单元的电压的不同层次，也就是单个存储单元中，
硬件助手
2019-03-22
4539浏览
MEMORY系列之“NORFlash”
本文主要介绍NORFlash的结构、对外接口及操作。NORFlash中的N是NOT，含义是Floating Gate中有电荷时，读出‘0’，无电荷时读出‘1’，是一种‘非’的逻辑；OR的含义是同一个Bit Line下的各个基本存储单元是并联的，是一种‘或’的逻辑，这就是NOR的由来。NORFlash的特点是芯片内执行(eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在Flash内运行，不必
硬件助手
2019-03-19
4876浏览
MEMORY系列之“FLASH概述”
本文主要介绍Flash的分类、数据存储原理及结构、两种常见的Flash的区别。1、Flash分类FLASH是EPROM和EEPROM的结合体！吸收了EPROM结构简单、编程可靠的优点，保留了EEPROM用隧道效应擦除的快捷特性。Flash分为以下两种：NORFlash。NORFlash根据数据传输的位数可以分为并行（Parallel）NORFlash和串行（SPI）NORFlash。并行CFI F
硬件助手
2019-03-16
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这里http://www.zhefar.com/download/training/zhefar/Training%20-%20JTAG(CHS).pdf 有份培训资料挺好，是杭州哲发科技有限公司的。他们是专业JTAG方案供应商，其JTAG综合应用系统是众多杰出工程师在二十多年电子通信产品开发过程中，根据工作需要在实践中建立并完善起来的一套调试/调测/维修系统。产品经过大量验证，已经服务于众多知名公司和上市公司。 JTAG综合应用系统三大功能：板卡测试维修、PLD加载/编程 和 Flash烧写/编程/加载。 www.zhefar.com 我们和好几个兄弟单位都用过，非常好！
xxdg
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