InGaAs - 电子工程专辑

InGaAs

超薄型InGaAs光电探测器，实现可见光到短波红外的高分辨率成像

短波红外（SWIR）成像技术进步对夜视系统、工业检测、科学研究以及安防等各领域作出了重大贡献。随着对超出可见光谱范围探测需求的日益增长，短波红外图像传感器的开发需求也在不断增加。然而，实现高分辨率、低噪声的宽光谱探测器仍面临诸多技术挑战。传统InGaAs短波红外探测器虽然能够表现出优异的光电转换效率和载流子迁移率，但其关键性能指标与器件结构存在根本性的矛盾。为获得较高的量子效率（QE），常规设计需

MEMS 2024-11-30 1540浏览
TeledyneFLIRIIS推出集成索尼InGaAs传感器的Forge1GigE短波红外相机

据麦姆斯咨询报道，Teledyne Technologies旗下Teledyne FLIR IIS公司近日宣布推出130万像素Forge®️ 1GigE短波红外（SWIR）相机。Forge 1GigE SWIR系列首款短波红外相机配备了索尼公司的宽带、高灵敏度SenSWIR™️ 1.3 MP IMX990铟镓砷（InGaAs）传感器。这款先进的传感器以5 μm像素捕捉可见光和SWIR光谱（VisS

MEMS 2024-08-24 494浏览
NIT推出新型全高清短波红外InGaAs传感器NSC2101

据麦姆斯咨询报道，近期，NIT（New Imaging Technologies）推出了短波红外（SWIR）成像技术的最新创新：高分辨率短波红外InGaAs传感器，专为应对该领域最苛刻的挑战而设计。新型短波红外InGaAs传感器NSC2101拥有显著的特征，包括8 μm传感器像素间距、令人印象深刻的200万（1920 x 1080）像素分辨率。即使在充满挑战的环境中，其仅25 e-的超低噪声也能确

MEMS 2024-05-21 705浏览
基于原位掺杂和浅台面型架构的短波红外InGaAs光电二极管

随着安防、汽车、工业、农业等各个领域需求的不断增长，短波红外（SWIR）传感器的发展也随之兴起。在1 ~ 2.5 μm的短波红外波段，硅材料是准透明的，因此，需要通过改变吸收材料来实现该波段光子的吸收。基于InGaAs的短波红外传感器的标准结构如图1a所示，该结构由一层外延生长于InP衬底上的厚膜低掺杂N-InGaAs吸收层组成。InGaAs图像传感器的制造目标是实现大尺寸、大规模的Si-CMOS

MEMS 2023-12-12 747浏览
创光子II类超晶格及系列化InGaAs探测器将亮相深圳光博会

9月6日，第24届中国国际光电博览会将在深圳拉开帷幕。届时，睿创光子将携II类超晶格（T2SL）探测器及系列化InGaAs短波红外探测器参展，为卫星通信、机器视觉、红外夜视、光谱成像、半导体检测、生物医学成像等行业带来全新产品及解决方案。睿创光子两型T2SL探测器产品将首发亮相。睿创光子长波II类超晶格产品成像T2SL探测器相对于非制冷红外探测器灵敏度更高、响应速度更快，适用于更远距离成像、更高速

MEMS 2023-09-05 857浏览
综述：InGaAs单光子探测器封装技术进展

InGaAs单光子探测器已广泛应用于激光三维成像、长距离高速数字通讯、自由空间光通信和量子通讯等。针对单元、线列和小面阵器件，已发展出同轴封装、蝶形封装、插针网格阵列封装等多种封装形式。据麦姆斯咨询报道，上海理工大学和中国科学院上海技术物理研究所的研究人员组成的团队在《激光与光电子学进展》期刊上发表了以“InGaAs单光子探测器封装技术进展”为主题的文章，探讨了温度对InGaAs单光子器件性能的影

MEMS 2023-07-22 1706浏览
综述：InGaAs近红外激光雷达光电探测器研究进展

激光雷达是激光探测及测距系统的简称，它可以发射定位激光束，通过测定传感器、发射器与目标物体之间的传播距离来定位目标物体的位置，并呈现目标物体的三维结构信息。InGaAs是一种典型的III-V族半导体材料，它在（0.35～1.42） eV范围内可调的禁带宽度使其在（0.9～1.7） μm波段具有广泛的应用，被认为是1550 nm激光雷达探测器的理想材料。据麦姆斯咨询报道，近期，合肥工业大学微电子学院

MEMS 2023-06-27 3404浏览
利用三维异质混合集成技术，实现近红外InGaAs智能光谱传感器

传统的光谱仪具有体积庞大、集成度低、边缘计算智能性差等缺点，从而限制了近红外光谱技术的应用。与尺寸的缩小相比，人工智能（AI）分析模型在光谱设备中的片上集成对非专业用户来说更为重要。另外，InGaAs光电探测器在近室温下从可见光到短波红外波段具备优异的探测性能，在近红外光谱中发挥着重要作用。据麦姆斯咨询报道，近日，同济大学精密光学工程技术研究所和中国科学院上海技术物理研究所的联合科研团队在Adva

MEMS 2023-06-27 1228浏览
华东师范大学在室温工作InGaAs单光子探测模块取得进展

单光子探测器亮点通常InGaAs APD需要半导体制冷实现有效地单光子探测，占据了较大的系统尺寸及功耗。该新技术方案，保障InGaAs APD在室温下，即无需制冷亦可实现高效探测。具体可分为百MHz、GHz两种模式的高速室温单光子探测器，尺寸仅为105×100 mm2，配置USB3.0通讯接口，可便捷地接入到系统中。应用领域广泛激光雷达测距与成像生物荧光探测弱光信号检测超灵敏光谱

MEMS 2023-06-25 1107浏览
基于InGaAs/InP低噪声GHz单光子探测器研究

近年来， InGaAs/InP雪崩光电二极管（APD）体积小、功耗低、响应速度快，被广泛应用于近红外单光子检测。基于InGaAs/InP材料的雪崩光电二极管（APD）已成为高速光通信和光学雷达等领域中的重要探测器件之一。相比于传统的光电二极管，雪崩光电二极管具有更高的增益和更低的噪声，能够实现高灵敏度和高速度的信号检测和放大。因此，它们被广泛应用于光通信系统中的高速接收机、光纤传感器和光学雷达等领

MEMS 2023-06-09 1055浏览
微型化自由运行InGaAs/InP单光子探测器提升激光雷达探测距离和分辨率

单光子探测器具有最高的光探测灵敏度，在激光雷达（LiDAR）系统中使用单光子探测器可以极大提升系统的综合性能。近红外二区（1.0 ~ 1.7 μm）激光具有大气透过率高、散射弱、太阳背景辐射弱等优势，是大气遥感、三维成像等激光雷达系统的理想工作波段。近红外波段单光子探测技术主要包括超导纳米线单光子探测器、上转换单光子探测器和InGaAs/InP单光子探测器。其中，InGaAs/InP单光子探测器具

MEMS 2023-06-08 1216浏览
综述：InGaAs单光子雪崩焦平面研究进展

单光子探测器是一种可检测单个光子能量的高灵敏度器件。按工作原理不同，单光子探测器可分为光电倍增管（PMT）、超导单光子探测器（SSPD）和单光子雪崩光电二极管（SPAD）。SPAD是一类利用半导体材料内部载流子的雪崩倍增效应实现高灵敏度探测的光电器件，工作在盖革模式，其工作电压高于击穿电压，内部增益可达到10⁶~10⁸，可进行单光子级信号探测。目前，技术相对成熟的是Si材料SPAD和InGaAs材

MEMS 2023-04-01 2274浏览
基于InGaAs单光子探测器的线阵扫描远程激光雷达

据麦姆斯咨询报道，近期，中国科学院上海技术物理研究所、上海量子科学研究中心、上海理工大学的研究人员组成的团队在《红外与激光工程》期刊上发表了题为“基于InGaAs单光子探测器的线阵扫描激光雷达及其光子信号处理技术研究”的最新论文。通讯作者为黄庚华研究员，主要从事光子计数激光测距、三维成像技术、地球测绘、深空软着陆激光高精度测高技术、红外、激光复合目标跟踪及探测技术等方面的研究。激光雷达（LiDAR

MEMS 2022-11-21 1349浏览
上海技物所在平面型延伸波长InGaAs探测器方面取得进展

据麦姆斯咨询报道，近日，中国科学院上海技术物理研究所李雪和龚海梅研究员团队在《红外与毫米波学报》期刊上发表了题为“截止波长2.2µm的平面型延伸波长InGaAs探测器”的最新论文，该团队采用闭管扩散的方法成功研制了截止波长2.2μm的平面型延伸波长InGaAs探测器芯片，并对其相关性能进行了研究。本研究成果对后续进一步优化平面型延伸波长InGaAs焦平面探测器有重要的指导意义。地球观测、多光谱和高

MEMS 2022-10-15 1808浏览
国内首款PbS量子点短波红外成像芯片，可媲美商用InGaAs成像芯片

华中科技大学武汉光电国家研究中心、光学与电子信息学院唐江教授团队与海思光电子有限公司合作，制备出一种适配硅基读出电路（ROIC）的顶入射结构的光电二极管，实现了30万像素、性能可媲美商用铟镓砷（InGaAs）的短波红外芯片，为国内首款硫化铅胶体量子点（PbS CQD）红外成像芯片。6月16日，相关成果以“A near-infrared colloidal quantum dot imager wi

MEMS 2022-06-30 1346浏览
InGaAs单光子探测芯片设计制造领域重要进展

中国科学技术大学光学与光学工程系王亮教授课题组设计并制备的InGaAs单光子探测器芯片取得重大进展。该研究团队通过设计金属—分布式布拉格反射器优化单光子探测器芯片的光学性能，完成低本征暗计数的单光子探测器芯片的全自主化设计与制备，实现了单光子探测器芯片的全国产化，为解决国家亟需的前沿科技问题迈进了重要一步。相关研究成果以“High performance InGaAs/InP single-pho

DT半导体材料 2022-05-29 1363浏览
中科大在InGaAs单光子探测器芯片方面取得重要进展

据麦姆斯咨询报道，近日，中国科学技术大学光学与光学工程系教授王亮课题组设计并制备的InGaAs（砷化铟镓）单光子探测器芯片取得了重要进展。前述团队通过设计金属—分布式布拉格反射器优化单光子探测器芯片的光学性能，完成低本征暗计数的单光子探测器芯片的全自主化设计与制备，实现了单光子探测器芯片的全国产化，为解决我国前沿科技问题迈进了重要一步。相关成果在线发表于电子工程技术领域期刊Journal of L

MEMS 2022-05-27 1170浏览
上海技物所在短波红外InGaAs焦平面领域取得研究进展

短波红外光电材料与器件具有高性能、高可靠性、低功耗、低成本等显著优点，可广泛应用于智慧城市、驾驶视觉增强、安防监控、光伏芯片检测、光谱检测以及航天航空等诸多领域，具有重大的科学价值和经济效益。基于III-V族InP/InGaAs材料体系的短波红外InGaAs探测器，具有高灵敏度、高均匀性、高稳定性等特点，具备室温或近室温工作优势，是发展小型化、低功耗和高可靠性短波红外光电系统的理想选择之一。短波红

MEMS 2022-03-04 1548浏览
Luminar收购InGaAs探测器独家供应伙伴，巩固激光雷达量产供应链

据麦姆斯咨询报道，全球领先的自动驾驶汽车激光雷达供应商Luminar Technologies（纳斯达克：LAZR），近日宣布收购其独家铟镓砷（InGaAs）探测器芯片设计和制造合作伙伴OptoGration公司。随着Luminar与其OEM客户合作将Iris激光雷达推入量产，此次收购获得的专业核心知识产权（IP），可以确保其供应链更加稳固。此次收购无疑将巩固Luminar的核心器件供应链，并能够

MEMS 2021-07-25 1770浏览

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最后输出电阻的计算应该有问题，正确的应该是RO=（((R1//R2)+rbe)/(1+beta)) //R3,约等于（((R1//R2)+rbe)/(1+beta))

jy1900 评论文章 2025-03-21

一篇短文搞定共集电极放大电路
NMOS和PMOS的D、S极都是反的，搞错了吧，全网的图全是错的，我以为是个人认知的错误，结果通过Deepseek搜索的答案是我的想法是一致的。

retsen 评论文章 2025-03-20

电路又冒烟了，如何防反接？

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