III-V - 电子工程专辑

III-V

III-V族半导体与硅的有效耦合，打破硅基光子半导体性能限制

来源：DeepTech深科技近几十年以来，伴随着大数据、传感器、云应用等多种新兴技术的快速发展，数据流量也呈现出指数级增长的态势。（编者注：数据流量指的是通过计算机网络传输的数据量，一般用比特或字节等单位进行衡量）使用电子电路的传统集成电路，通过摩尔定律推动电子器件的体积缩小、性能增加，从而推动数据流量的进一步增长。根据摩尔定律，电子器件上可以容纳的晶体管数量，大概每两年增加一倍。而数据流量的不断

MEMS 2024-04-10 822浏览
睿创微纳多维感知方案亮相光博会：热成像模组、III-V族光子器件……

近日，2024慕尼黑上海光博会于上海新国际博览中心盛大开幕。睿创微纳携红外热成像模组、III-V族光子器件、智慧工业、智能安防、车载红外感知、户外热成像、手机热成像、激光测距等产品线亮相，为行业带来多维感知创新产品与解决方案。红外热成像模组轻量设计满足多元需求睿创微纳红外热成像模组，采用自主研发的“猎鹰”专用红外处理芯片，颠覆传统热成像模组的FPGA方案。同时，睿创微纳红外热成像模组配备全新自主研

MEMS 2024-03-23 650浏览
【光电快讯】新进展：III-V激光器与硅光技术实现单片高度集成！

今日光电有人说，20世纪是电的世纪，21世纪是光的世纪；知光解电，再小的个体都可以被赋能。追光逐电，光赢未来...欢迎来到今日光电！----追光逐电光赢未来----近日，总部位于格勒诺布尔的硅光子集成电路（PICs）供应商——Scitil Photonics宣布，已成功地将III-V-DFB激光器和放大器与标准的硅光子技术集成到了Tower Semiconductor的生产流程中。通过

今日光电 2024-03-04 663浏览
基于SOI的嵌入式III-V族激光器的单片集成

由于优异的光学器件性能和互补金属氧化物半导体（CMOS）的兼容性，硅光子集成在许多应用领域取得了巨大的成功。在单个硅片上实现III-V族激光器与硅光子器件的单片集成被认为是超高密度光子集成的一大障碍。超高密度光子集成可以提供相当经济、节能和规模化制造的片上光源，但目前鲜有报道。据麦姆斯咨询报道，近日，上海交通大学和中国科学院物理研究所的研究人员展示了直接生长在沟槽绝缘体上硅（SOI）衬底上的嵌入式

MEMS 2023-04-13 1016浏览
香港科大开发高性能硅波导耦合III-V族光电探测器

近日，香港科技大学的研究人员开发了一种新颖的集成方案，通过选择性直接外延在硅光子学（Si-photonics）平台上将III-V族化合物半导体器件和硅组件有效耦合，释放了将节能光子学与具有成本效益的电子产品相结合的潜力，有望以低成本、高速、大容量实现下一代电信。图1 生长于SOI上的高性能硅波导耦合III-V光电探测器示意图在过去几年中，数据流量在大数据、汽车、云应用程序和传感器等各种应用和新兴技

MEMS 2022-11-26 1327浏览
利用III-V族胶体量子点光电二极管，提升短波红外光电探测的量子效率

胶体半导体纳米晶体或量子点（QDs）是一种新兴的光电材料，它将基于溶液的处理适用性与广泛可调谐的吸收和发射特性相结合。基于胶体量子点的短波红外（SWIR）图像传感器具有成本低、像素间距小、光谱可调谐性等诸多特点。然而，由于对铅（Pb）和汞（Hg）等有害元素的限制，量子点短波红外（QD-SWIR）图像传感器的应用受到了阻碍。这些限制刺激了科研领域对环保的胶体量子点的研究，其中如InAs和InSb等I

MEMS 2022-04-27 1048浏览
III-V 族硼基化合物半导体反常热导率的机理

过去半个多世纪在摩尔定律驱动下晶体管的尺寸不断缩小，集成电路已经接近物理极限，对材料的热耗散能力提出了更高要求，揭示半导体热传导的物理机制对器件的热管理具有重要指导意义。实验上发现砷化硼拥有与金刚石相比拟的极高热导率，而且砷化硼具有与硅接近的晶格常数，可以异质集成在硅上来解决热管理问题。但是，其热导率显著高于比它轻的磷化硼以及比它重的锑化硼，硼基 III-V 化合物显示出与众不同的反常热导率。在

DT半导体材料 2021-08-11 3406浏览

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56089689_... 评论文章 2025-01-07

砺芯慧感：量产薄膜铂电阻传感器，打破国外30年垄断
我这，原先V10.5跑的好好的代码，更新V11后，单片机初始化时就不断重启

vaov_3734... 评论文章 2025-01-06

FreeRTOSV11.0升级了多项重要功能，兼容V10版本

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