High-K - 电子工程专辑

High-K

High-k栅极堆叠技术是什么

High-k 栅极堆叠技术是一种在半导体领域广泛应用的先进技术，尤其是在现代集成电路制造中发挥着重要作用。传统的半导体晶体管使用二氧化硅（SiO₂）作为栅极绝缘层。然而，随着半导体器件尺寸的不断缩小，二氧化硅层变得越来越薄，导致漏电问题日益严重，影响了器件的性能和功耗。High-k 栅极堆叠技术通过引入具有高介电常数（high-k）的材料来替代传统的二氧化硅栅极绝缘层。高介电常数材料能够在保持相同

半导体工艺与设备 2024-12-03 1363浏览
High-K材料

High K材料介绍高介电常数材料或称high-K材料，k即介电常数，衡量材料储存电荷能力。按介电常数的高低分为低介电（low-K）材料和高介电（high-K）材料。在半导体制造过程中，一般来说low-k材料介电常数低于3.0；而high-K材料则是相对于栅介质材料SiO2来定义，只要介电常数大于SiO2的介电常数3.9，一般都称为high-K材料。Mos管High-K材料的应用由于先进制程尺寸日

芯通社 2024-08-14 4311浏览
High-K材料出现质量问题，致SK海力士DRAM工厂部分设备暂停运作

来源：科技新报韩国《The Elec》获悉，由于 High-K 材料的质量发生问题，韩国半导体大厂 SK 海力士（SK Hynix）的 DRAM 生产流程于本月传出卡关状况。《The Elec》2月20日报导，据知情人士透露，原因是材料供应商SK Trichem提供含铪（Zirconium）的High-K材料掺有杂质，导致SK海力士DRAM工厂的部分设备一度暂停运作。SK海力士表示，已立即清洁工厂

CINNOResearch 2023-02-21 1188浏览
SK海力士引领High-k/MetalGate工艺变革

中国半导体论坛振兴国产半导体产业！由于传统微缩(scaling)技术系统的限制，DRAM的性能被要求不断提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术，并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。本文针对HKMG及其使用益处进行探讨。厚度挑战: 需要全新的解决方案组成

中国半导体论坛 2022-11-08 1154浏览

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