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松下汽车：OBC采用GaN衬底HEMT器件

1月10日，据外媒报道，日本名古屋大学和松下汽车系统公司的团队正在开发一种用于电动汽车 (EV) 的紧凑型车载充电器 (OBC)，该充电器采用了基于GaN单晶衬底的1200V 横向GaN HEMT器件。近年来，为了缩短充电时间，电动汽车电池的电压不断提高。为了应对这些趋势，业界正在开发的OBC旨在实现800V和22kW的高电压和高输出功率。但是，功率转换损耗会随着输出的增加而增加，并且更高的电压需

行家说汽车半导体 2025-01-17 621浏览
用于高分辨率激光雷达的氮化镓HEMT电路拓扑结构

欢迎关注创芯人才网搜索芯片人才及职位阅读本文，可以了解氮化镓(GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 以及它们如何用于LiDAR（光探测和测距）应用。激光雷达（LiDAR）基于通过将光束照射到物体上并准确测量反射的飞行时间来估算距离的原理。通过将发射光扫过真实世界的场景，可以收集三维信息以供计算机系统进一步处理。LiDAR 的应用众多且还在不断增长，包括航空测量、用于 3D 建模的对象扫描和自动

EETOP 2023-04-28 981浏览
IEEE里程碑奖--高电子迁移率晶体管（HEMT）技术

来源：芯思想2019年12月18日，HEMT（High Electron Mobility Transistor，高电子迁移率晶体管）获颁IEEE里程碑牌匾，以表彰HEMT为通信领域做出的巨大贡献。该牌匾放在日本厚木的富士通实验室。牌匾上刻文：HEMT是第一个在两种具有不同能隙的半导体材料之间结合界面的晶体管。HEMT由于其高迁移率的沟道载流子而被证明优于以前的晶体管技术，从而具有高速和高频性能。

EETOP 2021-05-29 4363浏览
【IEEE里程碑奖】HEMT技术

2019年12月18日，HEMT（High Electron Mobility Transistor，高电子迁移率晶体管）获颁IEEE里程碑牌匾，以表彰HEMT为通信领域做出的巨大贡献。该牌匾放在日本厚木的富士通实验室。牌匾上刻文：HEMT是第一个在两种具有不同能隙的半导体材料之间结合界面的晶体管。HEMT由于其高迁移率的沟道载流子而被证明优于以前的晶体管技术，从而具有高速和高频性能。

芯思想 2021-05-27 849浏览

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