HBM3 - 电子工程专辑

HBM3

一文了解HBM3的基础

2022 年 1 月，JEDEC 发布了新标准 JESD238“高带宽内存 (HBM3) DRAM”。与之前已有的 HBM2E 标准 (JESD235D) 相比，HBM3 标准提出了多项增强功能，包括支持更大的密度、更高速运算、更高的 Bank 数、更高的可靠性、可用性、可维护性 (RAS) 功能、低功耗接口和新的时钟架构。HBM3 存储器很快就被用于 HPC 应用，例如 AI、图形、网络，甚至可

启芯硬件 2024-09-03 929浏览
【icspec芯热点】英伟达H20面临禁售；三星HBM3供货英伟达；AMD总裁宣布退休......

1、英伟达H20面临禁售，台厂受益英伟达针对中国市场的特供AI芯片H20面临禁售危机，据彭博社当地时间11日报道，知情人士透露，美国可能进一步升级贸易管制措施，限制中国大陆获取先进AI技术。据投资银行Jefferies报告，若H20遭禁，英伟达将损失约120亿美元。在此背景下，台湾地区芯片设计企业智原和威盛将成为受益者。智原已承接大陆14纳米AI芯片项目，并预计下半年量产，同时在自驾车芯片领域也获

芯极速 2024-07-29 637浏览
三星HBM3获英伟达认证，将用于中国版H20芯片！

7月24日，有消息称，三星电子第四代高带宽存储器HBM3已获得英伟达批准，首次用于其处理器，但暂时只会用于英伟达应对美国政策而专门为中国市场设计的AI芯片H20。消息人士称，目前尚不清楚英伟达是否会在其他AI处理器中使用三星的HBM3，又或者HBM3是否必须通过额外的测试才能使用在其他处理器，而目前三星尚未达到英伟达第五代HBM3E芯片的标准，相关的测试仍在进行当中。对此消息，英伟达和三星拒绝发表

飙叔科技洞察 2024-07-24 576浏览
三星研发出16层堆叠HBM3芯片样品，采用混合键合技术！

三星电子表示，已经研发制造出16层堆叠的高带宽存储（HBM）的样品。三星副总裁Kim Dae-woo表示，三星采用混合键合技术制造了该芯片。他表示，虽然16层堆栈HBM距离投入量产还需要一段时间，但证实其运行正常。Kim Dae-woo还补充说，该芯片是作为HBM3制造的，但三星计划在HBM4中使用来提高生产率。消息人士称，由于对准问题，三星预计只会对一两个芯片堆叠组使用混合键合，但后来将该技术应

飙叔科技洞察 2024-04-10 721浏览
【一周观察】Q4智能手机品牌市占率；晶圆代工业者营收排名；HBM3供应商进展

012023年第四季全球智能手机产量同比增长约12.1%据TrendForce集邦咨询研究显示，全球智能手机产量在2023年第三季终结连续8个季度的年衰退，至第四季品牌进行年末冲刺以巩固市占率，带动去年第四季智能手机产量同比增长12.1%，约3.37亿支，而2023全年产量约11.66亿支，年减2.1%。阅读原文022023年第四季全球前十大晶圆代工业者营收季增7.9%，全年达1,115.4亿美元

TrendForce集邦 2024-03-15 564浏览
研报丨HBM3原由SK海力士独供，三星获AMD验证通过将急起直追

Mar.132024产业洞察据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示，目前2024年HBM（High Bandwidth Memory）市场主流为HBM3，NVIDIA新世代含B100或H200的规格则为最新HBM3e产品。不过，由于AI需求高涨，目前英伟达（NVIDIA）以及其他品牌的GPU或ASIC供应紧俏，除了CoWoS是供应瓶颈，HBM亦同，主要是HBM生产周期较DDR5更长，

TrendForce集邦 2024-03-13 696浏览
三星HBM3良率仅为20%！

国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业！不拘中国、放眼世界！关注世界半导体论坛↓↓↓3月13日消息，据外媒报道，三星电子将采用竞争对手 SK 海力士主导的 MR-MUF（批量回流模制底部填充）芯片封装工艺，而非此前坚持使用的非导电薄膜（NCF）技术。三位直接知情人士称，三星已经发出了处理 MR-MUF 技术的设备采购订单。“三星必须采取一些措施来提高其 HBM 良率…… 采用 MU

中国半导体论坛 2024-03-13 618浏览
加速AI创新！一图了解美光第二代HBM3内存

关注美光获取动态为更强大的计算性能奠定基础50%容量提升1>1.2TB/s内存带宽2>2.5倍每瓦性能提高3应用加速提高数据密集型工作负载的性能和效率生成式人工智能深度学习高性能计算访问美光公众号或 micron.com/hbm3 了解详情1相同堆叠高度下，容量提升 50%。2数据速率测试估计值基于在制造测试环境中执行的 shmoo 图引脚速度。3功耗和性能估计基于工作负载用例的模拟测试结果。©

美光科技 2023-08-18 938浏览
【一周观察】HBM3与HBM3e将成为2024年HBM市场主流；7月中国锂离子电池产品价格及涨跌幅

01HBM3与HBM3e将成为2024年HBM市场主流根据TrendForce集邦咨询调查显示，2023年HBM（High Bandwidth Memory）市场主流为HBM2e，包含NVIDIA A100/A800、AMD MI200以及多数CSPs自研加速芯片皆以此规格设计。同时，为顺应AI加速器芯片需求演进，各原厂计划于2024年推出新产品HBM3e，预期HBM3与HBM3e将成为明年市场主

TrendForce集邦 2023-08-04 740浏览
研报丨受AI加速芯片新品带动，HBM3与HBM3e将成为2024年HBM市场主流

Aug.01 2023产业洞察根据TrendForce集邦咨询调查显示，2023年HBM（High Bandwidth Memory）市场主流为HBM2e，包含NVIDIA A100/A800、AMD MI200以及多数CSPs自研加速芯片皆以此规格设计。同时，为顺应AI加速器芯片需求演进，各原厂计划于2024年推出新产品HBM3e，预期HBM3与HBM3e将成为明年市场主流。HBM各世代差异，主

TrendForce集邦 2023-08-01 890浏览
美光：将在HBM3时代全速出击？

作者 | JR Research编译 | 华尔街大事件美光（NASDAQ：MU）的投资者在过去一个月遭受重挫，美光于 5 月底触顶，并在过去五周内回落。因此，美光上次重新审视了 5 月中旬达到的水平，但仍远高于 4 月下旬的关键支撑位。因此，尽管美光最近的盈利前景令人悲观，但逢低买家仍在坚持。美光在 2022 年 12 月果断触底后重新恢复

美股研究社 2023-07-05 738浏览
深度丨巨头领跑，HBM3时代来临

·聚焦:人工智能、芯片等行业欢迎各位客官关注、转发前言：随着数据的爆炸势增长，内存墙对于计算速度的影响愈发显现。为了减小内存墙的影响，提升内存带宽一直是存储芯片聚焦的关键问题。长期以来，内存行业的价值主张在很大程度上始终以系统级需求为导向，已经突破了系统性能的当前极限。作者 | 方文图片来源 | 网络 HBM契合半导体发展趋势作为存储器市场的重要组成部分，DRAM技术不断地升级衍生。DRAM从

AI芯天下 2023-01-11 915浏览
设计师需要了解的HBM3相关知识

作者：新思科技产品市场总监 Brett Murdock2022 年 1 月，JEDEC 发布了新标准 JESD238“高带宽内存 (HBM3) DRAM”。与现有的 HBM2E 标准 (JESD235D) 相比，HBM3 标准提出了多项增强功能，包括支持更大的密度、更高速运算、更高的 Bank 数、更高的可靠性、可用性、可维护性 (RAS) 功能、低功耗接口和新的时钟架构。HBM3 存储器很快就会

FPGA开发圈 2022-07-26 1879浏览
HBM3来了！

点击蓝字关注我们从高性能计算到人工智能训练、游戏和汽车应用，对带宽的需求正在推动下一代高带宽内存的发展。 HBM3将带来2X的带宽和容量，除此之外还有其他一些好处。虽然它曾经被认为是一种“慢而宽”的内存技术，用于减少芯片外内存中的信号传输延迟，但现在HBM3正变得越来越快，越来越宽。在某些情况下，甚至被用于L4缓存。 Arm首席研究工程师Alejandro Rico表示:“这些

SSDFans 2021-10-29 1127浏览
业界首个完整HBM3解决方案，加速多裸晶芯片设计

DesignWare HBM3控制器、PHY和验证IP能够降低集成风险，大幅提高了2.5D多裸晶芯片系统的内存性能具有灵活配置选项的低延迟HBM3控制器可增强内存带宽在5纳米工艺中，预硬化或可配置HBM3 PHY的工作速率为7,200 Mbps，数据速率高达2倍，与HBM2E相比，功耗效率可提高60%针对ZeBu和HAPS的验证IP和内存模型可提供端到端解决方案，能够实现从IP到SoC的快速验证收

新思科技 2021-10-25 1414浏览
科技新品 | 飞利浦新型便携式投影仪；Amazfit三款全新智能手表；SK海力士业界第一款HBM3 DRAM

“科技新产品动态”栏目把新鲜的具有代表性的科学产品带到您眼前，涉及消费电子，半导体、服务器、智能家电等众多品类，提供图片和简单的文字介绍。飞利浦推出两款新型便携式投影仪；卡西欧宣布推出G-SHOCK品牌防震手表G-LIDE极限运动系列新品；Amazfit推出三款全新智能手表；三星开始量产基于极紫外光技术的14纳米DRAM；SK海力士开发业界第一款HBM3 DRAM；爱立信推出仅重12kg的中频段m

全球TMT 2021-10-23 1198浏览
中国半导体论坛振兴国产半导体产业！

　
10月20日，SK海力士宣布，成功开发出业界第一款HBM3 DRAM内存芯片。该产品可以与 CPU、GPU 核心相邻封装在一起，采用多层堆叠工艺，实现远比传统内存条高的存储密度以及带宽。

SK海力士开发业界第一款HBM3 DRAM

中国半导体论坛振兴国产半导体产业！　10月20日，SK海力士宣布，成功开发出业界第一款HBM3 DRAM内存芯片。该产品可以与 CPU、GPU 核心相邻封装在一起，采用多层堆叠工艺，实现远比传统内存条高的存储密度以及带宽。目前 HBM DRAM 已经发展到了第四代，HBM3 进一步提升了单片容量以及带宽。SK海力士表示，2020 年 7 月便开始量产 HBM

中国半导体论坛 2021-10-20 1332浏览
Synopsys 使用 HBM3 实现 5nm SoC

本文由半导体产业纵横编译自tom’shardware Synopsys 本周推出了其 HBM3 解决方案，该解决方案使片上系统 (SoC) 的开发人员能够为使用 5nm 制造工艺实施的 2.5D 设计添加对下一代 HBM3 内存的支持。IP 封装支持 HBM3 内存芯片，容量高达 64GB，数据传输速率高达 7200 MT/s，带宽高达 921 GB/s。领先的内存制造商美光

半导体产业纵横 2021-10-10 1530浏览

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我这，原先V10.5跑的好好的代码，更新V11后，单片机初始化时就不断重启

vaov_3734... 评论文章 2025-01-06

FreeRTOSV11.0升级了多项重要功能，兼容V10版本
这里http://www.zhefar.com/download/training/zhefar/Training%20-%20JTAG(CHS).pdf 有份培训资料挺好，是杭州哲发科技有限公司的。他们是专业JTAG方案供应商，其JTAG综合应用系统是众多杰出工程师在二十多年电子通信产品开发过程中，根据工作需要在实践中建立并完善起来的一套调试/调测/维修系统。产品经过大量验证，已经服务于众多知名公司和上市公司。 JTAG综合应用系统三大功能：板卡测试维修、PLD加载/编程和 Flash烧写/编程/加载。 www.zhefar.com 我们和好几个兄弟单位都用过，非常好！

xxdg 评论文章 2025-01-05

强大的JTAG边界扫描2-BSDL文件

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