GaNHEMT - 电子工程专辑

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新品|650V耐压GaNHEMT新增小型、高散热TOLL封装

~同时加快车载GaN器件的开发速度，以尽快投入量产~全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）已将TOLL（TO-LeadLess）封装的650V耐压GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量产。TOLL封装不仅体积小，散热性能出色，还具有优异的电流容量和开关特性，因此在工业设备、车载设备以及需要支持大功率的应用领域被越来越多地采用。此次，ROHM将封装工序外包给了作为半导体后道

罗姆半导体集团 2025-02-19 64浏览
罗姆650V耐压GaNHEMT新增小型、高散热TOLL封装

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)已将TOLL(TO-LeadLess)封装的650V耐压GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量产。TOLL封装不仅体积小，散热性能出色，还具有优异的电流容量和开关特性，因此在工业设备、车载设备以及需要支持大功率的应用领域被越来越多地采用。此次，ROHM将封装工序外包给了作为半导体后道工序供应商(OSAT)拥有丰富业绩的日月新半导体(威

皇华电子元器件IC供应商 2025-02-14 235浏览
GaNHEMT和GaNMOSFET是一种器件吗？

GaN HEMT和GaN MOSFET都是基于氮化镓(GaN)材料的半导体器件，但它们是不同的器件类型。GaN HEMT代表高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistor），它利用氮化镓材料的高电子迁移率来实现高速、高功率、高效率的操作。它具有低电阻和高开关速度的特点，常用于射频功率放大器、交流变换器、DC-DC转换器和电源管理等应用中。GaN HEMT器件

Keysight射频测试资料分 2025-01-16 319浏览
纳芯微GaNHEMT驱动芯片NSD2017助力应对激光雷达应用挑战

自动驾驶是新能源汽车智能化的重要发展方向，而具备强感知能力的激光雷达则是L2+及以上级别自动驾驶不可或缺的硬件设备。纳芯微的单通道高速栅极驱动芯片NSD2017，专为激光雷达发射器中驱动GaN HEMT（高电子迁移率晶体管）而设计，助力应对激光雷达应用中的各项挑战。01激光雷达系统结构介绍自动驾驶中使用的激光雷达通常采用DToF（Direct Time-of-Flight）测距方式，即通过直接测量

皇华电子元器件IC供应商 2024-07-01 686浏览
ROHM开始量产具有业界超高性能的650V耐压GaNHEMT！

非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统的效率提升和小型化全球知名半导体制造商ROHM（以下简称“ROHM”）将650V耐压的GaN（Gallium Nitride：氮化镓）HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产，这两款产品非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统。据悉，电源和电机的用电量占全世界用电量的一大半，为实现无碳社会，如何提高它们的效率已成为全球

罗姆半导体集团 2023-05-24 683浏览
6000V！GaNHEMT新突破，蓝宝石衬底！

最近，丰田合成官网公布了一项新的GaN HEMT功率器件技术，主要有几个亮点：● 耐压高达6000V● 该器件已被电源转换器采用，工作电压800V、效率98%● 采用了蓝宝石衬底2大难题阻碍GaN器件超越SiC理论上，在相同耐压情况下，SiC的导通电阻极限值优于硅，而GaN优于SiC。SiC和GaN都是高耐压、低导通电阻器件的绝佳材料。加入氮化镓大佬群，请加VX：hangjiashuo666SiC

第三代半导体风向 2021-12-31 1904浏览

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