GaNHEMT - 电子工程专辑

GaNHEMT

GaNHEMT和GaNMOSFET是一种器件吗？

GaN HEMT和GaN MOSFET都是基于氮化镓(GaN)材料的半导体器件，但它们是不同的器件类型。GaN HEMT代表高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistor），它利用氮化镓材料的高电子迁移率来实现高速、高功率、高效率的操作。它具有低电阻和高开关速度的特点，常用于射频功率放大器、交流变换器、DC-DC转换器和电源管理等应用中。GaN HEMT器件

Keysight射频测试资料分 2025-01-16 116浏览
纳芯微GaNHEMT驱动芯片NSD2017助力应对激光雷达应用挑战

自动驾驶是新能源汽车智能化的重要发展方向，而具备强感知能力的激光雷达则是L2+及以上级别自动驾驶不可或缺的硬件设备。纳芯微的单通道高速栅极驱动芯片NSD2017，专为激光雷达发射器中驱动GaN HEMT（高电子迁移率晶体管）而设计，助力应对激光雷达应用中的各项挑战。01激光雷达系统结构介绍自动驾驶中使用的激光雷达通常采用DToF（Direct Time-of-Flight）测距方式，即通过直接测量

皇华电子元器件IC供应商 2024-07-01 566浏览
ROHM开始量产具有业界超高性能的650V耐压GaNHEMT！

非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统的效率提升和小型化全球知名半导体制造商ROHM（以下简称“ROHM”）将650V耐压的GaN（Gallium Nitride：氮化镓）HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产，这两款产品非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统。据悉，电源和电机的用电量占全世界用电量的一大半，为实现无碳社会，如何提高它们的效率已成为全球

罗姆半导体集团 2023-05-24 662浏览
6000V！GaNHEMT新突破，蓝宝石衬底！

最近，丰田合成官网公布了一项新的GaN HEMT功率器件技术，主要有几个亮点：● 耐压高达6000V● 该器件已被电源转换器采用，工作电压800V、效率98%● 采用了蓝宝石衬底2大难题阻碍GaN器件超越SiC理论上，在相同耐压情况下，SiC的导通电阻极限值优于硅，而GaN优于SiC。SiC和GaN都是高耐压、低导通电阻器件的绝佳材料。加入氮化镓大佬群，请加VX：hangjiashuo666SiC

第三代半导体风向 2021-12-31 1811浏览

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我也多次遇到这类绝对防水防潮的家用电器，没得修！多见于厨房、洗浴等环境。出于安全这倒是个办法，可系统各环节可靠性寿命的一致性也是出于安全的必要啊！矛盾在于制造成本的投入和消费购买的接受。这是个看似有解，其实无解的问题。说白了，环保是个伪命题。

自做自受评论文章 2025-01-21

拆解洗衣机控制板，我差点以为我能修好这台洗衣机按键不良问题
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