GaAs - 电子工程专辑

GaAs

GaAs芯片的表面工艺异常问题

一、砷化镓表面存在氧化层GaAs属于闪锌矿结构，具有立方晶系Fm3m空间群，晶胞参数为5.646 Å。Ga原子位于晶胞的顶点，As原子位于晶胞的面心和体内，形成四面体结构。GaAs表面在空气中容易发生氧化反应，生成氧化物如Ga2O3、As2O3和As2O5。这些氧化物进一步与GaAs反应生成更稳定的氧化物。氧化动力学：As原子比Ga原子更活泼，因此As2O3和As2O5的生成速度较快，而Ga2O3

芯片工艺技术 2025-02-17 551浏览
GaAs晶圆减薄时易碎片和消除应力问题

GaAs晶圆在减薄过程中容易出现碎片和应力问题，这主要与材料的脆性、加工工艺以及应力管理有关。以下是对这些问题的详细分析：1. GaAs晶圆的脆性与减薄难度GaAs是一种脆性材料，其减薄极限较其他材料（如Si）更低。例如，GaAs的减薄极限通常为50μm左右，而Si可以减薄到约50nm，这种脆性导致在减薄过程中容易产生裂纹和碎片，尤其是在较厚的晶圆中。此外，GaAs晶圆的表面粗糙度和机械应力也会进

芯片工艺技术 2025-02-14 446浏览
GaAs晶圆的清洗和表面处理工艺

GaAs晶圆作为常用的一类晶圆，在半导体功率芯片和光电子芯片都有广泛应用。而如何处理好该类晶圆的清洗和进一步的钝化工作是生产工艺过程中需要关注的点。我们知道GaAs晶圆或者在GaAs上长的外延片，都是从GaAs衬底而来的，GaAs衬底大都是有GaAs锭中切割下来的，中间经过拉单晶、打磨、倒角、切片、抛光等一系列工艺，中间肯定有污染。而GaAs本身作为一种复杂的高缺

芯片工艺技术 2024-05-21 1881浏览
非均匀GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器材料表征和器件性能研究

量子阱红外探测器基于子带跃迁的工作原理，探测器吸收红外辐射后激发量子阱中的电子，使其从基态跃迁到连续态中，从而实现红外探测。据麦姆斯咨询报道，近期，上海理工大学和中国科学院上海技术物理研究所的科研团队在《红外与毫米波学报》期刊上发表了以“非均匀GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器材料表征和器件性能研究”为主题的文章。该文章第一作者为苏家平，通讯作者为陈平平和陈泽中。本工作是面向焦平面（FPA）非

MEMS 2023-12-17 853浏览
综述：GaAs基VCSEL干法刻蚀技术研究

GaAs基VCSEL已广泛应用于三维成像、无人驾驶、物联网、数据通讯等领域，同时在光电对抗、激光雷达、航空航天等高精尖领域也发挥着巨大的作用和潜能。GaAs基VCSEL的刻蚀技术是制备过程中最关键的环节。刻蚀时掩膜的质量、刻蚀GaAs后的表面质量、VCSEL的台面和侧壁形貌都会直接影响器件性能。在刻蚀过程中，掩膜的好坏直接影响刻蚀的效果。VCSEL侧壁如果过于粗糙，就会影响载流子的复合效率，也会使

MEMS 2023-04-21 2523浏览
做GaAs外延的几个公司

GaAS外延片GaAs epitaxial wafer，在特定晶向[(100)或(100)偏向最近2 ～5 的晶面]砷化镓衬底上外延生长的单晶薄层材料外延工艺有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等。商用常用MOCVD设备。外延是制作激光器的基础，全球外延晶片的供应，主要用两种，一种是全流程大型的光电整合元件制造IDM，例如美国的II-VI、Broadcom、Lumentum、日本

芯片工艺技术 2023-03-21 1866浏览
GaAlAs/GaAs半导体激光器

可见光激光器的应用是十分广泛的，甚至有人说可见激光是比LED更棒的光源。但是其发展的主要困难是如何选择合适的有源层、限制层材料以及对应的生长工艺。我们知道He-Ne激光器632.8nm的激光器用途很广泛。氦氖激光器是以中性原子气体氦和氖作为工作物质的气体激光器。以连续激励方式输出连续激光。在可见光和近红外区主要有0.6328微米、3.39微米和1.15微米三条谱线，其中0.6328

芯片工艺技术 2023-02-28 2095浏览
从PaaS到GaaS，蔚领时代的“云”上愿景

逆势而行的蔚领时代，凭什么赢得资本青睐？文│松果财经作者│常嘉亦引言近日，以《云·原神》为标杆之作闻名业界的实时云渲染解决方案提供商蔚领时代宣布完成4000万美元B2轮融资，本轮融资由淡马锡领投，老股东鼎晖VGC、明势资本跟投。据悉，本轮融资将用于进一步完善以实时云渲染为基础的软硬件战略布局，以及海外市场业务的拓展。这是这家成立仅3年的公司获得的第5次融资。并且本轮融资正值资本市场寒气四溢、投资人

松果财经 2022-10-19 1352浏览
14.1亿！开工！又一地宣布，建设InP、GaAs激光芯片生产基地

免责声明：内容如有侵权，请联系本部删除！（手机微信同号15800497114）来源：重庆两江新区 7月30日，两江新区举行重大项目集中开（竣）工活动，开竣工项目76个、总投资768亿元。其中，开工项目39个、总投资413亿元；竣工项目37个、投资355亿元。开工的39个项目涵盖重点产业、基础设施、公共服务、开放平台、科技创新等领域。分领域看，基础设施项目18个、投资55亿元；公共服务项目13个、投

今日半导体 2022-08-01 1508浏览
总投资约12.4亿，6寸GaN/GaAs芯片线来了

*免责声明：转载仅为了传达一种不同的观点，不代表今日半导体对该观点赞同或支持，内容如有侵权，请联系本部删除！手机微信同15800497114。8月28日，成都金牛区2021年现代都市工业及配套设施重点项目集中开工仪式在金牛高新技术产业园区举行，现场开工9个项目，涵盖标准厂房、人才公寓、生态景观等方面。“此次开工的9个项目充分体现金牛区生产、生活、生态‘三生融合’的发展理念。”金牛城投集团副总经理赵

今日半导体 2021-08-30 1864浏览

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