EUV - 电子工程专辑

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美国投资8.25亿美元打造EUV光刻技术！

拜登政府宣布将在纽约州奥尔巴尼市投资8.25亿美元，建造国家半导体技术中心（NSTC）的旗舰设施。美国商务部表示，纽约州奥尔巴尼的场地将专注于极紫外（EUV）光刻技术，NSTC是美国首屈一指的研发中心，旨在促进半导体技术创新，培养熟练的劳动力以支持这些新发展，并与私营部门和学术界合作。NSTC的第一座设施名为“CHIPS for America Extreme Ultraviolet (EUV)

飙叔科技洞察 2024-11-01 287浏览
EUV薄膜，迎来新突破！

碳纳米管（CNT）作为极紫外（EUV）光刻中使用的薄膜材料而备受关注。尽管CNT具有许多优点，但将其应用于EUV薄膜时，其生产方法是一个问题。芬兰的 Canatu 正在致力于开发碳纳米管的新制造方法。在当今的半导体制造业中，最先进的芯片是在 7nm 及以下代工艺中制造的，几乎没有误差余地。尽管这个微观世界面临着挑战和持续的压力，工程师和科学家仍在继续追求突破摩尔定律极限的尖端工艺、技术和材料。通过

滤波器 2024-09-14 733浏览
突破！可改进EUV光刻

三星正在测试由东京电子提供的GCB设备，旨在改进其EUV光刻工艺。作者 | 张真据韩媒TheElec爆料，三星正在测试由东京电子（TEL）提供的气体团簇光束（GCB）设备，以期改进其极紫外（EUV）光刻工艺。东京电子方面证实，公司正在与客户正一同评估该设备性能，以决定是否将其用于晶圆代工厂。公开资料显示，东京电子是半导体制造设备的主要供应商，主营半导体的蚀刻、沉积和清洁环节，其客户包括先进逻辑及存

科创板日报 2024-09-03 582浏览
日本提出EUV光刻新方案！

国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业！不拘中国、放眼世界！关注世界半导体论坛↓↓↓8月12日消息，据日本冲绳科学技术大学院大学（OIST）官网最新报告，该校设计了一种极紫外（EUV）光刻技术，超越了半导体制造业的标准界限。基于此设计的光刻设备可采用更小的EUV光源，其功耗还不到传统EUV光刻机的十分之一，从而降低成本并大幅提高机器的可靠性和使用寿命。在传统光学系统中，例如照相机、

中国半导体论坛 2024-08-12 535浏览
日本科学家研发极简版EUV光刻技术！大幅降低成本及功耗！

重磅新课上线！连载过程中5折优惠《ESD与Latch-up: 高抗性与解决方案》日本冲绳科学技术大学（OIST）的津森诚教授提出了一种全新的、大大简化的极紫外（EUV）光刻工具，比ASML开发和制造的EUV光刻机更便宜。如果该设备实现量产，将有望重塑芯片制造设备行业，甚至可能对整个半导体行业产生影响。新系统在其光学投影设置中仅使用两个反射镜，这与传统的六反射镜配置有很大不同。这种光学系统的挑战在于

EETOP 2024-08-08 528浏览
EUV光刻新技术问世，能大幅提高能源效率并降低半导体制造成本！

8月2日，冲绳科学技术大学院大学（OIST）的教授新竹俊（Tsumoru Shintake）提出了一种极紫外（EUV）光刻技术。基于这种设计的EUV光刻技术可以使用更小的EUV光源工作，从而降低成本，显著提高机器的可靠性和使用寿命。而在消耗电量上不到传统EUV光刻机的十分之一，有助于半导体行业变得更加环境可持续。据了解，该技术能取得突破，是因为它解决了该领域之前被认为无法克服的两个问题。第一个是仅

飙叔科技洞察 2024-08-06 707浏览
下一代EUV光刻技术解密

三大晶圆代工厂计划最早在 2025 年为 18 埃代工应用High NA EUV 光刻技术，但用标准 EUV（NA = 0.33）取代单次曝光高High NA（0.55）而非双重图案化，取决于它是否能以合理的每片晶圆成本提供更好的结果。到目前为止，2024 年是高数值孔径 EUV 光刻技术的辉煌一年。英特尔代工厂已接收了一台高数值孔径 EUV 扫描仪。英特尔、imec、ASML、IBM 以及即将

半导体工艺与设备 2024-08-06 723浏览
极紫外(EUV)光刻新技术问世！大幅提升半导体制造效益

来源：日本冲绳科学技术大学院大学近日，日本冲绳科学技术大学院大学（OIST）官网最新消息，Tsumoru Shintake 教授团队提出了一种超越半导体制造标准的极紫外 (EUV) 光刻技术。该研究团队称，该技术超越了半导体制造业的标准界限。基于此设计的光刻设备可使用更小的EUV光源，其功耗还不到传统EUV光刻机的十分之一，从而降低成本并大幅提高机器的可靠性和使用寿命。这将有助于半导体行业实现更加

DT半导体材料 2024-08-05 917浏览
将EUV扩展至14A的关键技术有哪些？

（本文编译自Semiconductor Engineering）三大晶圆代工厂计划最早在2025年为18A一代实施高NA EUV光刻技术，但用标准EUV（NA=0.33）的双重曝光技术取代单次曝光高NA（0.55），取决于其是否能以合理的每片晶圆成本提供更好的结果。到目前为止，对于高数值孔径EUV光刻技术而言，2024年是标志性的一年。英特尔代工厂已接收了一台高数值孔径EUV光刻机。英特尔、ime

TechSugar 2024-07-31 546浏览
EUV成ASML的“救命稻草”？

戳👇🏻关注社长带你港股掘金由于光刻支出的战略性质，ASML应该成为长期投资者关注的焦点。作者 | Tech Stock Pros编译 | 华尔街大事件ASML(NASDAQ:ASML)本周早些时候公布了2024年第二季度业绩，导致股价大幅回调逾12%，该股与标准普尔500指数和半市值公司Applied Materials和Lam Research的单月走势图所示。本季度，AS

美股研究社 2024-07-22 737浏览
相比3nm，三星2nm工艺EUV层数将增加30%！三星芯片工厂罢工持续，重启与工会谈判！

三星的2nm工艺节点将比3nm增加30%的极紫外（EUV）层数。消息人士称，三星的3nm节点有20个EUV层，但2nm的EUV层数已增加到26层。他们补充说，三星的1.4nm工艺预计将于2017年开始生产，预计将有超过30个EUV层数。三星于2018年首次在其7nm逻辑工艺节点上应用EUV。从那时起，随着每次迁移到5nm和3nm，三星都会增加芯片生产过程中的EUV层数或EUV工艺步骤数。晶圆代工厂

飙叔科技洞察 2024-07-20 718浏览
EUV光刻，新里程碑

在进入High NA EUV光刻时代的前夕，imec计算技术与系统/计算系统扩展高级副总裁Steven Scheer谈到了ASML-imec联合高NA EUV光刻实验室对半导体行业的意义。Steven Scheer表示：“位于荷兰费尔德霍芬的 ASML-imec High NA EUV 联合光刻实验室的开业，标志着High NA EUV 大规模生产应用准备工作取得里程碑式进展。领先的内存和逻辑芯片

滤波器 2024-07-13 510浏览
英特尔详解Intel3工艺：应用更多EUV光刻，同功耗频率提升至多18%

近日，英特尔介绍了 Intel 3 工艺节点的技术细节。Intel 3 是英特尔最后一代 FinFET 晶体管工艺，相较 Intel 4 增加了使用 EUV 的步骤，也将是一个长期提供代工服务的节点家族，包含基础 Intel 3 和三个变体节点。其中 Intel 3-E 原生支持 1.2V 高电压，适合模拟模块的制造；而未来的 Intel 3-PT 进一步提升了整体性能，并支持更精细的 9μm 间

52RD 2024-06-20 650浏览
ASML再创EUV芯片制造密度记录！

ASML在imec的ITF World 2024大会上宣布，其首台High-NA机器现已超过了两个月前创下的纪录，再次创下新的芯片制造密度记录。ASML前总裁兼首席技术官Martin van den Brink现在在该公司担任顾问职务，他还提议该ASML可以开发一种Hyper-NA芯片制造工具，以进一步扩展其High-NA机器，并共享潜在的路线图。他概述了一项计划，通过从根本上将未来ASML光刻机

EETOP 2024-05-29 608浏览
ASML考虑推出通用EUV光刻平台，覆盖不同数值孔径

据荷兰媒体 Bits&Chips 报道，ASML 顾问、前任 CTO 马丁・范登布林克（Martin van den Brink）近日称，这家光刻机制造商考虑推出一个通用 EUV 光刻平台。范登布林克在本月 21~22 日举行的 2024 年度 imec ITF World 技术论坛上表示：我们提出了一个长期（也许十年）的路线图：我们将拥有一个包含 Low NA（0.33NA）、High NA（0

52RD 2024-05-23 783浏览
台积电的EUV成功之路

点击这里👇关注我，记得标星哦～尽管台积电不能声称自己是第一家使用极紫外（EUV）光刻技术的晶圆厂——这个头衔属于三星——但他们确实声称自己是最大的晶圆厂。因此，该公司多年来在EUV方面积累了丰富的经验，使台积电能够改进他们使用EUV光刻机的方式，以提高生产率/正常运行时间，并降低使用超精细工具的成本。作为该公司本周欧洲技术研讨会的一部分，他们更详细地介绍了他们的EUV使用历史，以及他们进一步将EU

EETOP 2024-05-21 600浏览
三星电子会长李在镕访问蔡司总部，深化EUV光刻和先进半导体设备合作

据三星官方新闻稿，三星电子会长李在镕于当地时间 26 日访问蔡司位于德国奥伯科亨的总部，并于蔡司 CEO 卡尔・兰普雷希特等就加强两家公司的合作进行了讨论。▲ 李在镕（中）、兰普雷希特（左）与蔡司半导体制造技术部门 CEO 安德烈亚斯・佩歇尔（右）在蔡司总部外合影留念。图源三星新闻稿，下同蔡司是 ASML EUV 光刻机光学系统的独家供应商，每台 EUV 光刻机中包含了三万多个由蔡司提供的组件，蔡

52RD 2024-04-29 706浏览
华为新专利能突破EUV封锁？

近日，有外媒报道称，华为与国企半导体公司深圳市新凯来技术有限公司（SiCarrier）公布了一项新的芯片制造专利，该专利被指为是一项低技术但具有巨大潜力的制造方式，且能减少对先进制程光刻技术的依赖，能在没有ASML公司最先进的极紫外光刻机（EUV）的情况下就能生产先进制程芯片。这一传闻的主要依据是华为和新凯来最近公开的一项专利技术，即自对准四重成像技术（SAQP）半导体装置的制作方法以及半导体装置

TechSugar 2024-03-27 4356浏览
SK海力士将购8台EUV设备！

国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业！不拘中国、放眼世界！关注世界半导体论坛↓↓↓2月28日消息，据韩媒报道，SK海力士将于今年引入8台EUV光刻机，推动 DRAM 内存产品的技术演进。SK 海力士现有 5 台光刻机。到今年末，若加上韩媒报道中称的 8 台，其拥有的 EUV 光刻机总数将达 13 台，较年初翻倍有余，大幅提升 EUV 曝光能力。SK 海力士于第四代 10 纳米级制

中国半导体论坛 2024-02-28 732浏览
可减少昂贵EUV光刻使用，德国称DSA自组装技术十年内商用！

2 月 5 日消息，德国默克公司高级副总裁 Anand Nambier 近日在新闻发布会上称，未来十年 DSA 自组装技术将实现商用化，可减少昂贵的 EUV 图案化次数，成为现有光刻技术的重要补充。DSA 全称为 Directed self-assembly，其利用嵌段共聚物的表面特征实现周期性图案的自动构造，在此基础上加以诱导，最终形成方向可控的所需图案。一般认为，DSA 不适合作为一项独立的图

飙叔科技洞察 2024-02-06 623浏览
比EUV节省90%的功耗！佳能将交付第一批纳米压印光刻工具

点击这里👇关注我，记得标星哦～去年，佳能推出了首款纳米压印光刻（NIL）设备，该设备可以与ASML的极紫外（EUV）和先进的深紫外（DUV）光刻系统竞争。据英国《金融时报》报道，本周佳能司表示，首批客户将于今年或明年收到第一台 NIL 机器，不过这将用于试运行。这些新机器的工作原理是在晶圆上压印印记，而不是使用典型的光刻技术进行光学刻录，据称与行业巨头 ASML 的竞争 EUV 机器相比，其能耗

EETOP 2024-02-01 734浏览
Imec与三井在EUV光刻关键组件上达成合作！

点击蓝字关注我们比利时纳米电子创新中心imec和日本化学公司三井化学宣布建立战略合作伙伴关系，将下一代EUV半导体光刻系统的关键组件商业化。此次合作的重点是EUV膜——一种薄而透明的膜，可以保护EUV光掩膜在生产过程中免受潜在污染。imec和三井的合作旨在将基于碳纳米管的新薄膜设计在2025-2026年内投入商业生产，这样可以和提高EUV光刻光源功率的计划同步。薄膜保护由于需要在半导体集成电路上以

SSDFans 2024-01-08 537浏览
DNP开发出用于3纳米EUV光刻的光掩膜工艺

近日，为了响应电路线宽日益精细化的半导体市场需求，Dai Nippon Printing Co., Ltd. (DNP) (TOKYO: 7912)成功开发出一种光掩膜制造工艺，能够适应3纳米（10-9米）光刻工艺，以支持半导体制造的尖端工艺——极紫外(EUV)光刻。能够支持3纳米EUV光刻的光掩膜（照片：美国商业资讯）DNP不断满足半导体制造商对性能和质量的要求。2016年，我们成为全球首家推出

CINNOResearch 2023-12-14 753浏览
曝光技术大进展！三星关键材料EUV光罩护膜透光率达90%

来源：科技新报12月5日，三星电子在 EUV 曝光技术取得重大进展，韩媒 Business Korea 报导，三星电子 DS 部门研究员 Kang Young-seok 表示，三星使用的 EUV 光罩护膜（EUV pellicles）透光率（transmission rate）已达 90%，计划再提高至 94-96%。EUV 光罩护膜（Pellicle）是光罩上的薄膜，保护光罩免于微尘或挥发性气

CINNOResearch 2023-12-05 940浏览
三星使用日本产EUV薄膜，透光率达到90%！三星前三季度向高通、联发科购买近9万亿韩元AP！

近日据半导体业界透露，三星的极紫外（EUV）光刻技术取得了重大进展。最近在釜山举行的“KISM2023”学术会议上，三星DS事业部研究员Kang Young-seok详细介绍了EUV技术的现状和未来。据悉，三星EUV技术的关键在于EUV薄膜的使用，这是半导体制造中光刻工艺所必需的材料，能够起到保护作用，防止外来颗粒造成缺陷。Kang Young-seok透露，三星使用的EUV薄膜的透光率已经达到9

深圳飙叔 2023-12-04 536浏览

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