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英特尔前CEO基辛格加入xLight，投身EUV光刻！

近日，英特尔前CEO帕特·基辛格(Pat Gelsinger)加入xLight，担任董事会执行董事长。这是一家开发自由电子激光(FEL)技术作为极紫外(EUV)光刻系统光源的初创公司。使用粒子加速器为光刻机生成光已经有过讨论，但xLight声称它可以在2028年生产出这样的光源，同时保持与现有工具的兼容性。基辛格在LinkedIn的一篇帖子中写道：“作为我在Playground Global的

皇华电子元器件IC供应商 2025-04-14 609浏览
美光1γ制程\xa0DDR5送样，仅一层用EUV

存储器大厂美光（Micron）发表 1γ（gamma）先进制程后，2 月送样给英特尔（Intel）和 AMD 等客户 1γ（gamma）DDR5，为存储器第一家达成里程碑的企业。韩媒朝鲜日报报导，美光送样 1γ（gamma）DDR5，只用一层极紫外光（EUV）微影曝光设备，因美光计划减少 EUV 使用，加速量产先进制程 DRAM，降低成本。美光选择减少依赖 EUV，转用成熟氩氟浸没式光刻（ArFi

WitDisplay 2025-03-11 116浏览
EUV技术前景光明

（本文编译自Semiconductor Engineering）支撑人工智能革命的先进制程芯片需求呈现爆发式增长，正持续考验全球半导体产业的供给能力。从支撑大语言模型的超大规模数据中心，到智能手机、物联网设备和自动驾驶系统的边缘AI，各领域对尖端半导体的渴求已形成叠加效应。然而，这类芯片的制造高度依赖极紫外（EUV）光刻技术，该技术本身的规模化瓶颈已成为制约行业发展的关键障碍。自2019年首批商用

TechSugar 2025-03-07 232浏览
安森美启动重组计划拟裁员2400人；特斯拉收购德国Manz部分资产；美光首推采用EUV技术的1γDDR5芯片|新闻速递

五分钟了解产业大事每日头条芯闻安森美启动重组计划，拟裁员约2400人SK海力士宣布龙仁半导体产业园首座晶圆厂开建特斯拉收购德国Manz部分资产三星推出业界首款抗量子解密芯片S3SSE2A，保护手机关键数据美光首家推出采用EUV技术的1γ DDR5 DRAM芯片三星计划到2030年实现1000层NAND，并推出400层晶圆键合技术库克仍未接任苹果董事长CountPoint称国补引爆中国手机市场：1月

TechSugar 2025-02-27 160浏览
9200MT/s的DDR5面世：采用EUV光刻技术

▲ 点击上方蓝字关注我们，不错过任何一篇干货文章！2月26日，美光科技公司宣布已经率先向生态系统合作伙伴和特定客户交付基于1γ（1-gamma）、第六代（10nm级）DRAM节点的DDR5内存样品，该内存专为下一代CPU设计。1γ DRAM节点首先应用于16Gb DDR5 DRAM，后续将逐步融入美光的全系列内存产品，以满足行业对高性能、节能AI内存解决方案日益增长的需求。16Gb DDR5产品具

电子工程世界 2025-02-27 151浏览
美光DDR5内存升级1γnm工艺首次EUV！轻松单条128GB9200MHz

美光宣布，基于最新1γ纳米工艺的DDR5 DRAM内存芯片已经投产，性能、能效、密度等各项指标都大幅提升。DRAM内存行业的节点工艺一直不标注具体数值，而是1a、1b、1c、1α、1β、1γ这样的迭代顺序，越来越先进，其中1a比较接近20nm，1γ则接近10nm。这是美光内存第一次用上EUV极紫外光刻工艺，而三星、SK海力士早就用了，不过美光这次同时还引入了下一代HKMG金属栅极技术，预计全新的B

硬件世界 2025-02-26 319浏览
美光首家采用EUV技术制造DDR5DRAM芯片！

美光科技宣布已开始向部分生态系统合作伙伴和客户出货1γ（1-gamma）16Gbit DDR5 DRAM芯片。美光声称，它是第一个采用1-gamma（1γ）节点的公司，该节点指的是DRAM工艺技术的第六代，最小几何尺寸在19nm~10nm之间。随着DRAM制造商开始制造10nm级DRAM，他们放弃了纳米测量，转而采用1x、1y、1z，现在是1α、1β和1γ。得益于美光此前在1α和 1β DRAM节

飙叔科技洞察 2025-02-26 253浏览
ASMLCEO谈半导体产业、EUV、中美技术差距、AI以及分享工作经验

Christophe Fouquet，ASML现任CEO，一个极其通透的人，一个优秀的技术公司领袖，一个看穿半导体产业规律的行业专家。他说，谦逊是领导力第一要素；他说，当你不再为证明自己而战时，你就获得了工作上的自由；他说，做决策时要冷静，你可以根据自己的呼吸是否还平稳来判定自己的情绪；他说现在的人们太聪明，很多人不知道活在当下，enjoy your moment。他坚信摩尔定律还可以延续，先进工

TechSugar 2025-02-07 224浏览
碳纳米管如何变革EUV光刻领域

（本文编译自ElectronicDesign）碳纳米管为防止极紫外光刻（EUV lithography）中的缺陷提供了一种颠覆性的解决方案，助力半导体行业朝着极致微型化发展，并提升芯片可靠性。在人工智能和高度互联技术普及的推动下，半导体行业规模预计在未来十年内将翻倍。然而，尽管微型芯片作为支撑从智能手机到救生医疗设备等一切产品的微小动力源，正面临着前所未有的需求增长，但它们也面临着迫在眉睫的技术瓶

TechSugar 2025-01-17 456浏览
纳米压印光刻技术旨在与极紫外光刻（EUV）竞争

点击蓝字关注我们SUBSCRIBE to USCANON9月，佳能交付了一种技术的首个商业版本，该技术有朝一日可能颠覆最先进硅芯片的制造方式。这种技术被称为纳米压印光刻技术（NIL，nanoimprint lithography），它能够绘制出小至14纳米的电路特征——使逻辑芯片达到与英特尔、超微半导体（AMD）和英伟达现正大量生产的处理器相当的水平。纳米压印光刻系统具有的优势可能对当今主导先进

IEEE电气电子工程师学会 2025-01-08 1695浏览
下一代EUV光源，美国再次领先，芯片制造效率飙升十倍！

从左至右：德鲁·威拉德、布兰登·里根和伊萨·塔默正在大口径铥（BAT）激光系统上工作。（照片：杰森·劳雷亚/LLNL）数十年来，美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）在激光、光学和等离子体物理学领域的尖端研究，在半导体行业用于制造先进微处理器的基础科学中发挥了关键作用。这些计算机芯片推动了当今人工智能、高性能超级计算机和智能手机领域的惊人创新。如今，由LLNL领导的一个新的研究合作伙伴关系旨在为

EETOP 2025-01-06 505浏览
解散EUV团队？SK海力士和三星在光刻上分道扬镳

▲ 点击上方蓝字关注我们，不错过任何一篇干货文章！韩国两大半导体巨头三星电子和SK海力士在极紫外（EUV）光刻技术上采取了不同的策略，引起了业界的高度关注。这一发展正值两家公司都致力于增强其在高度动态和竞争激烈的半导体市场中的竞争力之际。作为年终组织重组的一部分，三星电子在全球制造和基础设施总部下成立了一个新的工作组（TF）团队，名为“EUV Synergy TF”。此举被视为提高超精细半导体制造

电子工程世界 2024-12-31 124浏览
美国投资8.25亿美元打造EUV光刻技术！

拜登政府宣布将在纽约州奥尔巴尼市投资8.25亿美元，建造国家半导体技术中心（NSTC）的旗舰设施。美国商务部表示，纽约州奥尔巴尼的场地将专注于极紫外（EUV）光刻技术，NSTC是美国首屈一指的研发中心，旨在促进半导体技术创新，培养熟练的劳动力以支持这些新发展，并与私营部门和学术界合作。NSTC的第一座设施名为“CHIPS for America Extreme Ultraviolet (EUV)

飙叔科技洞察 2024-11-01 606浏览
EUV薄膜，迎来新突破！

碳纳米管（CNT）作为极紫外（EUV）光刻中使用的薄膜材料而备受关注。尽管CNT具有许多优点，但将其应用于EUV薄膜时，其生产方法是一个问题。芬兰的 Canatu 正在致力于开发碳纳米管的新制造方法。在当今的半导体制造业中，最先进的芯片是在 7nm 及以下代工艺中制造的，几乎没有误差余地。尽管这个微观世界面临着挑战和持续的压力，工程师和科学家仍在继续追求突破摩尔定律极限的尖端工艺、技术和材料。通过

滤波器 2024-09-14 970浏览
突破！可改进EUV光刻

三星正在测试由东京电子提供的GCB设备，旨在改进其EUV光刻工艺。作者 | 张真据韩媒TheElec爆料，三星正在测试由东京电子（TEL）提供的气体团簇光束（GCB）设备，以期改进其极紫外（EUV）光刻工艺。东京电子方面证实，公司正在与客户正一同评估该设备性能，以决定是否将其用于晶圆代工厂。公开资料显示，东京电子是半导体制造设备的主要供应商，主营半导体的蚀刻、沉积和清洁环节，其客户包括先进逻辑及存

科创板日报 2024-09-03 668浏览
日本提出EUV光刻新方案！

国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业！不拘中国、放眼世界！关注世界半导体论坛↓↓↓8月12日消息，据日本冲绳科学技术大学院大学（OIST）官网最新报告，该校设计了一种极紫外（EUV）光刻技术，超越了半导体制造业的标准界限。基于此设计的光刻设备可采用更小的EUV光源，其功耗还不到传统EUV光刻机的十分之一，从而降低成本并大幅提高机器的可靠性和使用寿命。在传统光学系统中，例如照相机、

中国半导体论坛 2024-08-12 600浏览
日本科学家研发极简版EUV光刻技术！大幅降低成本及功耗！

重磅新课上线！连载过程中5折优惠《ESD与Latch-up: 高抗性与解决方案》日本冲绳科学技术大学（OIST）的津森诚教授提出了一种全新的、大大简化的极紫外（EUV）光刻工具，比ASML开发和制造的EUV光刻机更便宜。如果该设备实现量产，将有望重塑芯片制造设备行业，甚至可能对整个半导体行业产生影响。新系统在其光学投影设置中仅使用两个反射镜，这与传统的六反射镜配置有很大不同。这种光学系统的挑战在于

EETOP 2024-08-08 664浏览
EUV光刻新技术问世，能大幅提高能源效率并降低半导体制造成本！

8月2日，冲绳科学技术大学院大学（OIST）的教授新竹俊（Tsumoru Shintake）提出了一种极紫外（EUV）光刻技术。基于这种设计的EUV光刻技术可以使用更小的EUV光源工作，从而降低成本，显著提高机器的可靠性和使用寿命。而在消耗电量上不到传统EUV光刻机的十分之一，有助于半导体行业变得更加环境可持续。据了解，该技术能取得突破，是因为它解决了该领域之前被认为无法克服的两个问题。第一个是仅

飙叔科技洞察 2024-08-06 911浏览
下一代EUV光刻技术解密

三大晶圆代工厂计划最早在 2025 年为 18 埃代工应用High NA EUV 光刻技术，但用标准 EUV（NA = 0.33）取代单次曝光高High NA（0.55）而非双重图案化，取决于它是否能以合理的每片晶圆成本提供更好的结果。到目前为止，2024 年是高数值孔径 EUV 光刻技术的辉煌一年。英特尔代工厂已接收了一台高数值孔径 EUV 扫描仪。英特尔、imec、ASML、IBM 以及即将

半导体工艺与设备 2024-08-06 996浏览
极紫外(EUV)光刻新技术问世！大幅提升半导体制造效益

来源：日本冲绳科学技术大学院大学近日，日本冲绳科学技术大学院大学（OIST）官网最新消息，Tsumoru Shintake 教授团队提出了一种超越半导体制造标准的极紫外 (EUV) 光刻技术。该研究团队称，该技术超越了半导体制造业的标准界限。基于此设计的光刻设备可使用更小的EUV光源，其功耗还不到传统EUV光刻机的十分之一，从而降低成本并大幅提高机器的可靠性和使用寿命。这将有助于半导体行业实现更加

DT半导体材料 2024-08-05 1192浏览
将EUV扩展至14A的关键技术有哪些？

（本文编译自Semiconductor Engineering）三大晶圆代工厂计划最早在2025年为18A一代实施高NA EUV光刻技术，但用标准EUV（NA=0.33）的双重曝光技术取代单次曝光高NA（0.55），取决于其是否能以合理的每片晶圆成本提供更好的结果。到目前为止，对于高数值孔径EUV光刻技术而言，2024年是标志性的一年。英特尔代工厂已接收了一台高数值孔径EUV光刻机。英特尔、ime

TechSugar 2024-07-31 675浏览
EUV成ASML的“救命稻草”？

戳👇🏻关注社长带你港股掘金由于光刻支出的战略性质，ASML应该成为长期投资者关注的焦点。作者 | Tech Stock Pros编译 | 华尔街大事件ASML(NASDAQ:ASML)本周早些时候公布了2024年第二季度业绩，导致股价大幅回调逾12%，该股与标准普尔500指数和半市值公司Applied Materials和Lam Research的单月走势图所示。本季度，AS

美股研究社 2024-07-22 792浏览
相比3nm，三星2nm工艺EUV层数将增加30%！三星芯片工厂罢工持续，重启与工会谈判！

三星的2nm工艺节点将比3nm增加30%的极紫外（EUV）层数。消息人士称，三星的3nm节点有20个EUV层，但2nm的EUV层数已增加到26层。他们补充说，三星的1.4nm工艺预计将于2017年开始生产，预计将有超过30个EUV层数。三星于2018年首次在其7nm逻辑工艺节点上应用EUV。从那时起，随着每次迁移到5nm和3nm，三星都会增加芯片生产过程中的EUV层数或EUV工艺步骤数。晶圆代工厂

飙叔科技洞察 2024-07-20 849浏览
EUV光刻，新里程碑

在进入High NA EUV光刻时代的前夕，imec计算技术与系统/计算系统扩展高级副总裁Steven Scheer谈到了ASML-imec联合高NA EUV光刻实验室对半导体行业的意义。Steven Scheer表示：“位于荷兰费尔德霍芬的 ASML-imec High NA EUV 联合光刻实验室的开业，标志着High NA EUV 大规模生产应用准备工作取得里程碑式进展。领先的内存和逻辑芯片

滤波器 2024-07-13 598浏览
英特尔详解Intel3工艺：应用更多EUV光刻，同功耗频率提升至多18%

近日，英特尔介绍了 Intel 3 工艺节点的技术细节。Intel 3 是英特尔最后一代 FinFET 晶体管工艺，相较 Intel 4 增加了使用 EUV 的步骤，也将是一个长期提供代工服务的节点家族，包含基础 Intel 3 和三个变体节点。其中 Intel 3-E 原生支持 1.2V 高电压，适合模拟模块的制造；而未来的 Intel 3-PT 进一步提升了整体性能，并支持更精细的 9μm 间

52RD 2024-06-20 2391浏览

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