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DMOS
SGT-MOS与DMOS雪崩耐量对比(内附直播课通知)
(1)SGT-MOS与常规DMOS结构 屏蔽栅侧壁氧化层厚度:0.7um 屏蔽栅底部氧化层厚度:0.5um 屏蔽栅隔离氧化层厚度:0.3um 屏蔽栅宽度:0.4um 屏蔽栅纵向长度:3.4um ##################################################### (2)SGT-MOS与常规DMOS雪崩耐量对比 L=1E-3,H=1/0.
半导体技术人
2021-05-08
2797浏览
SGT-MOS与DMOS栅电荷对比
(1)SGT-MOS与常规DMOS结构屏蔽栅侧壁氧化层厚度:0.7um屏蔽栅底部氧化层厚度:0.5um屏蔽栅隔离氧化层厚度:0.3um屏蔽栅宽度:0.4um屏蔽栅纵向长度:3.4um#####################################################(2)SGT-MOS与常规DMOS栅电荷对比VG~QG特性:##########################
半导体技术人
2021-05-07
1361浏览
SGT-MOS与DMOS栅电荷对比
(1)SGT-MOS与常规DMOS结构 屏蔽栅侧壁氧化层厚度:0.7um 屏蔽栅底部氧化层厚度:0.5um 屏蔽栅隔离氧化层厚度:0.3um 屏蔽栅宽度:0.4um 屏蔽栅纵向长度:3.4um ##################################################### (2)SGT-MOS与常规DMOS栅电荷对比 VG~QG特性:
半导体技术人
2021-05-07
2846浏览
SGT-MOS与DMOS电容特性对比(内附开课通知)
(1)SGT-MOS与常规DMOS结构屏蔽栅侧壁氧化层厚度:0.7um屏蔽栅底部氧化层厚度:0.5um屏蔽栅隔离氧化层厚度:0.3um屏蔽栅宽度:0.4um屏蔽栅纵向长度:3.4um#####################################################(2)SGT-MOS与常规DMOS电容特性对比2.1 VGE=0V2.2 VGE=5V#############
半导体技术人
2021-05-06
1245浏览
SGT-MOS 与DMOS开关特性对比
(1)SGT-MOS与常规DMOS结构屏蔽栅侧壁氧化层厚度:0.7um屏蔽栅底部氧化层厚度:0.5um屏蔽栅隔离氧化层厚度:0.3um屏蔽栅宽度:0.4um屏蔽栅纵向长度:3.4um#####################################################(2)SGT-MOS与常规DMOS开关特性对比2.1通态电流线及断态电场分布对比2.2开关时间对比(1)VG对比
半导体技术人
2021-05-05
1130浏览
SGT-MOS 与DMOS开关特性对比
(1)SGT-MOS与常规DMOS结构 屏蔽栅侧壁氧化层厚度:0.7um 屏蔽栅底部氧化层厚度:0.5um 屏蔽栅隔离氧化层厚度:0.3um 屏蔽栅宽度:0.4um 屏蔽栅纵向长度:3.4um ##################################################### (2)SGT-MOS与常规DMOS开关特性对比 2.1通态电流线及断态电场
半导体技术人
2021-05-05
4096浏览
DMOS反向恢复特性研究
(1)DMOS结构 (2)反向恢复特性(反向恢复失效),Vdrain=1000V (3)反向恢复特性,Vdrain=500V 3.1 IRRM&TL&trr 3.2 IRRM&trr&VDrain 3.2 VSource&VDrain ###########################
半导体技术人
2021-04-14
2504浏览
P沟DMOS极间击穿特性测试分析
在栅氧化层某处存在损坏,栅源时间存在一定程度的虚接,栅(漏)源之间的电流存在泄放路径,导致阈值电压系统显示测试值较大。另外,在测试过程中,如果存在测试错误(如电极断等),复测数据即使合格,测试过程也会对芯片造成一定的损伤。 取PMOSFET(型号IRFCXXXX)芯片,利用系统测试得到的原始数据如图1所示,A1为正常测试,表明该芯片电参数正
半导体技术人
2021-01-04
826浏览
高压大电流DMOS终端设计
功率MOS场效应晶体管电参数指标中规定的电参数一般分为三大类:直流参数、交流参数和极限参数。直流参数包括:漏源击穿电压BVDSS,静态漏源导通电阻RDS(on),栅阈值电压VGS(th),正向跨导gfs等;交流参数包括:输入电容Ciss、输出电容Coss,反向传递电容Crss,开关时间ton、ts、tf等;极限参数包括:连续电流ID和脉冲漏电流IDM,最大耗散
半导体技术人
2020-12-31
1522浏览
高压大电流DMOS结构和输出特性仿真设计
功率MOS场效应晶体管电参数指标中规定的电参数一般分为三大类:直流参数、交流参数和极限参数。直流参数包括:漏源击穿电压BVDSS,静态漏源导通电阻RDS(on),栅阈值电压VGS(th),正向跨导gfs等;交流参数包括:输入电容Ciss、输出电容Coss,反向传递电容Crss,开关时间ton、ts、tf等;极限参数包括:连续电流ID和脉冲漏电流IDM,最大耗散
半导体技术人
2020-12-29
1197浏览
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