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DDR5DRAM
美光首家采用EUV技术制造DDR5DRAM芯片!
美光科技宣布已开始向部分生态系统合作伙伴和客户出货1γ(1-gamma)16Gbit DDR5 DRAM芯片。美光声称,它是第一个采用1-gamma(1γ)节点的公司,该节点指的是DRAM工艺技术的第六代,最小几何尺寸在19nm~10nm之间。随着DRAM制造商开始制造10nm级DRAM,他们放弃了纳米测量,转而采用1x、1y、1z,现在是1α、1β和1γ。得益于美光此前在1α和 1β DRAM节
飙叔科技洞察
2025-02-26
207浏览
三星电子成功开发首款12纳米级DDR5DRAM,将于2023年开始量产
(中国深圳2022年12月21日,美通社消息)三星电子宣布,已成功开发出其首款采用12纳米(nm)级工艺技术打造的16 Gb DDR5 DRAM,并与AMD一起完成了兼容性方面的产品评估。这一技术突破是通过使用一种新的高介电(high-k)材料来增加电池电容,以及改进关键电路特性的专利设计技术而实现的。结合先进的多层极紫外(EUV)光刻技术,新款DRAM拥有三星最高的DDR5 Die密度(Die
全球TMT
2022-12-21
1518浏览
三星推出最先进的DDR5DRAM:EUV技术、7.2Gbps、功耗降低23%..
三星电子今日宣布,成功开发首款采用12纳米级制程技术的16Gb DDR5 DRAM,并与AMD一起完成兼容性产品评估。三星表示,技术突破是藉使用新高介电(high-k)材料,以增加单元电容,并进一步改善关键电路特性专利设计技术达成。三星数据显示,整合先进多层极紫外(EUV)微影曝光技术后,新DRAM拥有三星最高裸片密度(Die density),并可使晶圆生产率提高20%。采用DDR5最新标准,三
EETOP
2022-12-21
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