CoolSiC - 电子工程专辑

CoolSiC

新品|CoolSiC™MOSFET3.3kVXHP™2半桥模块

样品活动进行中，扫码了解详情👇👇新品CoolSiC™ MOSFET 3.3kVXHP™ 2半桥模块XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET 3.3kV集成体二极管、XHP™ 2封装，采用.XT互联技术。产品型号：■ FF2000UXTR33T2M1■ FF2600UXTR33T2M1■ FF4000UXTR33T2M1产品特点Inom大损耗低高开关频率体积小.XT连接技术I2t浪涌电流稳健性应

英飞凌工业半导体 2024-12-27 20浏览
新品|750V8mΩCoolSiC™MOSFET

样品活动进行中，扫码了解详情👇👇新品750V 8mΩ CoolSiC™ MOSFET采用TO-247-4封装的新型CoolSiC™ MOSFET 750V G1是高度坚固的SiC MOSFET，具有最佳的系统性能和可靠性。CoolSiC™ MOSFET 750V充分利用了英飞凌20多年的SiC经验。它在性能、可靠性和坚固性方面都具有优势，并具有栅极驱动灵活性，从而简化了系统设计，提高了成本效益，实

英飞凌工业半导体 2024-12-20 36浏览
新品|第二代CoolSiC™34mΩ1200VSiCMOSFETD²PAK-7L封装

新品第二代CoolSiC™ 34mΩ 1200V SiC MOSFET D²PAK-7L封装采用D²PAK-7L(TO-263-7)封装的第二代 CoolSiC™ G2 1200V MOSFET系列以第一代技术的优势为基础，加快了系统设计的成本优化，实现高效率、紧凑设计和可靠性。第二代产品在硬开关工况和软开关拓扑的关键性能指标上都有显著改进，适用于所有常见的交流-直流、直流-直流和直流-交流各种功

英飞凌工业半导体 2024-11-28 42浏览
新品|CoolSiC™MOSFET650VG2，7mΩ，采用TO247和TO247-4封装

新品CoolSiC™ MOSFET 650V G2，7mΩ，采用TO247和TO247-4封装CoolSiC™ MOSFET 650V G2，7mΩ，采用TO-247和TO-247-4 4引脚封装，以第1代技术的优势为基础，加快了系统设计的成本优化，实现高效、紧凑和可靠解决方案。CoolSiC™ MOSFET第2代在硬开关工况和软开关拓扑的关键性能指标上都有显著改进，适用于所有常见的系统设计。交流

英飞凌工业半导体 2024-11-22 50浏览
新品|第2代CoolSiC™MOSFET400V

新品第2代CoolSiC™ MOSFET 400VCoolSiC™ MOSFET 400V G2将高坚固性与超低开关损耗和导通电阻结合在一起，同时改善了系统成本。400V SiC MOSFET可在2电平和3电平硬开关和软开关拓扑中提供出色的功率密度和系统效率。目标应用为人工智能服务器PSU、SMPS、电机控制、可再生能源和储能以及D类放大器中的功率转换。产品型号：■ IMBG40R011M2H■

英飞凌工业半导体 2024-11-19 114浏览
英飞凌再次荣膺2024年全球电子产品奖，CoolSiC™MOSFET2000V功率器件和模块备受瞩目

11月5日，英飞凌科技CoolSiC™ MOSFET 2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模块(EasyPACK™ 3B封装以及62mm封装)凭借其市场领先的产品设计以及卓越的性能，荣获2024年全球电子成就奖（World Electronics Achievement Awards, WEAA）“年度高性能无源/分立器件”（High Performance Passive/Discrete Dev

英飞凌工业半导体 2024-11-06 351浏览
新品|CoolSiC™肖特基二极管G5系列10-80A2000V

新品CoolSiC™肖特基二极管G5系列10-80A 2000VCoolSiC™肖特基二极管2000V G5系列在高达1500 VDC的高直流母线系统中实现了更高的效率和设计简化。由于采用了.XT互联技术，该二极管具有一流的散热性能和很强的防潮能力。它与配套的CoolSiC™ MOSFET 2000V产品组合完美匹配。产品型号：■ IDYH10G200C5■ IDYH25G200C5■ IDYH4

英飞凌工业半导体 2024-10-31 265浏览
新品|第2代CoolSiC™MOSFET400V

新品第2代CoolSiC™ MOSFET 400VCoolSiC™ MOSFET 400V G2将高坚固性与超低开关损耗和导通电阻结合在一起，同时改善了系统成本。400V SiC MOSFET可在2电平和3电平硬开关和软开关拓扑中提供出色的功率密度和系统效率。目标应用为人工智能服务器PSU、SMPS、电机控制、可再生能源和储能以及D类放大器中的功率转换。产品型号：■ IMBG40R011M2H■

英飞凌工业半导体 2024-09-26 476浏览
新品|CoolSiC™MOSFET1.9mΩ，2.5mΩ3.3kVXHP™2半桥模块

新品CoolSiC™ MOSFET 1.9mΩ，2.5mΩ 3.3kV XHP™ 2半桥模块XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET 3.3kV集成体二极管、XHP™ 2封装，采用.XT互联技术产品型号：■ FF2000UXTR33T2M1 1.9mΩ 3.3kV■ FF2600UXTR33T2M1 2.5mΩ 3.3kV产品特点Inom大损耗低适合高频应用体积小.XT连接技术

英飞凌工业半导体 2024-08-19 377浏览
Electronica展台对话丨1200VCoolSiC™MOSFETEasy模块&CoolSiC™MOSFETG2

1200V增强型CoolSiC™ MOSFET Easy功率模块全系列产品介绍英飞凌携一众新品参加了2024慕尼黑电子展，我们将推出一系列英飞凌展品解析视频。本期展台对话一为您特别介绍绿色能源与工业展区的“1200V增强型CoolSiC™ MOSFET Easy功率模块全系列产品”。新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2技术和产品介绍本期展台对话二为您特别介绍英飞凌CoolSiC™

英飞凌工业半导体 2024-08-02 446浏览
英飞凌第二代CoolSiC™MOSFET650V产品详解

英飞凌推出的第二代CoolSiC™ MOSFET 650V产品是如何凭借碳化硅技术与先进封装技术的结合，实现在能源效率、体积和系统成本方面的出色表现呢？本视频将从以下四点详细阐述：卓越的RDS(on)特性、低失效率、高可靠性以及优化的栅极驱动设计，助力客户在电动汽车、可再生能源和工业自动化等应用赢得机会。点击视频了解更多！▲点击上方视频，即可播放观看参考阅读CoolSiC™ MOSFET G2助力

英飞凌工业半导体 2024-07-19 447浏览
新品|第二代CoolSiC™8-234mΩ1200VSiCMOSFETD²PAK-7L封装

新品第二代CoolSiC™ 8-234mΩ 1200V SiC MOSFET D²PAK-7L封装采用D²PAK-7L(TO-263-7)封装的第二代CoolSiC™ G2 1200V MOSFET系列以第一代技术的优势为基础，加快了系统设计的成本优化，实现高效率、紧凑设计和可靠性。第二代产品在硬开关工况和软开关拓扑的关键性能指标上都有显著改进，适用于所有常见的交流-直流、直流-直流和直流-交流各

英飞凌工业半导体 2024-07-09 531浏览
IPAC直播间|CoolSiC™碳化硅直播季-高压碳化硅的应用设计

英飞凌IPAC直播间 | CoolSiC™碳化硅直播季第二期将为大家介绍两款将在7月正式发布的3300V高压SiC产品组合系列，一是漏极-源极导通电阻2.0mΩ（25℃条件下），标称电流1000A的模块；二是漏极-源极导通电阻2.6mΩ（25℃条件下），标称电流750A的模块。两款模块产品均由集成体二极管的SiC MOSFET组成，并通过英飞凌可靠的.XT互连技术置于低电感XHP™ 2封装中。凭借

英飞凌工业半导体 2024-06-21 502浏览
CoolSiC™MOSFETG2，助力下一代高性能电源系统

所有现代硅功率器件都基于沟槽技术，并已取代了平面技术，那么碳化硅呢？就碳化硅而言，沟槽设计在性能优势方面与Si功率MOSFET技术的发展有许多相似之处。采用碳化硅沟槽设计还有一个显著优势，即可靠性。在碳化硅材料中，垂直界面的缺陷密度明显低于横向界面。这就为性能和鲁棒性特征与可靠性的匹配提供了新的优化潜力。安富利合作伙伴英飞凌推出的CoolSiC™ MOSFET G2沟槽技术继承了G1的高可靠性。基

安富利 2024-05-15 509浏览
英飞凌|第一款击穿电压达到2000V的CoolSiC™MOSFET，是怎么炼成的？

英飞凌于今年推出了市面上第一款击穿电压达到2000V的CoolSiC™ MOSFET分立器件，其开关损耗低，采用TO-247PLUS-4-HCC封装，爬电距离为14mm，电气间隙为5.4mm。适用于1500VDC的光伏组串逆变器、储能系统和电动汽车充电等应用。英飞凌IPAC“CoolSiC™碳化硅直播季”去年一经上线，备受好评！5月14日14:00，今年的碳化硅季正式回归，扫描下方二维码，即可预约

碳化硅芯观察 2024-05-11 945浏览
IPAC直播间|CoolSiC™碳化硅直播季——迎接碳化硅2000V时代

英飞凌于今年推出了市面上第一款击穿电压达到2000V的CoolSiC™ MOSFET分立器件，其开关损耗低，采用TO-247PLUS-4-HCC封装，爬电距离为14mm，电气间隙为5.4mm。适用于1500VDC的光伏组串逆变器、储能系统和电动汽车充电等应用。英飞凌IPAC“CoolSiC™碳化硅直播季”去年一经上线，备受好评！5月14日14:00，今年的碳化硅季正式回归，扫描下方二维码，即可预约

英飞凌工业半导体 2024-05-10 428浏览
秘籍获取丨CoolSiC™2000V的小秘密，你想了解吗？

直播预告5月14日 14:00，今年的碳化硅季正式回归，首期话题将为您开讲CoolSiC™ MOSFET 2000V的优势、特点、应用设计难点……👇👇扫描上方二维码即可预约报名作为市面上第一款击穿电压达到2000V的碳化硅分立器件，CoolSiC™ MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封装，爬电距离为14mm，电气间隙为5.4mm。该半导体器件得益于其较低的开关损耗，适用于太阳能（如组

英飞凌工业半导体 2024-04-25 423浏览
沟槽栅CoolSiC™MOSFET如何平衡导通电阻与可靠性

SiC MOSFET有两种主流技术路线：平面栅和沟槽栅。尽管平面栅更容易实现，英飞凌还是从一开始就选择了需要更高深工艺知识的沟槽栅。一个重要原因是垂直式SiC-SiO2界面缺陷率更低，沟道电阻小，较低栅氧的电场下运行沟槽型器件，仍能得到非常好的性能和较好的氧化层可靠性。更多信息，请点击以下视频。▲点击上方视频，即可播放观看参考阅读英飞凌碳化硅可靠性介绍SiC MOSFET真的有必要使用沟槽栅吗增强

英飞凌工业半导体 2024-04-22 575浏览
英飞凌推出全新CoolSiC™MOSFET2000V，在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母线电压，可在不增加电流的情况下提高功率。作为市面上第一款击穿电压达到2000V的

英飞凌工业半导体 2024-03-19 532浏览
新品|12个CoolSiC™MOSFET新型号-1200VCoolSiC™MOSFETEasy1B和Easy2B模块

新品12个CoolSiC™ MOSFET新型号——1200V CoolSiC™ MOSFET Easy1B和Easy2B模块又有一批12个不同型号的EasyPACK™和EasyDUAL™ 1B和2B CoolSiC™ MOSFET模块上市，他们采用CoolSiC™ MOSFET增强型1代，适用于电动汽车充电、UPS和光伏、储能。这些模块采用PressFIT压接技术并带NTC温度检测，有Al2O3/

英飞凌工业半导体 2024-02-01 572浏览
新品|2000V12-100mΩCoolSiC™MOSFET

新品2000V 12-100mΩ CoolSiC™MOSFETCoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封装，规格为12-100mΩ。由于采用了.XT互联技术，CoolSiC™技术的输出电流能力强，可靠性提高。产品型号：▪️ IMYH200R012M1H▪️ IMYH200R024M1H▪️ IMYH200R050M1H▪️ IMYH200R075M

英飞凌工业半导体 2024-01-30 481浏览
英飞凌推出全新62mm封装CoolSiC™产品组合，助力实现更高效率和功率密度

【2023年11月29日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）近日宣布其CoolSiC™ 1200V和2000V MOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用新推出的增强型M1H碳化硅（SiC）MOSFET芯片，采用成熟的62mm封装的半桥模块。该封装使SiC MOSFET能够应用于250kW以上的中等功率等级应用，而传统IGBT硅技术在这一功

英飞凌工业半导体 2023-12-01 691浏览
具备出色稳定性的CoolSiC™MOSFETM1H

2023 PCIM Asia英飞凌将重磅亮相2023 PCIM Asia设立“绿色能源与工业”“电动交通和电动出行”“智能家居”三大核心展示区域8月29日-31日，我们现场不见不散！点击上方图片，了解更多本次展会上，英飞凌将展出丰富的SiC系列产品，包括CoolSiC™ MOSFET以及相应的驱动评估板CoolSiC™ MOSFET▪ CoolSiC™ MOSFET Easy2B 三电平模块▪ C

英飞凌工业半导体 2023-08-24 721浏览
英飞凌CoolSiC™上新|TO263-7封装的新一代车规级1200VCoolSiC™MOSFET

点击蓝字关注我们近期，英飞凌推出采用 TO263-7 封装的新一代车规级1200 V CoolSiC™ MOSFET。该款碳化硅 (SiC) MOSFET 具有高功率密度和效率，可实现双向充电，并显著降低车载充电 (OBC) 和 DC-DC 应用的系统成本。与第一代产品相比，1200 V CoolSiC 系列产品开关损耗降低了 25%，具有同类最佳的开关性能。开关行为的改进可实现高频开关，从而缩

碳化硅芯观察 2023-07-13 731浏览
英飞凌的CoolSiC™XHP™2高功率模块助力推动节能电气化列车低碳化

为了实现全球气候目标，交通运输必须转用更加环保的车辆，比如节能的电气化列车。然而，列车运行有苛刻的运行条件，需要频繁加速和制动，且要在相当长的使用寿命内可靠运行。因此，它们需要采用具备高功率密度、高可靠性和高质量的节能牵引应用。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）为了满足上述需求，在其 CoolSiC™功率模块产品组合中增加了两款新产品：FF2000UXTR3

英飞凌工业半导体 2023-06-21 876浏览

正在努力加载更多...

广告

今日新闻

热门文章排行

广告

最新评论更多>>

我这，原先V10.5跑的好好的代码，更新V11后，单片机初始化时就不断重启

vaov_3734... 评论文章 2025-01-06

FreeRTOSV11.0升级了多项重要功能，兼容V10版本
这里http://www.zhefar.com/download/training/zhefar/Training%20-%20JTAG(CHS).pdf 有份培训资料挺好，是杭州哲发科技有限公司的。他们是专业JTAG方案供应商，其JTAG综合应用系统是众多杰出工程师在二十多年电子通信产品开发过程中，根据工作需要在实践中建立并完善起来的一套调试/调测/维修系统。产品经过大量验证，已经服务于众多知名公司和上市公司。 JTAG综合应用系统三大功能：板卡测试维修、PLD加载/编程和 Flash烧写/编程/加载。 www.zhefar.com 我们和好几个兄弟单位都用过，非常好！

xxdg 评论文章 2025-01-05

强大的JTAG边界扫描2-BSDL文件

资料

文库

帖子

博文

在线研讨会

EE直播间

精密半导体参数测试解决方案直播时间：01月08日 10:00

E聘热招职位