CoolSiC - 电子工程专辑

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新品|CoolSiC™肖特基二极管G510-80A2000V，TO-247-2封装

新品CoolSiC™肖特基二极管G5 10-80A 2000V，TO-247-2封装CoolSiC™肖特基二极管10-80A 2000V G5系列现在也采用TO-247-2封装。在高达1500V的高直流母线系统中，该二极管可实现更高的效率和设计简化。此外，由于采用了.XT互联技术，它们还具有一流的散热性能。该二极管与配套的CoolSiC™ MOSFET 2000V产品完美匹配。产品型号：■ IDW

英飞凌工业半导体 2025-03-25 159浏览
英飞凌推出CoolSiC™肖特基二极管2000V的TO-247-2封装，在提升效率的同时简化设计

【2025年3月17日,德国慕尼黑讯】目前，许多工业应用正朝着更高功率水平、且功率损耗最小化的方向发展，实现这一目标的方法之一是提高直流母线电压。针对这一市场趋势，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）于2024年9月推出CoolSiC™肖特基二极管2000V G5产品系列，这是首款击穿电压达到2000V的碳化硅二极管分立器件

英飞凌工业半导体 2025-03-14 321浏览
新品|采用CoolSiC™MOSFET的7.5kW电机驱动器评估板

新品采用CoolSiC™ MOSFET的7.5千瓦电机驱动器评估板EVAL-FS33MR12W1M1HM5是采用33mΩ 1200V碳化硅MOSFET模块的三相电机驱动电路板。开发该评估板的目的是为了在客户使用Easy1B封装的CoolSiC™ MOSFET模块（如FS33MR12W1M1H_B11）设计应用的第一步中提供支持。驱动采用EiceDRIVER™ 1200V隔离栅极驱动器1EDI20H

英飞凌工业半导体 2025-03-11 111浏览
D2PAK-7封装的CoolSiC™MOSFET1200VG2介绍

本视频深入介绍了专为满足工业应用需求而开发的英飞凌第二代高性能1200V CoolSiC™ MOSFET G2，其新特性旨在实现更佳效率、更高功率密度、更好可靠性和更强稳健性，如结-壳热阻值改善了12%，可在200ºC的结温下累计运行100小时，提供额外25ºC的温度裕量。视频展示了第二代CoolSiC™ MOSFET G2在电动汽车充电解决方案、光伏系统、不间断电源模块以及工业电机驱动器等领域的

英飞凌工业半导体 2025-02-12 203浏览
新品|第二代CoolSiC™MOSFETG2分立器件1200VTO-247-4HC高爬电距离

新品第二代CoolSiC™ MOSFET G2分立器件1200V TO-247-4HC高爬电距离采用TO-247-4HC高爬电距离封装的第二代CoolSiC™ MOSFET G2 1200V 12mΩ至78mΩ系列以第一代技术的优势为基础，加快了系统设计的成本优化，实现高效率、紧凑设计和可靠性。第二代产品在硬开关工况和软开关拓扑的关键性能指标上都有显著改进，适用于所有常见的交流-直流、直流-直流和

英飞凌工业半导体 2025-02-08 137浏览
新品|QDPAKTSC顶部散热封装工业和汽车级CoolSiC™MOSFETG18-140mΩ750V

新品QDPAK TSC顶部散热封装工业和汽车级CoolSiC™ MOSFET G1 8-140mΩ 750V新推出的CoolSiC™ MOSFET 750V G1是一个高度可靠的SiC MOSFET系列，具有最佳的系统性能和可靠性。CoolSiC™ MOSFET 750V充分利用了英飞凌20多年的SiC经验。它在性能、可靠性和鲁棒性方面都具有优势，并具有栅极驱动灵活性，从而简化了系统设计并提高了成

英飞凌工业半导体 2025-01-17 361浏览
新品|用于交直流固态断路器评估的高效套件（CoolSiC™版本）

新品用于交直流固态断路器评估的高效套件（CoolSiC™版本）REF_SSCB_AC_DC_1PH_SIC固态断路器(SSCB)套件用于快速评估交流和直流断路器，带交互式图形用户界面GUI。该套件支持110VAC、230VAC或350VDC工作电压和16A额定电流，自然冷却，采用顶部散热(TSC)MOSFET封装上的非隔离式散热器。它可支持不同的SSCB应用场景，如1P-N、3P-N（堆叠、级联）

英飞凌工业半导体 2025-01-14 397浏览
新品|CoolSiC™MOSFET3.3kVXHP™2半桥模块

样品活动进行中，扫码了解详情👇👇新品CoolSiC™ MOSFET 3.3kVXHP™ 2半桥模块XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET 3.3kV集成体二极管、XHP™ 2封装，采用.XT互联技术。产品型号：■ FF2000UXTR33T2M1■ FF2600UXTR33T2M1■ FF4000UXTR33T2M1产品特点Inom大损耗低高开关频率体积小.XT连接技术I2t浪涌电流稳健性应

英飞凌工业半导体 2024-12-27 153浏览
新品|750V8mΩCoolSiC™MOSFET

样品活动进行中，扫码了解详情👇👇新品750V 8mΩ CoolSiC™ MOSFET采用TO-247-4封装的新型CoolSiC™ MOSFET 750V G1是高度坚固的SiC MOSFET，具有最佳的系统性能和可靠性。CoolSiC™ MOSFET 750V充分利用了英飞凌20多年的SiC经验。它在性能、可靠性和坚固性方面都具有优势，并具有栅极驱动灵活性，从而简化了系统设计，提高了成本效益，实

英飞凌工业半导体 2024-12-20 86浏览
新品|第二代CoolSiC™34mΩ1200VSiCMOSFETD²PAK-7L封装

新品第二代CoolSiC™ 34mΩ 1200V SiC MOSFET D²PAK-7L封装采用D²PAK-7L(TO-263-7)封装的第二代 CoolSiC™ G2 1200V MOSFET系列以第一代技术的优势为基础，加快了系统设计的成本优化，实现高效率、紧凑设计和可靠性。第二代产品在硬开关工况和软开关拓扑的关键性能指标上都有显著改进，适用于所有常见的交流-直流、直流-直流和直流-交流各种功

英飞凌工业半导体 2024-11-28 74浏览
新品|CoolSiC™MOSFET650VG2，7mΩ，采用TO247和TO247-4封装

新品CoolSiC™ MOSFET 650V G2，7mΩ，采用TO247和TO247-4封装CoolSiC™ MOSFET 650V G2，7mΩ，采用TO-247和TO-247-4 4引脚封装，以第1代技术的优势为基础，加快了系统设计的成本优化，实现高效、紧凑和可靠解决方案。CoolSiC™ MOSFET第2代在硬开关工况和软开关拓扑的关键性能指标上都有显著改进，适用于所有常见的系统设计。交流

英飞凌工业半导体 2024-11-22 106浏览
新品|第2代CoolSiC™MOSFET400V

新品第2代CoolSiC™ MOSFET 400VCoolSiC™ MOSFET 400V G2将高坚固性与超低开关损耗和导通电阻结合在一起，同时改善了系统成本。400V SiC MOSFET可在2电平和3电平硬开关和软开关拓扑中提供出色的功率密度和系统效率。目标应用为人工智能服务器PSU、SMPS、电机控制、可再生能源和储能以及D类放大器中的功率转换。产品型号：■ IMBG40R011M2H■

英飞凌工业半导体 2024-11-19 175浏览
英飞凌再次荣膺2024年全球电子产品奖，CoolSiC™MOSFET2000V功率器件和模块备受瞩目

11月5日，英飞凌科技CoolSiC™ MOSFET 2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模块(EasyPACK™ 3B封装以及62mm封装)凭借其市场领先的产品设计以及卓越的性能，荣获2024年全球电子成就奖（World Electronics Achievement Awards, WEAA）“年度高性能无源/分立器件”（High Performance Passive/Discrete Dev

英飞凌工业半导体 2024-11-06 555浏览
新品|CoolSiC™肖特基二极管G5系列10-80A2000V

新品CoolSiC™肖特基二极管G5系列10-80A 2000VCoolSiC™肖特基二极管2000V G5系列在高达1500 VDC的高直流母线系统中实现了更高的效率和设计简化。由于采用了.XT互联技术，该二极管具有一流的散热性能和很强的防潮能力。它与配套的CoolSiC™ MOSFET 2000V产品组合完美匹配。产品型号：■ IDYH10G200C5■ IDYH25G200C5■ IDYH4

英飞凌工业半导体 2024-10-31 381浏览
新品|第2代CoolSiC™MOSFET400V

新品第2代CoolSiC™ MOSFET 400VCoolSiC™ MOSFET 400V G2将高坚固性与超低开关损耗和导通电阻结合在一起，同时改善了系统成本。400V SiC MOSFET可在2电平和3电平硬开关和软开关拓扑中提供出色的功率密度和系统效率。目标应用为人工智能服务器PSU、SMPS、电机控制、可再生能源和储能以及D类放大器中的功率转换。产品型号：■ IMBG40R011M2H■

英飞凌工业半导体 2024-09-26 597浏览
新品|CoolSiC™MOSFET1.9mΩ，2.5mΩ3.3kVXHP™2半桥模块

新品CoolSiC™ MOSFET 1.9mΩ，2.5mΩ 3.3kV XHP™ 2半桥模块XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET 3.3kV集成体二极管、XHP™ 2封装，采用.XT互联技术产品型号：■ FF2000UXTR33T2M1 1.9mΩ 3.3kV■ FF2600UXTR33T2M1 2.5mΩ 3.3kV产品特点Inom大损耗低适合高频应用体积小.XT连接技术

英飞凌工业半导体 2024-08-19 450浏览
Electronica展台对话丨1200VCoolSiC™MOSFETEasy模块&CoolSiC™MOSFETG2

1200V增强型CoolSiC™ MOSFET Easy功率模块全系列产品介绍英飞凌携一众新品参加了2024慕尼黑电子展，我们将推出一系列英飞凌展品解析视频。本期展台对话一为您特别介绍绿色能源与工业展区的“1200V增强型CoolSiC™ MOSFET Easy功率模块全系列产品”。新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2技术和产品介绍本期展台对话二为您特别介绍英飞凌CoolSiC™

英飞凌工业半导体 2024-08-02 472浏览
英飞凌第二代CoolSiC™MOSFET650V产品详解

英飞凌推出的第二代CoolSiC™ MOSFET 650V产品是如何凭借碳化硅技术与先进封装技术的结合，实现在能源效率、体积和系统成本方面的出色表现呢？本视频将从以下四点详细阐述：卓越的RDS(on)特性、低失效率、高可靠性以及优化的栅极驱动设计，助力客户在电动汽车、可再生能源和工业自动化等应用赢得机会。点击视频了解更多！▲点击上方视频，即可播放观看参考阅读CoolSiC™ MOSFET G2助力

英飞凌工业半导体 2024-07-19 700浏览
新品|第二代CoolSiC™8-234mΩ1200VSiCMOSFETD²PAK-7L封装

新品第二代CoolSiC™ 8-234mΩ 1200V SiC MOSFET D²PAK-7L封装采用D²PAK-7L(TO-263-7)封装的第二代CoolSiC™ G2 1200V MOSFET系列以第一代技术的优势为基础，加快了系统设计的成本优化，实现高效率、紧凑设计和可靠性。第二代产品在硬开关工况和软开关拓扑的关键性能指标上都有显著改进，适用于所有常见的交流-直流、直流-直流和直流-交流各

英飞凌工业半导体 2024-07-09 562浏览
IPAC直播间|CoolSiC™碳化硅直播季-高压碳化硅的应用设计

英飞凌IPAC直播间 | CoolSiC™碳化硅直播季第二期将为大家介绍两款将在7月正式发布的3300V高压SiC产品组合系列，一是漏极-源极导通电阻2.0mΩ（25℃条件下），标称电流1000A的模块；二是漏极-源极导通电阻2.6mΩ（25℃条件下），标称电流750A的模块。两款模块产品均由集成体二极管的SiC MOSFET组成，并通过英飞凌可靠的.XT互连技术置于低电感XHP™ 2封装中。凭借

英飞凌工业半导体 2024-06-21 532浏览
CoolSiC™MOSFETG2，助力下一代高性能电源系统

所有现代硅功率器件都基于沟槽技术，并已取代了平面技术，那么碳化硅呢？就碳化硅而言，沟槽设计在性能优势方面与Si功率MOSFET技术的发展有许多相似之处。采用碳化硅沟槽设计还有一个显著优势，即可靠性。在碳化硅材料中，垂直界面的缺陷密度明显低于横向界面。这就为性能和鲁棒性特征与可靠性的匹配提供了新的优化潜力。安富利合作伙伴英飞凌推出的CoolSiC™ MOSFET G2沟槽技术继承了G1的高可靠性。基

安富利 2024-05-15 661浏览
英飞凌|第一款击穿电压达到2000V的CoolSiC™MOSFET，是怎么炼成的？

英飞凌于今年推出了市面上第一款击穿电压达到2000V的CoolSiC™ MOSFET分立器件，其开关损耗低，采用TO-247PLUS-4-HCC封装，爬电距离为14mm，电气间隙为5.4mm。适用于1500VDC的光伏组串逆变器、储能系统和电动汽车充电等应用。英飞凌IPAC“CoolSiC™碳化硅直播季”去年一经上线，备受好评！5月14日14:00，今年的碳化硅季正式回归，扫描下方二维码，即可预约

碳化硅芯观察 2024-05-11 1097浏览
IPAC直播间|CoolSiC™碳化硅直播季——迎接碳化硅2000V时代

英飞凌于今年推出了市面上第一款击穿电压达到2000V的CoolSiC™ MOSFET分立器件，其开关损耗低，采用TO-247PLUS-4-HCC封装，爬电距离为14mm，电气间隙为5.4mm。适用于1500VDC的光伏组串逆变器、储能系统和电动汽车充电等应用。英飞凌IPAC“CoolSiC™碳化硅直播季”去年一经上线，备受好评！5月14日14:00，今年的碳化硅季正式回归，扫描下方二维码，即可预约

英飞凌工业半导体 2024-05-10 464浏览
秘籍获取丨CoolSiC™2000V的小秘密，你想了解吗？

直播预告5月14日 14:00，今年的碳化硅季正式回归，首期话题将为您开讲CoolSiC™ MOSFET 2000V的优势、特点、应用设计难点……👇👇扫描上方二维码即可预约报名作为市面上第一款击穿电压达到2000V的碳化硅分立器件，CoolSiC™ MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封装，爬电距离为14mm，电气间隙为5.4mm。该半导体器件得益于其较低的开关损耗，适用于太阳能（如组

英飞凌工业半导体 2024-04-25 453浏览
沟槽栅CoolSiC™MOSFET如何平衡导通电阻与可靠性

SiC MOSFET有两种主流技术路线：平面栅和沟槽栅。尽管平面栅更容易实现，英飞凌还是从一开始就选择了需要更高深工艺知识的沟槽栅。一个重要原因是垂直式SiC-SiO2界面缺陷率更低，沟道电阻小，较低栅氧的电场下运行沟槽型器件，仍能得到非常好的性能和较好的氧化层可靠性。更多信息，请点击以下视频。▲点击上方视频，即可播放观看参考阅读英飞凌碳化硅可靠性介绍SiC MOSFET真的有必要使用沟槽栅吗增强

英飞凌工业半导体 2024-04-22 718浏览

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