AlGaN - 电子工程专辑

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研究人员使用单个AlGaN缓冲层开发出硅基绿色InGaNLED，内部量子效率提高了78%

CINNO Research产业资讯，最近，有研究人员报告称，仅使用单个氮化铝（AlGaN）缓冲层将硅基绿色氮化铟镓（InGaN）发光二极管（LED）的内部量子效率（IQE）提高了78% [Ayu-Dai等人，Appl. Phys. Lett.，v125，p022102024]。尽管没有具体提供该器件的电致发光结果，但这里提到的IQE的大幅度提升非常引人注意，因为它将能够助力更低功耗绿色和红色Mi

CINNOResearch 2024-08-08 518浏览
AlGaN基深紫外微型发光二极管的研究进展

编者按为庆祝河北工业大学校庆120周年，《红外与激光工程》联合河北工业大学共同出版“河北工业大学校庆专刊“，特邀请张紫辉教授团队撰写“AlGaN基深紫外微型发光二极管的研究进展” 文章，总结了深紫外μLED作为日盲紫外光通信光源的研究现状和综合分析尺寸效应引起器件性能的变化及其机理，分析出低的光提取效率和严重的自热效应是影响深紫外μLED光功率的两个主要因素。进而综述了各种提高深紫外μLED光提取

MEMS 2023-09-05 1099浏览
高品质半导体材料AlGaN的低成本制备方法的开发

摘要：日本一个研究小组开发出一种使用被称为溅射法的低成本制备方法，成功合成高品质氮化物半导体晶体。此外，通过合成一种被称为简并GaN的新型电极晶体并将其与AlGaN相接触，成功试制了低电阻的高性能AlGaN晶体管。通过使用这些方法，可以低成本制备功率电子材料，并有望将其用于高性能电力转换元件和6G通信等下一代无线通信元件。关键字：溅射法、AlGaN、晶体管、半导体材料、低成本制备方法要点采用溅射

DT半导体材料 2022-07-24 1063浏览
成本可降90%！日本公布新的AlGaN技术

最近，日本科研机构发布了一项新的AlGaN技术，主要有3个亮点：1、AlGaN生产成本可降低90%；2、采用低廉溅射设备，不需要MOCVD；3、性能比传统GaN器件更强，AlGaN原型耐压超过1600V。获取相关文献，请加许若冰微信：hangjiashuo666###{a%5E%E9%87%8F%E8%8A%AF%E5%BE%AE%2Cb%5E%2Cc%5E%2Cr%5E%2Crt%5E%E6%9

第三代半导体风向 2022-07-11 1057浏览

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