3DNAND闪存技术,闪存解析与应用 - 电子工程专辑

3DNAND

3DNAND三维闪存的缩写,指一种非易失性存储技术,可以保存数据而不会因断电而丢失.

3DNAND技术最新进展

点击蓝字关注我们随着行业继续快速发展，了解3D NAND技术领域主要参与者的进展至关重要。本文深入了解来自三星，KIOXIA/WD，美光，SK海力士/Solidigm, YMTC和MXIC等行业巨头的最新进展。三星一直处于3D NAND领域创新的最前沿。他们已经将V7过渡到双层结构，并引入COP集成以提高性能。随着V8 236L 1Tb TLC产品的发布，三星展示了其推动技术向前发展的承诺。与其他

SSDFans 2024-09-13 952浏览
东京电子开发出可生产400层3DNAND闪存的设备

东京威力科创 / 东京电子（Tokyo Electron）为了追赶泛林集团（Lam Research），成功开发出可生产 400 层 3D NAND 闪存的设备，预估该技术可以为公司带来数十亿美元的净收入。生产 3D NAND 需要专门的设备，目前主要由美国公司泛林集团控制。6月份曾经报道，东京电子开发出全新蚀刻技术，首次将电蚀刻应用带入到低温范围中，并创造性地发明了具有极高蚀刻速率的系统。东京威

CINNOResearch 2023-10-18 707浏览
3DNAND还是卷到了300层

近日，三星电子宣布计划在明年生产第 9 代 V-NAND 闪存，据爆料，这款闪存将采用双层堆栈架构，并超过 300 层。同样在8月，SK 海力士表示将进一步完善 321 层 NAND 闪存，并计划于 2025 年上半期开始量产。早在5月份，据欧洲电子新闻网报道，西部数据和铠侠这两家公司的工程师正在寻求实现8平面3D NAND设备以及超过300字线的3D NAND IC。3D NAND终究还是卷到了

路科验证 2023-09-05 987浏览
3DNAND技术走向新架构

几十年来，NAND 闪存一直是低成本和大密度数据存储应用的主要技术。这种非易失性存储器存在于所有主要的电子终端使用市场，例如智能手机、服务器、个人电脑、平板电脑和 USB 驱动器。在传统的计算机内存层次结构中，NAND 闪存距离中央处理器 (CPU) 最远，与静态随机存取存储器 (SRAM) 和动态 RAM (DRAM) 相比，众所周知，它相对便宜、速度慢且密度大。这种存储技术的成功与其不断扩展密

智能计算芯世界 2023-06-27 1503浏览
【光电集成】3DNAND沉积技术的特点及挑战

今日光电有人说，20世纪是电的世纪，21世纪是光的世纪；知光解电，再小的个体都可以被赋能。欢迎来到今日光电！----与智者为伍为创新赋能----来源：光刻人的世界申明：感谢原创作者的辛勤付出。本号转载的文章均会在文中注明，若遇到版权问题请联系我们处理。 ----与智者为伍为创新赋能----【说明】欢迎企业和个人洽谈合作，投稿发文。欢迎联系我们诚招运营合伙人，对新媒体感兴趣，对光

今日光电 2023-06-17 944浏览
400层堆叠3DNAND闪存将至！东京电子宣布开发出全新蚀刻技术

来源：IT之家6 月 12 日消息，东京电子（TEL）近日宣布，已开发出一种用于存储芯片的通孔蚀刻技术，可用于制造 400 层以上堆叠的 3D NAND 闪存芯片。TEL 表示，该技术首次将电蚀刻应用带入到低温范围中，并创造性地发明了具有极高蚀刻速率的系统。图片来源：东京电子具体而言，这项新技术可以在短短 33 分钟内完成 10 微米深度的高纵横比（备注：纵横比是指晶圆上形成图案的深度与宽度之比）

CINNOResearch 2023-06-12 1763浏览
闯关赢好礼！美光出货232层NAND，扩展3DNAND技术边界

▲ 更多精彩内容请点击上方蓝字关注我们吧！232 层 NAND - 更多堆叠层数、更创新、更先进美光出货 232 层 NAND ，扩展 3D NAND 技术边界。高性能：美光 232 层 NAND 具有璀璨业界的 NAND 输入/输出 ( I/O )速度（每秒 2.4 GB），可满足低延迟和高吞吐量的需求，适用于人工智能、非结构化数据库、实时分析与云计算等数据密集型工作负载。数据密度：美光 23

电子工程世界 2022-12-02 780浏览
每个单元7bit，铠侠正试验超高密度3DNAND

NAND 闪存制造商一直试图通过增加每个单元存储的位数来提高其存储设备的存储密度。虽然从根本上说，这是提高记录密度的最具挑战性的方法，但从成本的角度来看，它也是最有价值的方法。比如铠侠（Kioxia）公司就一直在试验可以在一个单元中存储更多比特数的NAND闪存。据报道，近日铠侠表示，它已设法在每个单元中存储 7 位 (7 bpc)，尽管是在实验室和低温下。为了存储多于一位，NAND 单元必须保持

EETOP 2022-06-16 898浏览
3DNAND未来的线路图会是什么？

几十年来，NAND闪存一直是低成本和大密度数据存储应用的主要技术。这种非易失性存储器存在于所有主要的电子终端市场，包括智能手机、服务器、个人电脑、平板电脑和USB驱动器。来源：EDN 在传统的计算机内存层次结构中，NAND闪存位于离CPU最远的位置，与静态随机存取存储器（SRAM）和动态随机存取存储器（DRAM）相比，它相对成本便宜、传输速度慢。闪存领域的重要性体现在其在全球半导体资本支出中约占

半导体产业纵横 2022-05-22 1126浏览
消息称长江存储已交付192层3DNAND闪存样品年底推出产品

业内人士透露，长江存储最近已向一些客户交付了其自主研发的 192 层 3D NAND 闪存的样品，预计将在今年年底前正式推出产品。据《电子时报》报道，上述人士表示，推出 192 层 3D NAND 闪存芯片，是长江存储的一个里程碑。该公司正努力在技术竞赛中赶上规模更大的韩国和美国同行。消息人士称，因 128 层 3D NAND 闪存工艺良率已改善至令人满意的水平，长江存储也将月产量扩大至 10 万

半导体前沿 2022-05-17 1280浏览
SK海力士宣布在大连建设3DNAND新工厂

5月16日，大连市与SK海力士共创“芯”未来战略合作签约仪式以视频方式在大连市和韩国首尔同步举行。SK海力士·英特尔DMTM半导体（大连）有限公司非易失性存储器项目在大连金普新区开工。SK海力士于2020年宣布收购英特尔NAND闪存及存储业务，其中包括英特尔大连工厂。2021年底，SK海力士完成了收购英特尔NAND闪存及SSD业务案的第一阶段，从英特尔手中接管了SSD业务及其位于大连的NAND闪

半导体前沿 2022-05-17 1731浏览
存储行业新动向：3DNAND国内外200层战役打响；SK海力士在大连建厂

长江存储加入冲击200层3D NAND战场，韩国存储巨头也在国内建立3D NAND工厂。综合：半导体产业纵横编辑部据业内人士透露，中国长江存储科技（YMTC）最近已向一些客户交付了其内部开发的192层3D NAND闪存样品。在中美贸易关系持续紧张的情况下，长江存储采取低调的方式推进其NAND闪存制造技术的发展。尽管如此，消息人士称，这家总部位于中国的存储芯片制造商预计将在今年年底前首次亮相192

半导体产业纵横 2022-05-17 1651浏览
传：长江存储交付192层3DNAND闪存！年底量产！

点击上方“皇华电子元器件”关注我们业内人士透露，长江存储最近已向一些客户交付了其自主研发的192层3D NAND闪存的样品，预计将在今年年底前正式推出产品。据网络报道，上述人士表示，推出192层3D NAND闪存芯片，是长江存储的一个里程碑。该公司正努力在技术竞赛中赶上规模更大的韩国和美国同行。消息人士称，因128层3D NAND闪存工艺良率已改善至令人满意的水

皇华电子元器件IC供应商 2022-05-17 1696浏览
三星拟将今年代工报价提高20%；美光232层3DNAND闪存拟2022年底量产；高通胀或致明年半导体市场衰退|新闻速递

五分钟了解产业大事1【三星拟提高今年代工报价至多20%，已与部分客户完成谈判】集微网消息，知情人士表示，三星电子正在与客户谈判，今年将芯片代工价格最高提高20%。此举是全行业提高价格以弥补不断上涨的原材料和物流成本的举措之一，预计将从今年下半年开始实施。据彭博社报道，基于合同的芯片价格可能上涨15%至20%左右，这取决于芯片复杂程度，而成熟制程生产的芯片可能面临更大的涨幅。三星已经完成了与一些客户

TechSugar 2022-05-16 1321浏览
美光再争行业第一，又一次突破3DNAND堆叠极限

美光宣布业内首创的 232 层 3D NAND 存储解决方案。综合：半导体产业纵横编辑部本周四，美光（Micron）隆重宣布了业内首创的 232 层 3D NAND 存储解决方案，并计划将之用于包括固态硬盘（SSD）驱动器在内的各种产品线。此外，还宣布试行全新定价机制“远期定价协议“，以稳定存储器行业价格。3D NAND闪存是一种新兴的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪

半导体产业纵横 2022-05-13 978浏览
内存行业：DRAM和3DNAND闪存之间的技术转移

预计3D NAND可以扩展到600层，因此相关制造工艺的线性推进策略将持续数年。编译来源：AlbertLin2014年，3D NAND闪存以24层引入行业，并与2D NAND闪存共存，直到2017年。3D NAND闪存凭借其高密度存储容量和技术逐渐占据市场主导地位，其制造工艺与DRAM完全不同。对两种存储器类型（DRAM和NAND）使用相同的工艺和设备的协同作用完全消失了，内存行业竞争战略的核心发

半导体产业纵横 2022-05-12 1163浏览
有奖评论｜探秘美光176层3DNAND技术&1αDRAM技术

▲ 更多精彩活动请点击上方蓝字关注我们吧！作为目前市场上技术极先进的NAND节点，美光推出的业界首款176层3D NAND同时将读写延迟降低了 35% 以上，混合工作负载性能提高达 15%，帮助数据中心、智能边缘和移动设备等环境下的存储应用实现更高性能。美光 1α 节点是目前全球极先进的 DRAM 制程技术，助力数据中心、汽车、智能边缘、移动等领域的应用拥有更强的可靠性、更高内存密度、更好的节能

电子工程世界 2022-02-27 684浏览
铠侠工厂原材料受污染，3DNAND产能受影响

铠侠株式会社宣布，1月下旬，三重县四日市工厂和岩手县北上工厂怀疑其制造过程中使用的材料受到污染，部分影响了以上两个工厂3D BiCS FLASH的生产。铠侠的声明称，该问题影响了其 3D BiCS 闪存的生产，该产品用于各种 SSD 和其他产品，并希望“早日恢复正常运行”，这意味着生产已经停止。铠侠正在采取必要措施，尽快将设施恢复到正常运行状态。该公司预计其传统 2D NAND 闪存的出货量不会受

芯存社 2022-02-10 1227浏览
关于3DNAND可靠性以及测试的探讨

点击蓝字关注我们在刚刚过去的周六（12/18/2021）由华东师范大学石亮教授主持的“中国计算机学会青年计算机科技论坛”的报告会主题“新一代闪存存储可靠性问题路在何方？”吸引了众多对于NAND可靠性感兴趣的高校、科研院所以及SSD企业圈子的朋友参加。本次论坛除了邀请了国内知名专家外，也邀请了意大利NplusT公司的Tamas Kerekes做了针对ONFI 5以及以后的NAND特性测试和分析的技术

SSDFans 2021-12-21 2407浏览
有奖评论｜探秘美光176层3DNAND技术&1αDRAM技术

▲ 更多精彩活动请点击上方蓝字关注我们吧！作为目前市场上技术极先进的NAND节点，美光推出的业界首款176层3D NAND同时将读写延迟降低了 35% 以上，混合工作负载性能提高达 15%，帮助数据中心、智能边缘和移动设备等环境下的存储应用实现更高性能。美光 1α 节点是目前全球极先进的 DRAM 制程技术，助力数据中心、汽车、智能边缘、移动等领域的应用拥有更强的可靠性、更高内存密度、更好的节能

电子工程世界 2021-12-19 782浏览

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我这，原先V10.5跑的好好的代码，更新V11后，单片机初始化时就不断重启

vaov_3734... 评论文章 2025-01-06

FreeRTOSV11.0升级了多项重要功能，兼容V10版本

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