SiC-高性能材料的选择 - 电子工程专辑

SiC

碳化硅（SiC）是一种具有高热导率、高击穿场强和高电子迁移率等特点的材料.它被广泛应用于半导体器件、高温电子器件、高压功率器件、光电子器件等领域.

粉末纯度、SiC晶锭一致性……SiC制造都有哪些挑战？

点击蓝字关注我们硅通常是半导体技术的基石。然而，硅也有局限性，尤其在电力电子领域，设计人员面临着越来越多的新难题。解决硅局限性的一种方法是使用宽禁带半导体。本文为白皮书第一部分，将重点介绍宽禁带半导体基础知识及碳化硅制造挑战。宽禁带半导体顾名思义，宽禁带半导体（例如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)），是通过其最重要的电气特性“禁带”来描述的一类半导体。禁带是价带顶部和导带底部之间的能量差。类似

安森美 2025-01-03 69浏览
英飞凌、安意法等4个SiC项目开工、通线

一元复始，万象更新。国内多个SiC项目在2025年按下“快进键”，披露了最新的建设进展：英飞凌无锡基地：或生产第三代半导体器件1月3日，据“无锡要闻”消息，无锡高新区（新吴区）举行了2025年一季度重大项目现场推进会，其中包括英飞凌功率半导体器件项目。据介绍，英飞凌功率半导体器件项目引进暨无锡生产基地扩产项目总投资15.5亿元，目前正在加紧建设，该项目将引进英飞凌全球最新的第三代功率半导体器件产品

第三代半导体风向 2025-01-03 121浏览
2家SiC企业正筹备上市

近日，“行家说三代半”发现，国内又有两家SiC企业正在筹备上市：天岳先进：启动港股上市筹备工作12月28日，天岳先进发布了《关于授权公司管理层启动公司境外发行股份（H 股）并在香港联合交易所有限公司上市相关筹备工作的公告》。其中透露，为加快天岳先进的国际化战略及海外业务布局，增强天岳先进的境外融资能力，进一步提高天岳先进的资本实力和综合竞争力，根据天岳先进总体发展战略及运营需要，天岳先进拟在境外发

第三代半导体风向 2025-01-03 68浏览
将投建8吋SiC产线！3家企业完成数十亿融资！

近日，“行家说三代半”发现，国内3家SiC相关企业完成了新一轮融资，融资资金达数十亿级别：瀚天天成：完成Pre-IPO轮融资1月2日，据“天兴资本”官微消息，瀚天天成于2024年12月31日完成了Pre-IPO轮融资，此次融资将助力瀚天天成加快在厦门投资建设8英寸碳化硅外延片生产线。据介绍，此次融资由厦门产投联合两只工银AIC基金共同推动，得到了厦门市政府、市财政局的指导和支持。基金出资方包括厦门

第三代半导体风向 2025-01-02 79浏览
投产/封顶/交付，3个SiC项目开启“冲刺”模式

近期，国内外多个SiC项目开启了年底冲刺，抢抓2025年新机遇：富士电机：6吋SiC项目开始生产12月29日，据日媒报道，富士电机在日本青森县的半导体制造基地正式开启了6英寸SiC功率半导体的量产工作。富士电机表示，这些SiC产品目前主要面向日本的汽车制造商，尽管量产计划因全球电动汽车销售下滑导致的需求减少而有所推迟，但富士电机依然坚持推进这一项目。据“行家说三代半”此前报道，2022年1月，富士

第三代半导体风向 2025-01-02 121浏览
烁科晶体成功突破12英寸SiC！

近日，国内又有一家企业实现12英寸碳化硅衬底突破！据中国电子材料行业协会透露，12月26日，烁科晶体成功研制出12英寸（300mm）高纯半绝缘碳化硅单晶衬底，并同期研制成功12英寸（300mm）N型碳化硅单晶衬底，前者属于全球首发。据悉，烁科晶体先后攻克了大尺寸扩径工艺、高纯半绝缘碳化硅衬底关键工艺和低缺陷N型衬底的生长工艺，其全球首片12英寸高纯半绝缘碳化硅衬底的成功研制，将加速碳化硅材料在VR

第三代半导体风向 2024-12-31 339浏览
这家SiC企业取消扩产计划

12月29日，据日本经济新闻报道，由于难以预测电动汽车需求的复苏时间，住友电工取消了在富山县、兵库县大规模生产碳化硅衬底及外延的计划。据“行家说三代半”报道，2023年6月，住友电工计划投资300亿日元（约15.4亿人民币）在日本富山县高冈市建设新SiC工厂，同时还将扩大日本兵库县伊丹市现有工厂的SiC产能。据日本“保供计划”认定文件显示，该项目可获得的最高补助金约为100亿日元（约5亿元人民币）

第三代半导体风向 2024-12-30 120浏览
优化石墨设计大幅降低SiC缺陷，BPD仅120个

近日，韩国东义大学研究团队发表了一篇论文，题目为《通过改进 PVT 生长过程中的热区设计并采用更致密的石墨坩埚来提高SiC单晶的质量》，他们研究发现，通过石墨堆叠结构的热区设计，可以提高PVT法的SiC晶体生长质量，例如BPD可以从5140个/cm2降至120个/cm2。获取该文献可以添加许若冰微信（hangjiashuo666）众所周知，低缺陷密度和低翘曲的高质量 SiC单晶衬底是降低SiC外延

第三代半导体风向 2024-12-27 142浏览
北方华创：实现8吋SiC无缺陷超结沟槽刻蚀

近日，北方华创等团队发布了一篇论文，题目为《等离子刻蚀高深宽比和圆角SiC沟槽》。论文提到，他们通过优化等离子蚀刻配方，在8英寸SiC衬底上成功实现了无缺陷的超结器件高纵深比沟槽刻蚀（>5:1），以及沟槽栅SiC MOSFET器件的圆角沟槽刻蚀，这对于提高SiC沟槽功率器件的性能具有巨大的潜力。北方华创的SiC沟槽刻蚀工艺主要有3个优势：▲ 实现高纵深比SiC沟槽刻蚀，没有表现出弯曲、微沟槽和“V

第三代半导体风向 2024-12-27 119浏览
该8寸SiC工厂已投产试运行

近期，行业内又有一座8英寸SiC晶圆厂宣布投产试运行！12月24日，据日媒报道，日本宫崎县在11月24日举行的企业选址推进总部会议上，汇报了罗姆正在宫崎县国富町建设的新工厂的情况，称该工厂已于11月底开始试运行。据“行家说三代半”此前报道，罗姆于今年7月透过子公司Lapis半导体，与Solar Frontier达成基本协议，收购其国富工厂资产，并将该工厂改造为8英寸SiC晶圆制造工厂。加入碳化硅大

第三代半导体风向 2024-12-26 89浏览
总投资超10亿！2个SiC项目宣布/冲刺竣工

近日，国内有2个碳化硅项目建迎来新进展，主要涉及碳化硅芯片封装、设备研发等环节：铭方半导体：SiC芯片项目建设加速12月25日，据清江浦区委宣传部透露，铭方集成电路封装测试及产业化项目的封测车间厂房东侧已完成主体封顶，西侧部分正在进行一层主体施工，办公楼及附属用房已完成主体工程量的70%。据悉，该项目总投资10亿元，占地39亩，总建筑面积4.6万平方米，主要建设集成电路封装测试生产线厂房、综合研发

第三代半导体风向 2024-12-26 75浏览
投资近30亿！新增2个SiC项目

近日，国内外又新增2个SiC项目动态，公开投资金额将近30亿：科瑞半导体：推进SiC封测产线建设12月24日，据天门市融媒体中心透露，科瑞半导体正在推进第三代半导体等功率器件封测产线的升级，于6月投资启动实施一期项目IGBT、SiC基础工艺封测产线建设，扩建半导体功率器件框架生产线。科瑞半导体生产负责人唐骄透露，目前他们正在加快一期项目建设，项目投产后，预计可实现年产值达8000万元，产能提升25

第三代半导体风向 2024-12-25 65浏览
天域提交上市申请，SiC半年营收3.61亿

12月23日，据香港证券交易所公示，广东天域半导体股份有限公司已提交上市申请，同时公布了招股说明书（申请版本）。具体来看，天域半导体在招股说明书中公布了募资使用计划、财务状况、产能状况等重点信息：募资资金将用于扩产/研发/投资/收购等方面募资成功后，天域半导体预计在未来五年内将资金用于扩大整体产能，从而提升市场份额及产品竞争力，其中包括用于采购设备及机械，以在现有的总部生产基地及新生态园生产基地扩

第三代半导体风向 2024-12-24 157浏览
4家SiC企业合计完成数亿元融资，加速产能扩容

12月以来，国内多家SiC企业完成新一轮融资，合计融资金额达数亿元，详情请看：创锐光谱：完成近亿元Pre-A轮融资12月23日，据“指数资本”官微消息，创锐光谱于近日宣布完成近亿元Pre-A轮融资，由光速光合领投，老股东君联资本跟投，融资资金将主要用于技术研发和产能扩容。创锐光谱CEO陈俞忠博士表示，近一年来创锐光谱在SiC晶圆缺陷检测方面取得了巨大的技术突破，成功开发了衬底/外延位错缺陷无损检测

第三代半导体风向 2024-12-23 35浏览
吉利混动车SiC供应商曝光！20000台产品已下线

近日，阳光电动力官微接连宣布2大喜讯：第200万台产品成功下线；此次下线的SiC电机控制器成功搭载于吉利银河混动车型——星舰7 EM-i。从吉利与阳光电动力的合作可以窥见，如今SiC半导体的主驱应用场景又进一步扩大，混合动力汽车也开始用SiC模块，本文将披露相关应用进展。阳光电动力：SiC电控上车吉利混动车型12月18日，阳光电动力官微宣布，公司在新能源汽车电控、电源领域迎来了重要的里程碑——第2

第三代半导体风向 2024-12-23 108浏览
国际上首次提出：一种新型6英寸单晶SiC复合衬底

近日，微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与青禾晶元公司、南京电子器件研究所等团队合作，基于新型6英寸SiC复合衬底成功实现高性能低成本1200V SiC MOSFET。当前，碳化硅（SiC）晶圆行业正持续扩大产能以满足不断增长的市场需求。但可用于MOSFET制造的无缺陷衬底（即“高质量”衬底）的成品率通常仅为40%-60%。在6-8英寸SiC的生长和提纯过程中，自然会产生低等级衬底（即“低质量”

DT半导体材料 2024-12-23 194浏览
国产8英寸SiC芯片如何突围？5位大咖这样说...

12月11-12日，一年一度的行家说三代半年会“2024碳化硅&氮化镓产业高峰论坛暨极光奖颁奖典礼”在深圳成功举办，合计超500位SiC精英参会（.点这里.）。除了现场的主题报告外，本次会议最瞩目的环节当属2场圆桌论坛，其中下午场圆桌论坛邀请到了方正微电子副总裁彭建华、瞻芯电子副总经理曹峻、平湖实验室SiC首席科学家陈刚、centrotherm中国区总经理赵亮、思锐智能副总经理陈祥龙。本次圆桌论坛

第三代半导体风向 2024-12-20 105浏览
200亿！长飞先进武汉基地SiC项目首批设备搬入

据长飞先进官微消息，12月18日，长飞先进武汉基地项目举行首批设备搬入仪式，标志着长飞先进武汉基地即将迈入工艺验证新阶段，全面投产正式进入倒计时。据悉，本次搬入的设备涵盖芯片制造各个环节，包括薄膜淀积、离子注入、光刻、刻蚀等，较原定设备搬入时间大幅提前。长飞先进总裁陈重国表示，首批设备的进驻，标志着武汉基地项目正式进入产能建设新阶段，接下来还将面临工艺验证、产品通线等更多、更难的挑战。目前，长飞先

DT半导体材料 2024-12-20 89浏览
聚集8英寸SiC进程，6家衬底&外延企业进行对话

12月11日-12日，“行家说三代半”年会——『2024碳化硅&氮化镓产业高峰论坛』在深圳举办，同期还围绕8英寸SiC举行了两场圆桌会议。第一场圆桌论坛的主题是“8英寸衬底&外延量产进程与挑战”，研讨嘉宾为烁科晶体总经理李斌、中电化合物总经理潘尧波、同光股份副总经理王巍、Soitec汽车与工业部门执行副总裁Emmanuel Sabonnadiere、青禾晶元副总经理刘福超、粤海金董事长助理熊耀兴，

第三代半导体风向 2024-12-19 63浏览
格力、三安、长飞等3条SiC晶圆线投产/点亮

近期，国内3个百亿投资级别的SiC项目宣布迎来新进展：● 格力电器：碳化硅芯片工厂正式建成并投入生产。● 三安：安意法首期产线已于11月完成点亮。● 长飞先进：武汉基地完成首批设备搬入。格力电器：碳化硅芯片工厂建成投产12月17日晚间，格力电器官方视频号发布相关视频，展示了旗下投资近百亿元建设的全自动第三代半导体（碳化硅）芯片工厂。据悉，格力电器的碳化硅芯片工厂正式建成并投入生产；格力电器董事长董

第三代半导体风向 2024-12-19 275浏览
国内新增一条8英寸SiC中试线

近日，深圳平湖室宣布，国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台已正式举办通线仪式，宣告“国内首个集科研和中试于一体的8吋先进功率半导体开放共享平台”正式通线。据悉，这是全国首条集8吋SiC/GaN科研和中试于一体的功率半导体开放共享平台，覆盖第三代功率半导体衬底、外延、器件制备、封装测试、失效分析、可靠性验证全链条，建成先进的8inch工艺平台，具备向下兼容能力。在通线仪式之后，深圳综合平台的运营

第三代半导体风向 2024-12-18 72浏览
该SiC企业将建6/8吋SiC线，已获近30亿补贴

继博世、X-Fab等SiC企业宣布获美国《芯片与科学法案》补助后；昨天，环球晶子公司GlobalWafers也与美国商务部敲定了资助合同，详情请看：环球晶：获美国近30亿拨款资助12月17日，据外媒报道，环球晶子公司GlobalWafers已与美国商务部敲定了其《芯片与科学法案》资助合同。根据协议，GlobalWafers将获得4.06亿美元（约29.5亿人民币）的直接拨款资助，用于支持其在德克

第三代半导体风向 2024-12-18 104浏览
新品资料|宽爬电距离封装SiC肖特基势垒二极管

SCS2xxAN（650V）和SCS2xxKN（1,200V）是采用小型表贴封装、实现了宽爬电距离的SiC肖特基势垒二极管。虽为小型表贴封装，但通过确保足够的爬电距离，可减轻采取特殊绝缘对策（灌封处理）的负担。本文将为各位工程师呈现该产品的参考资料，助力您快速了解产品各项信息。另外，还可前往官网查看产品新闻。产品特点01采用ROHM自有的封装形状，确保业界超宽的爬电距离咨询或购买产品扫描二维码填写

罗姆半导体集团 2024-12-18 18浏览
这家SiC企业已破产清算

根据破产资产网披露，2024年12月9日，北京世纪金光半导体有限公司管理人发布了《北京世纪金光半导体有限公司管理人公开选聘审计、评估机构的公告》。公告表明，北京市第一中级人民法院于2024年11月19日根据申请受理北京世纪金光半导体有限公司破产清算一案，并于2024年11月28日指定北京华信清算服务有限公司担任北京世纪金光半导体有限公司管理人。值得注意的是，2024年11月19日，北京市第一中级人

第三代半导体风向 2024-12-17 106浏览
快讯｜博世获美《芯片与科学法案》政策支持补贴扩产SiC半导体

美国商务部近日宣布，与德国汽车零部件供应商博世达成初步协议，向其提供至多2.25亿美元补贴和3.5亿美元政府贷款，用于在加州生产碳化硅功率半导体。以下是具体的支持细节：资金支持：美国商务部与博世签署了一份不具约束力的初步条款备忘录（PMT），根据《芯片与科学法案》向博世提供高达2.25亿美元的拟议直接补贴资金。此外，博世还可能获得约3.5亿美元的拟议贷款，这是《芯片与科学法案》提供的750亿美元贷

碳化硅芯观察 2024-12-16 121浏览

正在努力加载更多...

广告

今日新闻

热门文章排行

1 强调供应链合规，欧盟强迫劳动条例正式通过！

谈思汽车  3270
2 2024年12月及全年新能源汽车销量排名

一览众车  1317
3 王自如近照曝光！从格力离职后大变样，曾策划“我妈是董明珠”

快科技  1225
4 突发！禾赛科技被曝裁员：N+1，无年终奖

谈思汽车  1165
5 台积电美国厂良率超越台厂

52RD  1162
6 2024年12月和全年，各大品牌汽车销量汇总！

汽车电子设计  1069
7 2024中国大陆晶圆厂（Fab）详细汇总

ittbank  927
8 【今日分享】2025新年贺词：梦虽遥，追则能圆，愿虽艰，持则可达

今日光电  879
9 阿里前董事长张勇履新职；字节TikTok算法负责人或离职；英特尔CEO突然宣布退休|2024年12月全球科技企业高管变动

全球TMT  824
10 苹果2025年19款新品抢先看：最便宜和最轻薄iPhone都来了！

快科技  799
11 巴西：停止向比亚迪发放临时工作签证

谈思汽车  780
12 上海2025年新能源牌照政策压哨更新！哪些细节值得关注？

汽车电子设计  686
13 RTX50第一弹！RTX5080上市时间敲定

硬件世界  664
14 哪吒汽车全面复工复产！

谈思汽车  663
15 禾赛激光雷达月交付破10万，机器人领域月交付超过2万

52RD  662
16 苹果2025年19款新品抢先看：最便宜和最轻薄iPhone都来了！

手机技术资讯  654
17 立讯精密拟收购闻泰科技部分资产；华为花费5年时间基本实现供应独立；剪映产品负责人张逍然被曝离职|日报

全球TMT  618
18 eVTOL电机技术：揭秘未来空中出行的动力核心

电动车千人会  613
19 三星复制“梁孟松模式”落空

芯极速  597
20 英诺赛科正式敲钟上市，国内GaN第一股诞生

第三代半导体风向  589
21 惠科郑州将打造“超级工厂”，涉及OLED？

WitDisplay  583
22 英伟达最新GB300和B300技术细节曝光

智能计算芯世界  576
23 曝极越汽车开始返聘员工夏一平称不会放弃

智能汽车电子与软件  551
24 SLDA年会前瞻｜迈锐光电将精彩亮相SLDA年会

每日LED  532
25 消息称吉利、旷视展开智能驾驶合作，或成立一家新合资公司

52RD  528
26 AMD看完无可奈何！RTX5090/5080售价泄露：玩家要破产了

硬件世界  511
27 美国发布禁止敏感个人数据向中国跨境传输的最终规则！

谈思汽车  497
28 华为小米联手投资！这家芯片企业再闯IPO

物联传媒  497
29 突发！传激光雷达巨头大规模裁员，无年终奖！

EETOP  492
30 “纯血鸿蒙”变回“安卓鸿蒙”，华为不得不妥协！

手机技术资讯  488

广告

最新评论更多>>

好神经的网站，一直登陆阅读完全文，也不跳转，明明登陆了，神经

小瑞不熬夜评论文章 2024-12-27

自动驾驶多车协同与人机协同现状详细总览
怎么看不了啊

小心大雄评论文章 2024-12-20

嵌入式工程的文件怎么安排比较合理？

资料

文库

帖子

博文

在线研讨会

EE直播间

精密半导体参数测试解决方案直播时间：01月08日 10:00

E聘热招职位