MQTT消息传递机制及应用场景 - 电子工程专辑

GAA

GAA（Gate Array）是一种半定制电路,它提供了一组基本的电路单元,可以根据设计者的要求进行定制和优化.GAA比全定制电路更灵活和经济高效,适用于大规模生产和制造.

GAA和HBM限制对韩国意味着什么?

点击蓝字关注我们美国对中国半导体限制的前沿领域GAA芯片制造技术被广泛认为是目前用于制造尖端半导体器件的FinFET技术的继任者。GAA，也被称为栅极全能场效应晶体管（GAAFET），用一堆水平片取代了FinFET技术中使用的垂直片。这种GAA结构进一步减少了泄漏，同时增加了驱动电流，从而增强了晶体管密度，并提供了功率和性能优势。在美国的盟国中，韩国尤其引人注目，因为三星代工在3nm制程节点上率先

SSDFans 2024-12-13 236浏览
传三星GAA制程良率约10％~20％未到量产门槛

英伟达新一代AI处理器Blackwell需求爆量，CEO黄仁勋透露必要时可能接受更多厂商加入代工行列，令三星电子跃跃欲试，但韩媒吐槽三星晶圆代工品质太差，良率跟台积电无法比，分食英伟达代工订单言之过早。《韩国时报》报道，黄仁勋上周出席高盛研讨会时大力感谢台积电竭尽所能满足需求。他表示Blackwel需求火热，必要时可能考虑让其他厂商加入代工行列，但警告若真如此可能牺牲产品品质，言下之意是三星代工品

半导体前沿 2024-09-17 612浏览
打压升级！美国限制GAA技术，国产芯片厂商一片淡定，麻木或影响不大吗？

据彭博社消息称，美国正考虑进一步限制中国获取用于人工智能的芯片技术。知情人士透露，讨论中的措施将限制中国使用一种名为“全环绕栅极技术”（GAA）的尖端芯片架构的能力。那什么是GAA呢？与通常的芯片架构（ARM），以及EDA又有什么不同呢？另外，GAA限制后，对于国产芯片产业将产生什么后果呢？一、何为GAA，一种立体晶体管架构我们知道晶体管是最基础的半导体元器件，主要用于控制电流的大小以及开关。晶体

飙叔科技洞察 2024-06-15 1567浏览
长鑫存储发布GAA技术相关论文

12 月 15 日消息，DRAM 芯片制造商长鑫存储（CXMT）近日出席在旧金山举办的第 69 届 IEEE 国际电子器件会议（IEDM），发表了一篇论文，展示了环绕式闸极结构（Gate-All-Around，GAA）技术，适用于尖端 3nm 芯片。注：论文中提及 GAA 技术适用于包括 5nm、7nm、10nm 和 14nm 在内的 3nm 以下芯片，但这并不代表着长鑫存储当前具备制造 3nm

52RD 2023-12-16 1216浏览
长鑫存储储发布GAA技术相关论文

长鑫存储（CXMT），在日前于旧金山举行的第69届IEEE国际电子元件年会（IEDM）上发表了一篇论文，展示了环绕式闸极结构（Gate-All-Around，GAA）技术。GAA全程全环绕栅极晶体管(Gate-All-Around FET)。GAA被广泛认为是鳍式结构(FinFET)的下一代接任者。适用于3纳米级芯片。根据南华早报的报道，长鑫存储发表的声明表示，该论文描述了与DRAM结构和4F2设

EETOP 2023-12-15 1810浏览
突破美国封锁！长鑫存储GAA技术可适用3纳米芯片

存储器DRAM芯片制造商长鑫存储（CXMT），在旧金山举行的第69 届IEEE 国际电子元件年会（IEDM）上发表了一篇论文，展示了环绕式闸极结构（Gate-All-Around，GAA）技术，适用于尖端3纳米级芯片。南华早报报道，虽然长鑫存储尚未提供样品产品，但这家公司提供的下一代内存芯片生产的证据，引起了行业分析师的关注，因为此类芯片的设计通常涉及受美国出口限制的技术。台湾华邦电子的储存芯片专

芯片视界 2023-12-13 2544浏览
【光电集成】GAA器件结构工艺和挑战

今日光电有人说，20世纪是电的世纪，21世纪是光的世纪；知光解电，再小的个体都可以被赋能。欢迎来到今日光电！----与智者为伍为创新赋能----来源：光刻人的世界申明：感谢原创作者的辛勤付出。本号转载的文章均会在文中注明，若遇到版权问题请联系我们处理。 ----与智者为伍为创新赋能----【说明】欢迎企业和个人洽谈合作，投稿发文。欢迎联系我们诚招运营合伙人，对新媒体感兴趣，对光

今日光电 2023-06-18 967浏览
FinFET到GAA：先进制程，先要“支棱起来”

我们都知道：“两点之间线段最短”、“走直线，少走弯路”。然而在芯片界，有时路线却不是越短越好。人类对便携性的追求，让电子产品越做越小，内部的电子部分的确是“越来越短”。比如最初的电脑是个巨无霸，它有18000个电子管，占地足足170平方，重达30吨，这样的电脑可不是随随便便就可以拥有的。为了让人人都能用上电脑，体积小、功耗低、更稳定的晶体管取代了电子管，集成电路也随之应运而生。有了晶体管和集成电路

新思科技 2023-06-02 1727浏览
三星3纳米GAA良率稳步提升！高通或重回三星怀抱

欢迎关注创芯人才网搜索芯片人才及职位先前，移动处理器大厂高通（Qualcomm）放弃了由三星代工旗舰型骁龙Snapdragon 8系列处理器的做法，目前Snapdragon8 Gen 2处理器采用的是台积电的4纳米（N4）制程，即便2023年即将到来的Snapdragon8 Gen 3处理器也会继续选择由台积电代工。高通会做这样决定的原因在于过去多款处理器的生产证明，这个时期台积电的制程性能更胜一

EETOP 2023-05-02 1190浏览
IC设计师需要了解的全栅极GAA

全栅极（GAA，Gate-all-around）将取代finFET，但它带来了自己的一系列挑战和未知数。虽然只有12年的历史，但finFET已经走到了尽头。从3纳米开始，它们将被全栅极（GAA）所取代[1]，预计这将对芯片的设计方式产生重大影响。 GAA目前有两种主要类型--纳米片和纳米线。对于纳米片，以及纳米片和纳米线之间的区别，人们有很多困惑。业界对这些设备仍然了解不多，也不知道一些问题

半导体产业杂谈 2023-04-23 1462浏览
传美国将对华断供GAA技术相关的EDA软件

来源：科技新报8月3日，据外媒 Protocol 报导，美国拜登政府几个月来一直在考虑新禁令，已命令美国商务部发布新规则，就是阻止芯片设计软件（EDA 软件）出口。美国政府将限制出口的 EDA 软件，是生产 GAA (Gate-all-around）芯片必需。GAA 技术已被韩国三星用于 3 纳米芯片制造。新出口限制几星期内实行，正由美国商务部审查，以确定实施细节。报导引述知情人士说法，美国政府新

CINNOResearch 2022-08-04 1871浏览
传美国将对华断供GAA技术相关EDA工具，中国EDA什么水平？

▲ 更多精彩内容请点击上方蓝字关注我们吧！据外媒Protocol 报道，美国准备对用于设计半导体的特定类型EDA软件实施新的出口限制，该软件是设计和制造最先进的人工智能芯片至关重要的下一代技术。知情人士表示，美国政府的目标是阻止将设计工具出售给追求人工智能应用的中国公司。报道称，美国拜登政府数月来一直在权衡可能的禁令，但已选择命令美国商务部发布一项新规则，该规则将有效阻止EDA软件的出口，这些软

电子工程世界 2022-08-04 2320浏览
传美国将对华断供GAA技术相关的EDA工具

Protocol 8月2日报道，美国准备对用于设计半导体的特定类型EDA软件实施新的出口限制，该软件是设计和制造最先进的人工智能芯片至关重要的下一代技术。知情人士表示，美国政府的目标是阻止将设计工具出售给追求人工智能应用的中国公司。报道称，美国拜登政府数月来一直在权衡可能的禁令，但已选择命令美国商务部发布一项新规则，该规则将有效阻止EDA软件的出口，这些软件是使用GAA新技术制造芯片所必需的。目前

芯通社 2022-08-03 1200浏览
传美国将断供GAA相关EDA工具！

中国半导体论坛振兴国产半导体产业！ 8月3日，据外媒报道，拜登政府计划阻止中国获得先进的芯片设计软件，针对特定类型EDA软件实施新的出口限制。知情人士表示，美国政府的目标是阻止将设计工具出售给追求人工智能应用的中国公司。报道称，美国拜登政府数月来一直在权衡可能的禁令，但已选择命令美国商务部发布一项新规则，该规则将有效阻止EDA软件的出口，这些软件是使用GAA新技术制造芯片所必需的。目前GAA

中国半导体论坛 2022-08-03 1096浏览
三星首批3纳米GAA芯片出货

7月25日上午，三星电子在韩国京畿道华城厂举行3nm芯片出货仪式。韩国产业通商资源部长、三星电子DS部门负责人Kye Hyun Kyung、高管和员工、供应商和无晶圆厂高管等约100人参加了此次活动。据韩联社报道，Kye Hyun Kyung在致辞中表示，“三星电子凭借此次量产在代工业务上取得了成功。GAA技术的早期开发成功，将成为FinFET晶体管达到技术极限时的新替代品，是一项从无到有的产品创

半导体前沿 2022-07-25 1044浏览
Intel眼里的下一代晶体管，GAA的继任者！

在近期举办的VLSI 技术和电路研讨会上，专家们深入探讨了最近的技术进步，并展望了将在不久的将来过渡到生产的研究工作。其中，来自英特尔组件研究小组的 Marko Radosavljevic 在题为“Advanced Logic Scaling Using Monolithic 3D Integration”的演讲中提供了有关 3D 设备制造开发状态的最新信息。尽管仍有重大挑战有待解决，但 Mark

DT半导体材料 2022-07-15 1598浏览
揭秘三星3纳米GAA技术

▲ 更多精彩内容请点击上方蓝字关注我们吧！6月30日上午三星电子宣布, 基于3nm全环绕栅极（Gate-All-AroundT,简称 GAA）制程工艺节点的芯片已经开始初步生产。三星电子首次实现GAA“多桥-通道场效应晶体管”（简称: MBCFET™ Multi-Bridge-Channel FET）应用打破了FinFET技术的性能限制，通过降低工作电压水平来提高能耗比，同时还通过增加驱动电流增

电子工程世界 2022-07-01 1431浏览
三星｜计划2025年量产基于GAA的2纳米芯片

来源：cnBeta基于 3 纳米的全环绕栅极（Gate-All-AroundT，简称 GAA）工艺有望成为半导体行业的游戏规则改变者。三星电子计划在未来三年内通过建立 3 纳米 GAA 工艺，赶上全球第一大代工公司台积电。GAA 是一种下一代工艺技术，它改进了半导体晶体管的结构，使栅极可以接触晶体管的所有四个侧面，而不是当前 FinFET 工艺中的三个侧面。GAA 结构可以比 FinFET 工艺更

CINNOResearch 2022-06-20 1084浏览
三星计划在2025年开始大规模生产基于GAA的2nm芯片

据 BusinessKorea 报道，三星电子正计划通过在未来三年内打造 3 纳米 GAA（Gate-all-around）工艺来追赶世界第一大代工公司 —— 台积电。据悉，GAA 是下一代工艺技术，改进了半导体晶体管的结构，使栅极可以接触到晶体管的所有四面，而不是目前 FinFET 工艺的三面，GAA 结构可以比 FinFET 工艺更精确地控制电流。根据 TrendForce 的数据，在 202

52RD 2022-06-20 1152浏览
应用材料公司用于下一代3nm和GAA的半导体设备简介

芯片验证春季班开班！1750元补助即将收尾！就业畅销课《芯片验证从入门到精通》EETOP编译自anandtech上个月，三星代工厂悄悄宣布，将在第二季度开始使用其 3GAE（3 纳米级、全栅极晶体管）的早期工艺技术生产芯片。虽然业界首个采用 GAA 晶体管的 3 nm 级节点本身就是一项值得注意的成就，但特别重要的是，要高效地制造 GAA 晶体管，晶圆厂必须配备新的生产设备。正好，应用材料公司最近

EETOP 2022-05-13 1921浏览
三星GAA工艺搁浅，但三足鼎立局势已逆不可挡

三星GAA结构设想搁浅，台积电稳扎稳打台积电在今年上半年公布了3nm芯片的生产计划，与此同时，3nm工艺的三星也在进行测试。韩国的报道指出，三星的3nm制程技术，目前的良品率只有10%至20%，与公司预期的差距甚大，且3nm的良品率难以提高。三星和台积电已经成功地将5nm制程批量生产，并且正在加速3nm制程的制程。三星将GAA与台积电FinFET结构相比较，认为GAA结构具有优势。根据 Digit

52RD 2022-04-20 880浏览
被曝4nm良率仅35%后，三星3nm工厂即将动工：全球首发GAA工艺

▲ 更多精彩内容请点击上方蓝字关注我们吧！三星电子半导体业务曾因芯片良率“造假”引发外界关注。据韩国媒体报道，2月末，三星高管可能在试产阶段捏造了其5nm以下工艺的芯片良率，以抬高三星代工业务的竞争力。随后，三星启动了对原本计划扩大产能和保证良率的资金下落的调查，进一步了解半导体代工厂产量和良率情况。　　据当时一位熟悉三星电子内部情况的官员对外透露，“由于晶圆代工厂交付的数量难以满足代工订单需求

电子工程世界 2022-03-11 1073浏览
取代GAA的下一代晶体管技术--CasFET（级联场效应晶体管）

欢迎关注创芯人才网搜索职位及简历普渡大学的研究人员在尝试设计下一代晶体管方面达到了一个里程碑，这可以延长硅基半导体的寿命。这种名为CasFET（级联场效应晶体管）的新设计是在晶体管微型化道路上迈出的又一步，可以实现更低的开关电压、更低的功耗和更密集的设计。普渡大学电气与计算机工程系 Katherine Ngai Pesic 和 Silvaco 研究助理教授蒂尔曼·库比斯 (Tillman Kubi

EETOP 2021-09-22 1850浏览
GAA将给3/2nm带来哪些影响？

点击蓝字关注我们芯片行业正准备迎接晶体管结构的另一场变革，在5nm之后GAAFET将取代FinFET，这给设计团队带来了一系列新挑战。 GAA 全称Gate-All-Around ，是一种环绕式栅极技术晶体管，也叫做 GAAFET。GAAFET是在FinFET基础上进化而来的，但它对设计流程和工具的影响仍然十分显著。FinFET结构使得驱动电流、漏电流和性能之间无法得到较好的平衡；对于注

SSDFans 2021-09-02 2068浏览
晶体管结构新变革，GAA机遇与挑战并存

来源 | semiengineering文︱BRIAN BAILEY编译︱编辑部随着GAA FET（全环绕栅极晶体管）逐渐取代3nm及以下的finFET（鳍式场效应晶体管），芯片行业已经准备好迎接晶体管结构的另一次变革，这给设计团队带来了一系列需要充分理解和解决的新挑战。GAA FET是从finFET演进而来的，但是其对于设计流和工具的影响依然意义重大。由于没有量化，GAA FET给设计

TechSugar 2021-09-01 1501浏览

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