2019年11月21日，上海集成电路研发中心有限公司(ICRD)和北方华创科技集团股份有限公司(北方华创)联合宣布，ICRD采用北方华创NMC612D电感耦合等离子体（ICP）刻蚀机等国产设备完成了14nm鳍式晶体管自对准双重图形(14nm FinFET SADP)相关工艺的自主开发，各项工艺指标均已达到量产要求，在集成电路14nm核心工艺技术上取得了重大进展。随着集成电路线宽的逐步减小，自对准双重图形技术(Self-aligned Double Patterning, SADP)成功解决了193nm浸入式光刻与极紫外(EUV)光刻之间的过渡问题，是目前主流的14nm FinFET制造工艺，也是5nm 自对准四重图形技术(Self-aligned Quadruple Patterning, SAQP)的基础。SADP技术，即一次光刻完成后，相继使用沉积和刻蚀等工艺步骤，在模板线条(Core)侧壁上形成间隔物(Spacer)，当去除最初的模板材料后，用间隔物来定义所需的最终结构，从而实现线条密度的加倍，解决了小尺寸图形的制备难题。由于14nm FinFET SADP工序制造的复杂性，目前在Fab厂制造过程中均未有国产设备的应用。
ICRD使用国产集成电路设备进行了核心工艺研发，北方华创NMC 612D ICP刻蚀机作为核心刻蚀工艺设备，其工艺表现将直接影响鳍式晶体管器件的工艺性能和良率，凭借其优良的刻蚀形貌控制、均匀性控制、较低刻蚀损伤、较高刻蚀选择比等方面的技术优势，北方华创的NMC612D ICP刻蚀机为相关工艺的成功开发做出了重大贡献,并为5nm SAQP技术的自主开发奠定了坚实的基础。
图2 NMC612D 14nm FinFET SADP刻蚀后形貌图NMC612D 电感耦合等离子体刻蚀机在ICRD 14nm FinFET SADP工艺开发中的成功应用，是ICRD和北方华创战略合作取得的阶段性重大成果，填补了国产高端集成电路设备在先进集成电路工艺制程领域14nm FinFET SADP刻蚀工艺应用的空白，证明了国产机台的性能已达到业界先进水平。
NMC 612D 12英寸ICP刻蚀机：
NMC612D可以满足14纳米多种刻蚀工艺制程要求，并具备7/5纳米工艺延伸能力。提供同步脉冲双射频等离子源，在刻蚀形貌控制、均匀性控制、减少刻蚀损伤、刻蚀选择比提高等方面具有技术优势，可满足刻蚀工艺的各项需求指标。
图3 NMC612D硅刻蚀机
