媒体采访｜ Qorvo 收购 UnitedSiC 应对 SiC 竞争

在接受 EETIMES 采访时，Qorvo 可编程电源管理业务部门高级总监 David Briggs 以及 UnitedSiC 前总裁兼首席执行官、Qorvo 现任电源设备解决方案部门总经理 Chris Dries 分析了此次新收购的一些方面和市场影响。Dries 表示，Qorvo 对 Active-Semi 的收购触发了其对功率电子设备领域的兴趣。如今，Qorvo 的目标就是，利用 UnitedSiC 的化合物半导体制造技术来实现伟大的多元化战略。

▲Chris Dries

▼David Briggs

Briggs 表示：“可编程电源管理业务发展迅速，Qrovo 希望在电力市场占有更大的份额。此次收购有助于加快其进军该市场领域的步伐，进而创建将我们可编程性、灵活性和模拟控制 IP 与 UnitedSiC 产品组合在一起的解决方案，以便为客户打造端到端解决方案。”

UnitedSiC 已开发出一种共源共栅布局的 SiC，适用于需要常闭器件的功率电子设备应用。在共源共栅配置中，功率 MOSFET 置于 JFET 顶部，而且两者被封装在一起，以实现极低热阻。

UnitedSiC 提供 SiC FET、JFET 和肖特基二极管设备等产品。JFET 结构是最基本的 SiC 开关。因为它没有栅极氧化物，并且是单极传导装置，所以可以避免一些与 MOSFET 相关的缺陷。新推出的第四代 SiC FET 的最大工作电压为 750 V, RDS (on) 为 5.9 毫欧姆，可将各行各业的效率提升至新高度。

改进开关性能和 RDS(on) 可在电动汽车领域实现更强大的新应用，如牵引驱动、车载和车外充电器以及可再生能源逆变器、功率因数校正、电信转换器和 AC/DC 或 DC/DC 功率转换等所有阶段的功率转换。

结合两家公司的丰富经验，Qorvo 可在汽车解决方案领域获得一些优势。Briggs 表示：“碳化硅所实现的架构使我们为整体电源架构创造的各类解决方案和控制机制能够脱颖而出。我们的目标就是，在安全和控制方面为我们的客户带来附加价值，并优化整体系统性能。这些将是我们在继续合并过程中要探索的东西。”

SiC 在不断增长，并将逐渐与 IGBT 竞争，直至完全取而代之。其快速增长确实降低了成本。Dries 表示：“我们刚刚发布了第四代器件，其芯片尺寸缩小了 30-50%，从而进一步降低了解决方案成本。当您考虑碳化硅逆变器所带来的效率优势时，就更应该把握住这一机会。我认为，在这个十年结束之时，碳化硅可能会开始占主导地位，尤其是在更大功率的汽车领域。”

Briggs 补充道：“IGBT 仍将继续存在，它们不会轻易地被 SiC 取代，但由于其效率、性能和可靠性，碳化硅迟早会占据大部分市场份额并最终取代 IGBT。”

因此，拥有良好的供应链至关重要，同时 UnitedSiC 认为，实现基板和外延的多样化供应可确保市场领先地位。Dries 表示：“在不同外延供应商和基板供应商中，我们拥有大约 5 个不同的合格供应链。我们面临激烈的竞争，而我认为这足以压低成本。”

确保参考设计解决方案极其重要，这样才能提供简单的设计机会，缩短上市时间。这将促使所有那些习惯于只使用 IGBT 解决方案的设计师更快地采用 SiC。两位行业专家均表示，参考设计是充分利用 Qorvo 现有工程能力的好方法。正如 Briggs 所述，提供完全集成的解决方案，而不仅仅是分立式半导体，是一次发展机会。

Dries 表示：“目前，我们正致力于太阳能逆变器设计，SiC 有望成为太阳能装置和储能系统的核心。”

Briggs 坦言：“我们需要研究如何才能进一步提高能效。这一切都与效率以及如何将其最大化有关，所以我们将结合自身的技术，为该市场领域创造更优解决方案。”

SiC FET 通常用于功率转换、电路保护和电机驱动。据 UnitedSiC 的研究，所述众多应用的一个特点就是，栅极驱动器特性与其他器件（如 MOSFET 和 IGBT）兼容，这样就可以轻松地将其集成到现有设计中。

在 Qorvo 产品组合中整合 UnitedSiC 解决方案将涵盖新兴市场的许多应用，主要与能源相关。UnitedSiC 和 Qorvo 强调了继续创建可扩展且增长快速的业务机会，以加快 SiC 的采用，从而提高支持电动汽车部署的动力总成解决方案的效率。

Maurizio 拥有物理学博士学位，是一名电信工程师和记者。他参与了多个引力波研究领域的国际项目，并与研究机构合作设计面向航空应用的数据采集和控制系统。他是施普林格出版社出版的几本书的作者，也是许多关于电子设备设计的科学和技术出版物的作者。