三星开发出8纳米射频工艺技术!诺基亚贝尔完成5G毫米波NR-DC和200MHz载波带宽测试

滤波器 2021-12-13 23:25

1.  诺基亚贝尔完成5G毫米波NR-DC和200MHz载波带宽测试

近日,在IMT-2020(5G)推进组的指导下,诺基亚贝尔顺利完成了5G增强技术研发试验5G毫米波独立组网(SA)模式下高低频双连接(NR-DC)测试,并验证毫米波4x200MHz下行载波聚合能力。



诺基亚贝尔商用级毫米波基站产品,支持最大800MHz带宽。在本次测试中,使用高频26GHz和低频3.5GHz NR-DC技术,基于高通骁龙TM X65 5G调制解调器及射频系统,在实验室完成了1x200M/2x200M/4x200M等系统带宽和下行载波聚合、帧结构(DDDSU和DSUUU)、自适应调制与编码、CSI测量与反馈、参考信号、多天线技术、波束管理等测试用例,并在怀柔外场完成视距(LOS)和非视距(NLOS)条件下的单用户峰值吞吐量、用户面时延、切换、上下行拉远和覆盖遍历、帧结构更新等测试项目,达到了预期的效果,充分验证了诺基亚贝尔的毫米波基站设备在功能、性能、产品形态等各方面的技术领先优势。



诺基亚贝尔一直为推动中国5G毫米波商用进程而不懈努力


早在2019年,IMT-2020(5G)推进组就启动了毫米波相关技术研发试验工作,今年工业和信息化部等十部门发布的《5G应用“扬帆”行动计划(2021-2023年)》更是提出,组织开展5G毫米波基站研发和端到端测试,加快技术和产品成熟,奠定5G毫米波商用的产业基础。数年来,诺基亚贝尔一直积极参与5G推进组的毫米波试验,并取得了丰硕成果:


  • 2019年,首家启动并完成了实验室功能和外场性能测试。

  • 2020年9月,在怀柔外场首家成功展示毫米波4Gbps峰值性能。

  • 2020年12月,在怀柔外场,使用26GHz毫米波基站及商用芯片终端取得了下行4.06Gbps/上行203Mbps的峰值速率。

  • 2021年8月,在怀柔外场,采用上行高吞吐量的帧结构(DSUUU),实现了924.4 Mbps的5G上行峰值速率。

  • 2021年11月和12月,顺利完成NR-DC和200M载波带宽实验室及外场测试,并在载波聚合场景下接近相应配置的上下行速率理论峰值。



诺基亚贝尔此次顺利完成5G增强技术研发试验的毫米波实验室和外场的系列测试,将继续为毫米波在中国的商用和推广做好准备,全方位支持中国5G市场的建设和发展。



2.  三星开发出8纳米射频工艺技术:功率效率提高35%!

日前消息,三星宣布开发出新一代“8纳米射频(RF)工艺技术”,强化5G通信芯片的解决方案。该技术支持5G通信的多通道和多天线芯片设计,有望为5G通信提供“单芯片的解决方案(OneChip Solution)”。
据了解,三星的8纳米射频工艺技术是对目前已经广泛使用的包括28纳米和14纳米在内的射频相关解决方案的最新补充。自2017年以来,三星为高端智能手机出货了超过5亿颗移动终端射频芯片。
“通过卓越的创新和工艺制造,我们加强了我们的下一代无线通信产品。”三星电子代工技术开发团队主管Hyung Jin Lee表示。“随着5G毫米波的扩展,对于那些在紧凑型移动终端上寻求实现更长电池寿命和出色信号质量的客户来说,三星8纳米射频将成为一个很好的解决方案。”
三星方面表示,三星的工艺优化最大限度地提高了通道移动性,同时最大限度地减少了寄生效应。由于RFeFET的性能大幅提升,射频芯片的晶体管总数和模拟/射频块的面积可以实现减小。与14纳米射频相比,由于采用RFeFET架构创新,三星的8纳米射频工艺技术将功率效率提高了35%,而射频芯片面积减少了35%。

三星电子希望,最新的8纳米射频工艺技术能够增强其在代工芯片制造领域的影响力。

市场研究公司TrendForce的数据显示,就营收而言,今年第一季度,三星在全球代工市场的营收份额为17%,远远落后于行业领头羊台积电(占据55%的市场份额)。

2021年第一季度,三星的营收为65.39万亿韩元(约合586亿美元),同比增长18.2%,环比增长6%,其中半导体业务的综合营收为19.01万亿韩元。

该公司表示,尽管内存出货量稳定,但其半导体业务的利润环比下降,主要原因是其奥斯汀工厂的生产中断,以及NAND价格的下降。与此同时,与先进节点迁移相关的新生产线增加的初始成本也对该公司业绩造成了影响。

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