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英特尔披露最新晶体管堆叠技术，欲加速芯片微缩
12月13日消息，近日，英特尔研究团队公布了最新研究论文，其中展示了一种堆叠晶体管的方法，能够使单位面积芯片上晶体管数量增加30%-50%。英特尔表示，未来十年将继续加速芯片微缩的速度。
据路透社报道，英特尔正努力在生产最小、速度最快的芯片方面夺回领头羊之位，虽然CEO基辛格已经制定了2025年重新夺回领先地位的计划，但英特尔研究团队在旧金山举行的一次国际会议上公布的工作进展，让人们看到了英特尔在2025年后的竞争计划。
据悉，英特尔将更多计算能力整合到芯片中的方法之一是在三维空间中增加芯片堆叠或小芯片（chiplet）。除了提高晶体管密度外，研究团队展示的另一技术，可以让堆叠的芯片之间的连接数量增加10倍，这意味着更复杂的芯片可以堆叠在一起。
英特尔元件研究部门主管兼高级首席工程师Paul Fischer在接受路透采访时表示："通过将芯片直接堆叠在一起，我们明显节省了面积。我们正在缩短互连长度，真正节约能源，这不仅提高了成本效率，还提高了性能。”
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传联电22nm高压制程最快2022年首季试产验证
12月13日消息，据台媒《经济日报》报道，联电与三星合作开发的22nm高压制程最快2022年首季开始试产验证，届时将为三星代工新的OLED驱动IC。
据悉，联电方面证实，22nm高压制程正应客户需求开发中，但无法透露客户名称。台媒分析称目前OLED驱动IC厂商中仅有三星有能力导入联电的22nm高压制程，最快2022年第一季开始小量试产验证，初期产能数千片，之后逐步放大至数万片。
该报道指出，联电22nm制程与原来28nm制程相比，能够缩减10％的晶粒面积，且拥有更佳功率效能比和更强的射频性能。22nm高压制程则从原来可支持的1.8V／3.3V／5V／8V提高至最大到10V／18V。
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IBM与三星共同开发VTFET芯片技术
12月13日消息，在加州旧金山举办的IEDM 2021国际电子元件会议中，IBM与三星共同公布了名为垂直传输场效应晶体管 (VTFET) 的芯片设计技术，该技术将晶体管以垂直方式堆叠，并且让电流也改以垂直方式流通，借此让晶体管数量密度再次提高之外，更大幅提高电源使用效率，并且突破目前在1nm制程设计面临的瓶颈。
相较传统将晶体管以水平方式堆叠的设计，垂直传输场效应晶体管将能增加晶体管数量堆叠密度，并且让运算速度提升两倍，同时通过让电流以垂直方式流通，也让电力损耗降低85%（性能和续航不能同时兼顾）。
IBM和三星声称，该工艺有朝一日可能允许手机在一次充电的情况下使用一整个星期。他们说，这也可以使某些能源密集型的任务，包括加密工作，更加省电，从而减少对环境的影响。
目前 IBM与三星尚未透露预计何时将垂直传输场效应晶体管设计应用在实际产品，但预期很快就会有进一步消息。
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传台积电4nm工艺的高通骁龙8 Gen1+ 样片依然发热，功耗也降低不多
12月13日消息，据数码博主@数码闲聊站透露，采用台积电4nm工艺的联发科天玑9000（mt6893）和高通sm8475目前来看还是有点发热，哪怕是目前最先进的工艺也无法降低其太多功耗。
据称，各大厂商都已经在测试搭载全新旗舰平台的新机，而且高通和联发科还将推出新的中端SoC来推进市场占有率，新平台预计将包括天玑7000系列和sm74开头的高通新平台。
就目前来看，不管是三星还是台积电的4nm工艺，高端芯片发热并不是单一的工艺问题，而且集成电路产生热量是不可避免的情况，甚至之前的海思麒麟9000和苹果A15也因为发热问题被苛责。
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传台积电与德国就潜在建厂进行前期接触
12月13日消息，据悉，台积电一位高管在12月11日表示，台积电正在与德国政府就在德国建立工厂的可能性进行初步谈判。
台积电欧亚销售高级副总裁Lora Ho表示，包括政府补贴、客户需求和人才库在内的各种因素都将影响台积电的最终决定。
与此同时，欧盟和其他国家正考虑增加国内芯片生产，以缓解未来供应链瓶颈。
Lora Ho称，目前台积电还没有与德国政府讨论过激励措施，也没有决定工厂地点。
台积电董事长刘德音6月份对股东表示，公司已开始评估在欧洲国家设立制造业务的事宜。
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