1、 图为metal1和P+、N+active通过contact相连接的版图，在其下面的对应位置上画出下图沿虚线剖开后的剖面图。
2 绘制出图中BiCMOS工艺下NPN 晶体管剖面图（沿A-A’方向）
3 请用AOI逻辑实现逻辑函数：
4 画出图的工艺剖面图（采用N阱工艺），并写出输出表达式。
5 分别用AOI逻辑和CMOS传输门实现一个异或门。
6 图为一个采用N阱CMOS工艺的版图。从版图中提取逻辑图，并标清输入，输出，电源和地。此版图中应用了哪几种类型的设计规则？画出虚线处的剖面图，并在图中标出场氧和栅氧的位置。
7 用CMOS传输门实现一个双路开关电路。在电路上标明输入端和输出端，并写出输出的逻辑表达式；
由于PMOS管对高电平的传输性能好，而NMOS管对低电平的传输性能好，从而使信号可以获得全摆幅的传送而没有电平损失。
8、用CMOS传输门实现一个异或门电路，说明采用CMOS传输门比采用单独的PMOS管或NMOS管的优势是什么？
优势：利用PMOS管对高电平的传输性能好，而NMOS管对低电平的传输性能好，从而使信号可以获得全摆幅的传送而没有电平损失。
9、 图为poly与metal1通过contact相连接的版图，在其下面的对应位置画出下图沿虚线剖开后的剖面图。若虚线向下移动一点，刚好只交到poly和metal1，画出此处的剖面图。
10 图为光刻示意图。若光刻胶为正胶，画出光刻后、刻蚀后和去胶后的示意图。
