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三星计划2025年量产2nm工艺：基于MBCFET、与IBM2nm不同

电源Fan 2021-12-10 09:35
电子元器件采购与技术方案，工程师专属平台 多物理场仿真在半导体制程中的应用


在先进半导体工艺上，台积电目前是无可争议的老大，Q3季度占据全然53%的晶圆代工份额，三星位列第二，但份额只有台积电的1/3，所以三星押注了下一代工艺，包括3nm及未来的2nm工艺。

根据三星的计划，3nm工艺会放弃FinFET晶体管技术，转向GAA环绕栅极，3nm工艺上分为两个版本，其中3GAE(低功耗版)将在2022年年初投入量产，3GAP(高性能版)则会在2023年年初批量生产。

对比5nm，三星新的3nm GAA可以让面积缩小35％，同功耗下性能提高30％，同性能下功耗降低50％。

再往后就是2nm工艺，三星高管日前再次表态2nm工艺会在2025年量产。


不过具体的工艺指标还没公布，只知道还是GAA晶体管，跟3nm一样基于MBCFET（多桥沟道FET）技术，这是一种纳米片晶体管，可以垂直堆叠，而且兼容现在的CMOS工艺，共享设备与制造方法，降低了新技术的升级成本。

三星的2nm工艺是一大进步，创新亮点不少，而且跟现在已有的2nm技术不同——此前IBM全球首发了2nm芯片，指甲盖大小的面积就可以集成500亿晶体管，相比7nm工艺提升了45%的性能或者减少75%的功耗，预计2024年量产。

三星也参与了IBM的2nm技术，然而自己量产的2nm技术跟IBM的2nm并不一样，后者需要新的生产方法，三星还会依赖自家研发的2nm技术。


END

来源：快科技
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