1、MPW技术最初是集成电路研发机构为降低芯片开发成本而引入的芯片制造技术。它是把几到几十种工艺上兼容的芯片拼装到一个宏芯片上，然后以步进的方式排列到一到多个晶圆上。这样可使昂贵的制版和硅片加工费用由几十种芯片分担。
2、根据阈值电压的不同，MOS管分为增强型和耗尽型。当阈值电压为负时，PMOS管属于增强型器件。
3、CMOS工艺分为P阱CMOS工艺、N阱CMOS工艺和双阱CMOS工艺。它之所以优于NMOS工艺，最主要的一点是因为CMOS电路的静态功耗非常低。
4、封装效率为芯片面积与封装面积的比值，该值越高越好，尽量接近1：1。目前封装效率最高的封装是芯片尺寸封装。
5、拥有设计人才和技术，但不拥有生产线，这样的公司称为无生产线集成电路设计公司。
6、金属与掺杂半导体接触形成肖特基结二极管，具有类似于PN结二极管的伏安特性。但相对于PN结二极管来说，肖特基结二极管的速度更快，导通压降更低。
7、先进的集成电路生产线都采用电子束来制作掩模，称为电子束扫描法。这种技术采用电子束抗蚀剂进行曝光，分辨率很高。
8、BiCMOS工艺技术是将双极与CMOS器件制作在同一芯片上，这样就结合了两种器件的优点，使它们互相取长补短，从而实现了高速、高集成度、高性能的超大规模集成电路。
9、硅栅工艺克服了铝栅工艺的缺点，采用自对准技术，将两次掩模步骤合为一次，让漏、源、栅三个区域一次成形，无需重叠设计，提高了速度，增加了集成度和可靠性。
10、对数字信号而言，CMOS反相器工作在静态时，或工作在线性区，或工作在截止区。
11、设计规则是版图设计和工艺之间的接口，符合设计规则的版图设计是保证工艺实现的第一个基本要求。
12、版图设计准则可以指导版图设计者采用合适的版图设计技术来提高电路的匹配性能、抗干扰性能和高频工作性能等。
13、对模拟信号而言，CMOS反相器必须工作在线性区和饱和区，反相器支路始终有电流流过，功耗大于零。
14、集成电路设计所需要的知识包括系统知识、电路知识、工具知识和工艺知识。
15、在微处理器结构里，往往采用公共总线结构，因此需要设计三态门电路，以避免总线使用的矛盾。
16、由于电子的迁移率大于空穴的迁移率，因而NMOS的速度比PMOS的速度快。
17、由于驱动电路的管子W/L较大，所以往往采用折线栅和并联管子的方法以减少面积。
