芯片表面SiO2薄膜

    在微电子技术以及在微结构、微光学和微化学传感器中，需要在由不同材料构成的大面积的薄膜层中构造功能完善的结构。

功能：1、完成所确定的功能

           2、作为辅助层

方式：氧化(Oxidation)

           化学气相淀积(ChemicalVapor Deposition)

           外延(Epitaxy)

氧化

Ø定义：硅与氧化剂反应生成二氧化硅。Ø原理：氧化剂被表面吸附，向膜中扩散，在二氧化硅和硅的接触界面反应生成新的二氧化硅，接触界面向深层逐步推进。Ø种类：热氧化、热分解淀积、外延淀积。

二氧化硅膜的五种用途：

Ø􀀠杂质扩散掩蔽膜

Ø􀀠器件表面保护或钝化膜

Ø􀀠电路隔离介质或绝缘介质

Ø􀀠电容介质材料

Ø􀀠MOS管的绝缘栅材料

1.二氧化硅膜的化学稳定性极高，不溶于水，除氢氟酸外，和别的酸不起作用。

u利用这一性质作为掩蔽膜，光刻出IC 制造中的各种窗口。

2. 二氧化硅膜的掩蔽性质

uB、P、As等杂质在SiO2的扩散系数远小于在Si中的扩散系数。Dsi> Dsio2

uSiO2 膜要有足够的厚度。一定的杂质扩散时间、扩散温度下，有一最小厚度。

Ø二氧化硅膜的绝缘性质

u热击穿、电击穿、混合击穿：

    a.最小击穿电场（非本征）－－针孔、裂缝、杂质。

    b.最大击穿电场（本征）－－厚度、导热、界面态电荷等；氧化层越薄、氧化温度越高，击穿电场越低。

u介电常数3～～4（3.9）

由颜色来确定氧化层厚度