Micron已经用它的新替代栅(RG，Replacement Gate)结构流片了它的第4代3D NAND存储器设备。这次流片证实，该公司正按计划在2020年生产第4代3D NAND闪存，但Micron称，使用新架构的闪存将只用于选定的应用程序，因此，其明年的3D NAND成本削减将微乎其微。
Micron第四代3D NAND芯片使用了多达128层，并在阵列设计方法下继续使用CMOS芯片。新型的3D NAND存储器改变了浮栅技术(已被英特尔和Micron公司使用多年)，用于替代栅技术，试图降低掩膜尺寸和成本，同时提高性能，并使更容易过渡到下一代节点。这项技术是由Micron单独开发的，没有任何来自英特尔的投入，所以它很可能是为Micron想要瞄准的应用量身定制的(可能是高asp，如移动设备、消费者等)。
Micron第四代128层3D NAND的流片表明，该公司的新设计不仅仅是一个概念。 同时，Micron还没有计划将其所有产品线都转换为最初的RG处理技术，因此明年公司范围的每位成本不会大幅下降。 尽管如此，该公司承诺在其后续RG节点广泛部署之后，到2021财年（从2020年9月下旬开始）将实现有意义的成本降低。
目前，Micron正在提高96层3D NAND的产量，并于明年开始在其绝大部分产品线中使用。128层3D NAND不会立即导致每位成本的显著下降，而是会随着时间的推移而下降。后续节点（Micron的第五代3D NAND？）可能具有至少128层，并且如果被广泛使用，则可以预测，与今天相比，它将大大降低公司的每位成本。
Micron公司首席执行官兼总裁Sanjay Mehrotra表示：
“我们使用替代栅或简称“ RG”实现了我们的第一次流片。这个里程碑进一步降低了我们进行RG过渡的风险。提醒一下，我们的第一个RG节点将为128层，并将用于选择的一组产品。我们预计RG不会在2021财年广泛部署，在第二代RG节点之前实现有意义的成本降低。因此，我们预计2020财年NAND的成本降低最小。我们的RG生产部署方法将优化NAND资本投资的ROI。”
原文链接：https://www.anandtech.com/show/14942/micron-128layer-3d-nand-with-replacement-gate-cmos-under-array-taped-out
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