本文来源:钜亨网
电动汽车市场起飞,催生对第三代半导体材料需求爆发,上游材料SiC(碳化硅) 基板制程复杂、技术门槛高,尽管国际IDM大厂8吋发展进度超乎预期,不过台厂仍看好,至少未来5年,6吋SiC基板都将扮演主流角色。
SiC材料近来备受市场关注,成本过高,加上是坚硬、易碎的非氧化物陶瓷材料,长晶时间长,加工制造过程困难,成为SiC上游材料放量卡关的因素。
随着电动车市场爆发,对高频、高功率、高电压、高温特性的SiC材料需求殷切,但因制程难度高,目前全球SiC晶圆主流尺寸仅推进至6吋,每片晶圆能制造的晶片数量不大,仍不足以满足终端需求。
由于制造碳化硅晶圆原料多需从国外进口,且目前拥有SiC晶圆量产能力的Wolfspeed、罗姆半导体等IDM厂,包括长晶、加工制程等设备均是自行开发,再者,越来越多国家视碳化硅材料为战略性资源,采取出口管制,对台厂原料及相关设备取得上造成很大压力。
也因此,台厂积极布局6吋SiC基板与磊晶之际,国际IDM大厂如意法半导体,已进展至8吋。
对此,汉民集团旗下的晶圆代工厂汉磊 、磊晶厂嘉晶看好化合物半导体成长,将大幅扩产。汉磊认为,即便目前能供应6吋产能、可是真正进到基板量产阶段的厂商都不多,且8吋难度更高,预估要成熟量产的时间,至少还要2——3 年。看好至少5年内,6吋SiC都会扮演主流角色,且就算8吋市场放量,6吋还是具一定程度竞争力。
为了满足客户对SiC及GaN晶圆代工产能强劲需求,汉磊预计将在未来二——三年投资0.8——1.0亿美元大扩产能,其中,6吋SiC晶圆代工产能将扩增达目前的5——7倍,GaN晶圆代工月产能明年将倍增至2,000片。汉磊SiC月产能已达1,000片6吋约当晶圆,希望客户能签订长约合作。
嘉晶预估明年资本支出将达1800万至2200万美元,看好市场爆发,未来2-3年将再投资4000万——5000万美元,预计SiC产能扩增7——8倍,GaN产能约增加2——2.5倍。