最近在完成整个身心的转变过程，也在开始大范围在全球范围内做一些探查。
我觉得目前汽车行业处在一个变革期，最基本的特征是，有的新技术通过不一样的方式，来给出不一样的答案。
比如，Pre-Switch 采用的方式是使用AI来控制SIC器件，将逆变器开关速度提高，来减少驱动系统的损耗，从而实现更大的 EV 续航里程。
根据公司的测试数据，能把逆变器效率在 100kHz 时的峰值效率超过 99.3%（SiC 35mΩ MOSFET）。
我们来仔细看一下这家企业是怎么做的。
图1 这些材料来自Pre-Switch 的CEO Bruce Renouard
运行机理和AI效能
简单来说，这套系统是做一个集成算法的驱动电路，也就是说把原来逆变器控制的东西芯片化。
在这里包含两块控制，一方面是现有的SiC的驱动，一方面是针对谐振功率驱动Resonant Power Gate两部分。
图2 Pre-Switch的FPGA驱动芯片
SiC和Gan的应用，对于工程师来说要求更高了，因为EMI、800V的轴电压会带来的腐蚀问题、过充电压和振铃效应。
图3 开关频率的提高，其实带来了振荡
我挺喜欢这家公司的想法，主要是提供一个系统化的解决方案给你打包解决，在开关过程的几个阶段，降低了开关损耗、dV/dt和di/dt、振铃效应，还降低了导通损耗。
备注：这家公司其实对这个领域有认知，到底是否靠谱，我们需要拿Sample来进行验证。
图4 Pre Switch的解决方案
图5 这里其实是根据算法，把整个微观的状态记录、进行处理（这里有渐变学习的过程）
当然这个里面的对比，有一些和差生对比的意思。
图6 这里是把比较差的情况和现有的情况做对比
表1 Pre Switch的效率对比（这里主要是看节约的效能）
图7 安全保护机制
以上针对的都是逆变器，通过提高逆变器控制，同时也可以减少电机的损耗。
图8 针对电机的提高
我之前看法有错的地方在于，基于SiC的应用，通过技术的提高，是可以通过各种手段逐渐拉开和IGBT的差距的，第三代半导体大家可以用传统的办法来控制，但是有新技术新方法可以做更大幅度的改善。
图9 Pre-Switch使用的SiC逆变器的情况
图10 Pre Switch的实际情况
小结：我挺期待国内的工程师也能突破自己，把新一代的功率半导体的极限拉高，不断提高电动汽车的能效，这样对于我们整个产业的发展速度是一个加速过程。
