功率半导体冷知识:IGBT短路结温和次数

原创 英飞凌工业半导体 2021-11-11 12:00

IGBT短路特性

英飞凌IGBT模块开关状态下最高工作结温一般是150度,而IGBT7短时过载情况下的最高工作结温可达175度。那么IGBT模块一辈子都可以生活在这样的舒适区享受人生吗?


不!模块出生后2年内必然要走上社会。在装上整机踏上社会的一刻,往往要经历短路试验这一关。IGBT的底气不足或系统保护不给力,就会夭折。


IGBT在十年甚至几十年的开关高压大电流的生涯中,被短路是难免的,不幸可能是来自系统和外部干扰,甚至是人为操作失误。


IGBT是允许短路的,完全有这样的底气,EconoDUAL™3 FF600R12ME4 600A 1200V的数据手册是这样描述短路能力的,在驱动电压不超过15V时,短路电流典型值是2400A,只要在10us内成功关断短路电流,器件不会损坏。注意,短路标定的起始温度是150度,那么短路过程中的结温会飙到多高呢?


冷知识1号

二级管发生浪涌时会超过最高工作结温吗?


为了理解IGBT短路时的温度,先研究一下二极管的浪涌电流,我们一起来读一段Lutz老师的《功率半导体器件-原理、特性和可靠性》一书,他阐述了快恢复二级管浪涌电流下的芯片内部的温度。


书中有个有趣的例子,这是1200V快恢复二极管,面积49mm²,焊在0.63mm² DCB上,浪涌电流宽度7.5ms,峰值功率3060W,这时n-有源层温度高达385度,这还在破坏极限以下,(FRD的浪涌电流是额定电流的10-12倍),对半导体本身还不会产生不可逆转的改变,但芯片焊料层的温度也达到186度,这已经很边界了,可能会造成封装的不可逆转的改变,所以说浪涌电流容量适用于非正常过载事件,而不是功率半导体正常工作状态。


浪涌电流和电压波形


仿真的温度(Si aktiv硅有源区)


冷知识2号

IGBT短路时的温度知多少


在英飞凌早年的文章找到短路时的温度仿真曲线,比较了IGBT2 NPT和IGBT3短路时的温度,可以看到短路起始温度Tvj=175度时,短路时的最高温度360度和461度之高。



那么温度是怎么分布的呢?

看图说话👇👇


芯片纵向的温度分布,1200V IGBT在400V时短路,起始温度是26度,4.5us时,芯片背面发射极温度77度,芯片集电极侧167度,由于短路芯片里的电流呈丝状,使热量集中于一点,电流丝温度高达367度,但最高点是表面下面一点。




冷知识3号

IGBT可以短路100次吗?


短路瞬间功耗很大,结温会远超允许工作结温,那么短路次数可以是多少呢?



故事1:


2003年英飞凌写过一篇文章,给出了有参考价值的实验数据:


实验是基于3600A 1200V TRENCHSTOP IGBT3,VGE=15V,最高工作结温做短路测试,实际短路波形如图,短路脉冲10us,周期1/3Hz,在这样的短路条件下,最高瞬态功耗高达3MW!


4个模块共短路9万次没有问题。


当年的实验用业内做大电流规格的3600A 1700V模块


短路波形,短路电流近万安培


4个模块的短路次数



故事2:


Lutz专著中阐述到,短路时存储的能量不能超过临界能量Ec,对于短路事件重复、长时间的测试结果表明:在器件不被损坏的前提下,重复次数可以高达10000次。对于研究的600V IGBT来说,短路失效完全来自于热。此外需要特别注意的是在大量的短路脉冲后,在低于临界能量Ec情况下,IGBT的漏电流,阈值电压没有变化,然而,随着脉冲次数的增加,正向压降Vce增加,短路电流Isc减小。失效分析表明,大约10000周次后,铝金属化层电阻率增加,铝重构引起的芯片金属化层严重退化,并且键合线也退化。


24600次短路造成的铝重构



必懂知识:


数据手册怎么说?


IGBT单管举例:IKW25T120,25A 1200V单管的数据手册规定了短路次数小于1000次,间隔大于1秒。



结论


毋庸置疑,IGBT短路是凶险工况,而在很多应用中不能避免,承受短路电流造成的瞬时功率和极端高温,需要芯片和器件承担。对于系统设计工程师就要考虑:

1

短路工况极其复杂,不是设计出来的,都是意外

2

器件在短路时可能损坏,选择能承受短路电流,工艺稳定的可靠器件

3

系统设计做好检测与保护


参考资料

1.REPETITIVE SHORT CIRCUIT BEHAVIOUR OF TRENCH-/FIELD-STOP IGBTS


2.Experimental behavior of single chip IGBT and CoolMOS™ devices under repetitive short-circuit condition


3.Short Circuit Properties of Trench-/Field-Stop-IGBTs –Design Aspects for a Superior Robustness


4.Aluminium Modification as Indicator of Current Filaments in IGBTs under Repetitive Short-Circuit Operation



好消息

由中国电源学会主办,英飞凌-上海海事大学功率器件应用培训和实验中心、上海临港电力电子研究院承办的三天培训课程请到了德国开姆尼茨大学Dr.-Ing. Prof. h.c. Josef Lutz教授亲授功率半导体及其封装技术(27日全天),英飞凌工程师准备了一整天的相关话题。

时间:2021年11月27-29日

地点:上海

联系人:电源学会培训部  贾老师

联系电话:13920959431

与Lutz教授互动的前6位学员将获得《功率半导体器件-原理、特性和可靠性》和《IGBT模块:技术、驱动和应用》一书。


扩展阅读

厂商数据手册给出的短路时间竟然说不准?真相是…

IGBT7的短路能力及降额曲线

IGBT驱动芯片进入可编程时代,英飞凌新品X3有何玄机?



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